EDA與制造相關(guān)文章 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓， 突破技術(shù)極限并提高能效 【2024年10月29日, 德國(guó)慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。 發(fā)表于：10/30/2024 消息稱(chēng)三星下代400+層V-NAND 2026年推出 10 月 29 日消息，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過(guò) 400，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。 三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級(jí)）DRAM。 發(fā)表于：10/30/2024 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓 10月29日消息，據(jù)英飛凌官方消息，近日，英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展，該直徑為300mm的晶圓的厚度僅為20μm，僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。英飛凌表示，這是其繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。 發(fā)表于：10/30/2024 商務(wù)部回應(yīng)歐盟對(duì)華電動(dòng)汽車(chē)反補(bǔ)貼調(diào)查終裁 10 月 30 日消息，從商務(wù)部官網(wǎng)獲悉，商務(wù)部新聞發(fā)言人就歐盟公布對(duì)華電動(dòng)汽車(chē)反補(bǔ)貼調(diào)查終裁結(jié)果答記者問(wèn)。 發(fā)表于：10/30/2024 消息稱(chēng)臺(tái)積電擬收購(gòu)更多群創(chuàng)工廠擴(kuò)產(chǎn)先進(jìn)封裝 據(jù)報(bào)道，半導(dǎo)體設(shè)備公司的消息人士透露，今年8月收購(gòu)了群創(chuàng)在南科的5.5代LCD面板廠的臺(tái)積電，打算在其已收購(gòu)的工廠附近收購(gòu)更多的群創(chuàng)工廠。 發(fā)表于：10/30/2024 國(guó)產(chǎn)廠商的光芯片布局解析 " 人工智能需求促使高速光模塊需求量劇增，光芯片供應(yīng)小于需求，目前缺口較大。" 光瓴時(shí)代（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司（下稱(chēng) " 光瓴時(shí)代 "）創(chuàng)始人張杰向財(cái)聯(lián)社記者表示道。隨著 AI 服務(wù)器對(duì) 800G、1.6T 等高速光模塊的需求增加，光模塊的重要零組件光芯片陷入緊缺。 發(fā)表于：10/29/2024 2024年全球晶圓廠設(shè)備收入將達(dá)1330億美元 近日，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Group最新的報(bào)告顯示，目前半導(dǎo)體行業(yè)正處于強(qiáng)勁的上升軌道上，預(yù)計(jì)到 2024 年全球晶圓廠設(shè)備 （WFE）收入將達(dá)到 1330 億美元，同比增長(zhǎng) 19%。其中，其中83%來(lái)自設(shè)備出貨，17%來(lái)自服務(wù)和支持。但是不同設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)的增長(zhǎng)將有很大差異。 Yole Group 分析師將2024年WFE市場(chǎng)的增長(zhǎng)主要?dú)w因于市場(chǎng)對(duì)面向生成式AI的DRAM/HBM 和處理器的投資增長(zhǎng)，而 NAND Flash的資本支出仍然疲軟，傳統(tǒng)邏輯和專(zhuān)業(yè)市場(chǎng)的資本支出則面臨潛在風(fēng)險(xiǎn)。在這種不確定的環(huán)境中，WFE 供應(yīng)商正在通過(guò)使其應(yīng)用組合多樣化來(lái)維持或提高其收入水平，從而應(yīng)對(duì)不均衡的資本支出。 發(fā)表于：10/29/2024 算能科技回應(yīng)被臺(tái)積電停止供貨 10月27日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)最新消息，當(dāng)美國(guó)商務(wù)部開(kāi)始調(diào)查臺(tái)積電涉嫌向被禁企業(yè)提供芯片之時(shí)，臺(tái)積電于本月早些時(shí)候停止了向中國(guó)廈門(mén)算能科技（SOPHGO）供應(yīng)芯片。 不過(guò)該消息并未證實(shí)算能科技被臺(tái)積電停止供貨是否與臺(tái)積電被美國(guó)商務(wù)部調(diào)查一事有關(guān)。 發(fā)表于：10/28/2024 英特爾宣布擴(kuò)容成都封裝測(cè)試基地 英特爾宣布擴(kuò)容成都封裝測(cè)試基地，增加服務(wù)器芯片服務(wù) 發(fā)表于：10/28/2024 Intel85億美元芯片法案資金仍未獲支付 Intel85億美元芯片法案資金仍未獲支付 發(fā)表于：10/28/2024 武漢光電國(guó)家研究中心團(tuán)隊(duì)攻克芯片光刻膠關(guān)鍵技術(shù) 重大突破！芯片光刻膠關(guān)鍵技術(shù)被攻克：原材料全部國(guó)產(chǎn) 配方全自主設(shè)計(jì) 發(fā)表于：10/28/2024 TrendForce預(yù)計(jì)2025年成熟制程產(chǎn)能將年增6% 10 月 24 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，受?chē)?guó)產(chǎn)化浪潮影響，2025 年國(guó)內(nèi)晶圓代工廠將成為成熟制程增量主力，預(yù)估 2025 年全球前十大成熟制程代工廠的產(chǎn)能將提升 6%，但價(jià)格走勢(shì)將受壓制。 發(fā)表于：10/25/2024 SK海力士三季度HBM營(yíng)收暴漲330% 10月24日，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士（SK Hynix）今日發(fā)表截至9月30日的2024年第三季財(cái)報(bào)。得益于成功抓住AI存儲(chǔ)的需求，以及高附加值的HBM的銷(xiāo)售額同比暴漲330%，推動(dòng)SK海力士三季度業(yè)績(jī)超出市場(chǎng)預(yù)期，凈利潤(rùn)更是創(chuàng)下歷史新高。 發(fā)表于：10/25/2024 ASML首席執(zhí)行官質(zhì)疑美國(guó)芯片封鎖 10月24日消息（南山）據(jù)彭博社消息，光刻機(jī)制造商ASML的首席執(zhí)行官克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在彭博科技峰會(huì)上接受采訪時(shí)提到了中美之間的競(jìng)爭(zhēng)，并表示：“其中一個(gè)爭(zhēng)論是，這真的關(guān)乎國(guó)家安全嗎?” 發(fā)表于：10/25/2024 紅旗碳化硅功率芯片完成首次流片 10 月 23 日消息，一汽紅旗昨日宣布，由研發(fā)總院新能源開(kāi)發(fā)院功率電子開(kāi)發(fā)部自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。 發(fā)表于：10/24/2024 ?…40414243444546474849…?
