EDA與制造相關(guān)文章 三星美國(guó)得州芯片工廠推遲至2026年投產(chǎn) 投資 250 億美元，三星美國(guó)得州芯片工廠推遲至 2026 年投產(chǎn) 發(fā)表于：2024/6/24 日月光宣布在高雄興建K28廠以應(yīng)對(duì)先進(jìn)封裝及測(cè)試需求 日月光宣布在高雄興建K28廠，以應(yīng)對(duì)先進(jìn)封裝及測(cè)試需求 發(fā)表于：2024/6/24 三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù) 三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù) 發(fā)表于：2024/6/24 美國(guó)擬禁止接受芯片法案補(bǔ)貼的晶圓廠采用中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備 美國(guó)擬禁止接受芯片法案補(bǔ)貼的晶圓廠采用中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備 發(fā)表于：2024/6/21 長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁 長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁，指控其散布虛假信息！ 發(fā)表于：2024/6/21 消息稱臺(tái)積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù) 消息稱臺(tái)積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)：矩形代替圓形晶圓 發(fā)表于：2024/6/20 傳美擬將11家中國(guó)晶圓廠列入實(shí)體清單 傳美擬將11家中國(guó)晶圓廠列入“實(shí)體清單” 發(fā)表于：2024/6/20 英特爾官網(wǎng)披露Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié) 英特爾詳解Intel 3工藝：應(yīng)用更多EUV光刻，同功耗頻率提升至多18% 發(fā)表于：2024/6/20 臺(tái)積電南京工廠擴(kuò)產(chǎn)16/28nm芯片 獲美國(guó)無(wú)限豁免！臺(tái)積電南京擴(kuò)產(chǎn)16/28nm芯片，打壓中國(guó)芯？ 發(fā)表于：2024/6/20 消息稱美光正在全球擴(kuò)張HBM內(nèi)存產(chǎn)能 目標(biāo)相關(guān)領(lǐng)域市占看齊整體 DRAM，消息稱美光正全球擴(kuò)張 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能 發(fā)表于：2024/6/20 三星電子存儲(chǔ)部門宣布進(jìn)行重組 三星電子存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)宣布下半年重組。這次會(huì)議是在新任設(shè)備解決方案（DS）部門負(fù)責(zé)人全永鉉上任后舉行的，標(biāo)志著公司可能在高帶寬內(nèi)存（HBM）等核心業(yè)務(wù)上尋求新的突破。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士19日透露，三星電子存儲(chǔ)部門前一天召開了會(huì)議。存儲(chǔ)部門總經(jīng)理兼總裁Jungbae Lee主持了會(huì)議，該部門的主要高管出席了會(huì)議。 發(fā)表于：2024/6/20 Intel 3制程已大批量生產(chǎn) 6月20日消息，據(jù)Tom's hard ware報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，處理器大廠英特爾宣布其 3nm 級(jí)制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個(gè)工廠投入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新的制程節(jié)點(diǎn)更多細(xì)節(jié)信息。 據(jù)介紹，Intel 3 帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持 1.2V 電壓，相比Intel 4 帶來(lái)了18%的性能提升，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)面向英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來(lái)幾年內(nèi)還將會(huì)推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多個(gè)演進(jìn)版本。 發(fā)表于：2024/6/20 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺(tái)積電代工 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺(tái)積電代工！3nm、6nm的組合 發(fā)表于：2024/6/20 臺(tái)積電南京已獲美國(guó)商務(wù)部VEU授權(quán) 臺(tái)積電南京已獲美國(guó)商務(wù)部VEU授權(quán) 發(fā)表于：2024/6/19 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 發(fā)表于：2024/6/19 ?…40414243444546474849…?
