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EDA與制造相關(guān)文章

三星正式回應(yīng)自家3nm工藝良率不到20%傳聞

三星回應(yīng)“投資8400億自家3nm工藝良率不到20%”：性能、產(chǎn)能步入正軌

發(fā)表于：2024/7/11

美國(guó)宣布投資16億美元助力先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月9日，美國(guó)商務(wù)部發(fā)布了一項(xiàng)意向通知（NOI），宣布啟動(dòng)一項(xiàng)新的研發(fā)（R?&D）活動(dòng)競(jìng)賽，以建立和加速國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)能。正如美國(guó)國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃（NAPMP）的愿景所概述的那樣，美國(guó)“芯片法案”計(jì)劃預(yù)計(jì)將為五個(gè)研發(fā)領(lǐng)域的創(chuàng)新提供高達(dá)16億美元的資金。通過(guò)潛在的合作協(xié)議，“芯片法案”將在每個(gè)研究領(lǐng)域提供多個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)，每個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)提供約1.5億美元的聯(lián)邦資金，并預(yù)計(jì)將撬動(dòng)來(lái)自工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的私營(yíng)部門(mén)投資。受資助的活動(dòng)預(yù)計(jì)將與五個(gè)研發(fā)領(lǐng)域中的一個(gè)或多個(gè)相關(guān)：

發(fā)表于：2024/7/11

商務(wù)部：對(duì)原產(chǎn)于日本和美國(guó)的進(jìn)口光纖預(yù)制棒繼續(xù)征收反傾銷(xiāo)稅

商務(wù)部：對(duì)原產(chǎn)于日本和美國(guó)的進(jìn)口光纖預(yù)制棒繼續(xù)征收反傾銷(xiāo)稅

發(fā)表于：2024/7/11

英特爾德國(guó)晶圓廠建設(shè)陷入困境

7月10日消息，據(jù)外媒Hardware Luxx報(bào)導(dǎo)，英特爾在德國(guó)馬格德堡投資300億歐元興建的Fab 29.1和Fab 29.2兩座晶圓廠原本計(jì)劃在2023年下半年開(kāi)工，但是由于歐盟補(bǔ)貼的推遲確認(rèn)、建廠地區(qū)需要移除黑土，已經(jīng)將開(kāi)工時(shí)間將推遲到 2025 年 5 月。在近期的環(huán)評(píng)聽(tīng)證會(huì)上，環(huán)保團(tuán)體和市政府又提出了13項(xiàng)反對(duì)意見(jiàn)，一些問(wèn)題還需要等待最后決定，顯示整體計(jì)劃尚未批準(zhǔn)。因此，英特爾晶圓廠的開(kāi)工時(shí)間或?qū)⒗^續(xù)延后，這也意味著量產(chǎn)時(shí)間也將跟著延后，甚至可能需要等到2030年才能量產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/7/11

報(bào)告稱HBM芯片明年月產(chǎn)能突破54萬(wàn)顆

同比增長(zhǎng) 105%，報(bào)告稱 HBM 芯片明年月產(chǎn)能突破 54 萬(wàn)顆 7 月 10 日消息，工商時(shí)報(bào)今天報(bào)道稱，在 SK 海力士、三星、美光三巨頭的大力推動(dòng)下，2025 年高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片每月總產(chǎn)能為 54 萬(wàn)顆，相比較 2024 年增加 27.6 萬(wàn)顆，同比增長(zhǎng) 105%。

發(fā)表于：2024/7/11

夏普發(fā)力面板級(jí)扇出型封裝

7月11日消息，據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，鴻海集團(tuán)正積極發(fā)展先進(jìn)封裝，主要鎖定面板級(jí)扇出型封裝（FOPLP）。同時(shí)，鴻海投資的夏普也宣布在日本發(fā)展面板級(jí)扇出型封裝，預(yù)計(jì)2026年開(kāi)出產(chǎn)能。夏普大轉(zhuǎn)型，助益鴻海之余，鴻準(zhǔn)是夏普大股東之一，廣宇是夏普合作伙伴，都將同步受益，而且也能給予轉(zhuǎn)型協(xié)助，新增訂單可期，具有加乘效果。

發(fā)表于：2024/7/11

德州儀器攜多款創(chuàng)新方案亮相慕尼黑上海電子展

中國(guó)上海（2024 年 7 月 8 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）今日宣布，將于 7 月 8 日至 10 日亮相 2024 electronica China慕尼黑上海電子展（展位：上海新國(guó)際博覽中心 E4 館 4306），以“芯啟未來(lái)：共赴安全、智能、可持續(xù)之旅”為主題，展示一系列面向汽車(chē)電子、機(jī)器人和能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的創(chuàng)新成果，分享德州儀器如何助力打造更安全、更智能、更可持續(xù)的未來(lái)。

發(fā)表于：2024/7/10

英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列

【2024年7月9日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導(dǎo)體器件系列。這使客戶能夠?qū)⒌墸℅aN）的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40 V至700 V電壓，進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)字化和低碳化進(jìn)程。在馬來(lái)西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能 8 英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據(jù)此擴(kuò)大CoolGaNTM的優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能，確保其在GaN器件市場(chǎng)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。據(jù)Yole Group預(yù)測(cè)，未來(lái)五年GaN器件市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到46%。

發(fā)表于：2024/7/10

消息稱臺(tái)積電下周試生產(chǎn)2nm芯片

消息稱臺(tái)積電下周試生產(chǎn)2nm芯片

發(fā)表于：2024/7/10

2024年底CoWoS產(chǎn)能將達(dá)每月45000片晶圓

2024年底CoWoS產(chǎn)能將達(dá)每月45000片晶圓

發(fā)表于：2024/7/10

三星2nm制程與2.5D封裝獲日本Preferred Networks訂單

7月9日，韓國(guó)三星電子宣布，與日本AI芯片新創(chuàng)公司Preferred Networks達(dá)成合作，將為其提供2nm GAA制程以及2.5D Interposer-Cube S（I-Cube S）封裝服務(wù)。三星稱，其一站式服務(wù)解決方案將幫助Preferred Networks生產(chǎn)功能強(qiáng)大的AI芯片，滿足生成式AI市場(chǎng)算力需求。雙方還計(jì)劃展示下代數(shù)據(jù)中心和生成式AI計(jì)算市場(chǎng)的突破性AI芯片解決方案。

發(fā)表于：2024/7/10

蔚來(lái)汽車(chē)自研的智能駕駛芯片神璣NX9031已經(jīng)流片

蔚來(lái)汽車(chē)自研的智能駕駛芯片「神璣NX9031」已經(jīng)流片

發(fā)表于：2024/7/10

HBM芯片之爭(zhēng)愈演愈烈

HBM芯片之爭(zhēng)愈演愈烈韓國(guó)芯片制造商SK海力士 (SK Hynix Inc.)與其全球同行一樣，基本上都是內(nèi)部設(shè)計(jì)和生產(chǎn)半導(dǎo)體，包括高容量存儲(chǔ)器 (HBM)，不同于AI芯片，其需求正在爆炸式增長(zhǎng)。然而，對(duì)于下一代AI芯片HBM4，該公司計(jì)劃將芯片制造外包給代工廠或合同芯片制造商，最有可能的是臺(tái)灣半導(dǎo)體制造股份有限公司 (TSMC)。進(jìn)一步的是，這家韓國(guó)芯片制造商正在積極尋找頂尖人才，以推進(jìn)自己的 HBM 技術(shù)并購(gòu)?fù)獍?。該公司的主要獵頭目標(biāo)是誰(shuí)？它的同城競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子公司。

發(fā)表于：2024/7/10

臺(tái)積電6/7nm產(chǎn)能利用率僅60%

臺(tái)積電6/7nm產(chǎn)能利用率僅60%，明年1月起或?qū)⒔祪r(jià)10%

發(fā)表于：2024/7/10

臺(tái)積電將對(duì)3-5nm AI芯片漲價(jià)5%-10%

臺(tái)積電將對(duì)3-5nm AI芯片漲價(jià)5%-10%，客戶將接受漲價(jià)以保障產(chǎn)能

發(fā)表于：2024/7/9