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EDA與制造相關(guān)文章

消息稱(chēng)英偉達(dá)考慮找英特爾代工游戲GPU

3 月 26 日消息，據(jù) GuruFocus 報(bào)道，英偉達(dá)正在考慮使用英特爾代工服務(wù)來(lái)制造面向游戲玩家的 GPU。瑞銀分析師蒂莫西?阿庫(kù)里（Timothy Arcuri）表示，如果英特爾贏得英偉達(dá)的訂單，這將是英特爾代工服務(wù)的重大勝利，甚至可能成為其業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

發(fā)表于：3/27/2025

臺(tái)積電SoIC產(chǎn)能將倍增

3月26日消息，據(jù)最新的業(yè)內(nèi)傳聞顯示，英偉達(dá)（NVIDIA）下一代Rubin GPU將采用臺(tái)積電的SoIC（System-on-Integrated Chip）封裝技術(shù)，這也也將是該公司首款采用Chiplet設(shè)計(jì)的GPU。市場(chǎng)期待，臺(tái)積電SoIC有望取代CoWoS成為市場(chǎng)新焦點(diǎn)，預(yù)期需求將大幅成長(zhǎng)。

發(fā)表于：3/27/2025

薄晶圓工藝興起

從平面SoC向3D-IC和先進(jìn)封裝的轉(zhuǎn)變，需要更薄的晶圓，以提高性能、降低功耗，縮短信號(hào)傳輸所需的距離以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)所需的能量。對(duì)超薄晶圓有需求的市場(chǎng)正在不斷擴(kuò)大。一個(gè)由12個(gè)DRAM芯片和一個(gè)基礎(chǔ)邏輯芯片組成的HBM模塊的總厚度，仍小于一片原生硅晶圓的厚度。在為人工智能應(yīng)用組裝扇出型晶圓級(jí)封裝以及先進(jìn)的2.5D和3D封裝方面，薄晶圓也起著關(guān)鍵作用，而這些人工智能應(yīng)用的增長(zhǎng)速度比主流IC要快得多。再加上行業(yè)對(duì)輕薄手機(jī)、可穿戴設(shè)備和醫(yī)療電子產(chǎn)品的需求，似乎如果沒(méi)有可靠地加工薄硅晶圓的能力，現(xiàn)代微電子將難以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：3/27/2025

中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破

3 月 26 日消息，近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）宣布通過(guò)不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度，ICP 雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī) Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應(yīng)臺(tái)之間的刻蝕精度已達(dá)到 0.2A（亞埃級(jí)）。

發(fā)表于：3/27/2025

北方華創(chuàng)進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場(chǎng)

3月26日，在SEMICON China 2025大會(huì)上，北方華創(chuàng)正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場(chǎng)，并發(fā)布首款離子注入機(jī)Sirius MC 313。此舉標(biāo)志著北方華創(chuàng)正在半導(dǎo)體核心裝備的戰(zhàn)略布局上又邁出了重要一步，基本覆蓋了除光刻之外的所有半導(dǎo)體前道制造設(shè)備。

發(fā)表于：3/27/2025

存儲(chǔ)芯片大廠美光宣布也將漲價(jià)

3月26日消息，隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的持續(xù)回暖，繼此前存儲(chǔ)芯片廠商Sandisk、長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)相繼被曝將對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)之后，近日另一家存儲(chǔ)芯片大廠美光也宣布將漲價(jià)。

發(fā)表于：3/27/2025

臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程計(jì)劃2028年落地美國(guó)

3月27日消息，針對(duì)臺(tái)積電加速將先進(jìn)制程落地美國(guó)的做法，國(guó)務(wù)院臺(tái)辦發(fā)言人陳斌華公開(kāi)表示，臺(tái)積電已成為砧板上任人宰割的肥肉。對(duì)于這樣的做法，之前我國(guó)方面回應(yīng)稱(chēng)，美方步步緊逼掏空臺(tái)積電，民眾擔(dān)憂臺(tái)積電變“美積電”，絕不是“杞人憂天”；最后就是從“棋子”成“棄子”，也絕對(duì)是注定的下場(chǎng)。

發(fā)表于：3/27/2025

消息稱(chēng)高通對(duì)三星代工工藝失去信心

3 月 26 日消息，科技媒體 SamMobile 昨日（3 月 25 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)高通對(duì)三星失去信心，即將推出的驍龍 8s Gen 4 芯片將由臺(tái)積電獨(dú)家代工，三星 4nm 工藝已出局。

發(fā)表于：3/26/2025

美光宣布其用于英偉達(dá)AI芯片的HBM3E及SOCAMM已量產(chǎn)出貨

3 月 25 日消息，美光今日宣布成為全球首家且唯一一家同時(shí)出貨 HBM3E 及 SOCAMM 產(chǎn)品的存儲(chǔ)廠商。據(jù)介紹，其用于英偉達(dá) GB300 Grace Blackwell Ultra 超級(jí)芯片的 SOCAMM 內(nèi)存，以及針對(duì) HGX B300 平臺(tái)打造的 HBM3E 12H 36GB、用于 HGX B200 平臺(tái)的 HBM3E 8H 24GB 已量產(chǎn)出貨。

發(fā)表于：3/26/2025

北方華創(chuàng)發(fā)布首款12英寸電鍍?cè)O(shè)備

據(jù)北方華創(chuàng)官方微信公眾號(hào)消息，近日，北方華創(chuàng)正式發(fā)布旗下首款12英寸電鍍?cè)O(shè)備（ECP）——Ausip T830。該設(shè)備專(zhuān)為硅通孔（TSV）銅填充設(shè)計(jì)，主要應(yīng)用于2.5D/3D先進(jìn)封裝領(lǐng)域。該產(chǎn)品標(biāo)志著北方華創(chuàng)正式進(jìn)軍電鍍?cè)O(shè)備市場(chǎng)，并在先進(jìn)封裝領(lǐng)域構(gòu)建了包括刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ 和清洗設(shè)備的完整互連解決方案。

發(fā)表于：3/26/2025

臺(tái)積電美國(guó)廠制造成本僅比臺(tái)灣廠高10%

3月26日消息，半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights近日發(fā)布報(bào)告稱(chēng)，根據(jù)其旗下資深產(chǎn)業(yè)人士針對(duì)晶圓廠成本和價(jià)格模型所估算出的結(jié)果顯示，臺(tái)積電美國(guó)分公司TSMC Arizona的單片12英寸晶圓加工成本，僅比臺(tái)積電在中國(guó)臺(tái)灣的工廠僅高出不到10%。

發(fā)表于：3/26/2025

TrendForce預(yù)計(jì)2025年二季度DRAM價(jià)格跌幅收窄

3月25日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的調(diào)查報(bào)告顯示，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。

發(fā)表于：3/26/2025

消息稱(chēng)蘋(píng)果包下臺(tái)積電2nm首批產(chǎn)能

消息稱(chēng)蘋(píng)果包下臺(tái)積電 2nm 首批產(chǎn)能，用來(lái)生產(chǎn) iPhone 18 系列的 A20芯片 3 月 25 日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，消息稱(chēng)臺(tái)積電 2 納米下半年量產(chǎn)的首批產(chǎn)能已被蘋(píng)果包下，將用來(lái)生產(chǎn) A20 處理器，蘋(píng)果今年仍將穩(wěn)居臺(tái)積電最大客戶(hù)。

發(fā)表于：3/26/2025

博世起訴國(guó)產(chǎn)線控制動(dòng)企業(yè)拿森科技

汽車(chē)供應(yīng)鏈巨頭博世起訴國(guó)產(chǎn)線控制動(dòng)企業(yè)拿森科技，涉及專(zhuān)利侵權(quán)糾紛 3 月 25 日消息，據(jù)芯流智庫(kù)今日消息，老牌 Tier1 巨頭博世已起訴線控制動(dòng)企業(yè)拿森科技。后者一度被視為國(guó)內(nèi)沖擊博世、大陸、采埃孚體系的新銳廠商。

發(fā)表于：3/26/2025

三星被印度追征6億多美元稅款

3 月 25 日消息，據(jù)路透社報(bào)道，印度政府已要求三星及其在該國(guó)的高管支付 6.01 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 43.63 億元人民幣）的補(bǔ)繳稅款和罰款，原因是其涉嫌規(guī)避關(guān)鍵電信設(shè)備進(jìn)口關(guān)稅，這一追征金額在近年來(lái)同類(lèi)案件中位居前列。三星是印度消費(fèi)電子及智能手機(jī)市場(chǎng)的巨頭之一，去年在該國(guó)的凈利潤(rùn)為 9.55 億美元，此次追征金額占據(jù)了其相當(dāng)大比例。三星有權(quán)在稅務(wù)法庭或法院對(duì)該決定提出挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：3/26/2025