11 月 27 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（11 月 26 日）發(fā)布博文，就臺積電起訴其前資深副總經(jīng)理羅唯仁一事，英特爾首席執(zhí)行官陳立武做出回應(yīng)。

陳立武在向員工發(fā)布的內(nèi)部備忘錄中，公開否認(rèn)了所有關(guān)于“知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)移”的指控，并強(qiáng)調(diào)公司“全力支持”羅唯仁的加入，認(rèn)為臺積電的指控毫無根據(jù)。這是英特爾 CEO 首次公開點(diǎn)名支持羅唯仁，暗示此次人事任命或已塵埃落定。

援引博文介紹，此次法律糾紛的起因是臺積電認(rèn)為，羅唯仁的跳槽可能會導(dǎo)致其掌握的先進(jìn)芯片技術(shù)，特別是 2nm 制程等關(guān)鍵商業(yè)機(jī)密泄露給英特爾，從而使英特爾在競爭中獲得不公平的優(yōu)勢。

因此，臺積電于前一日正式提起訴訟，試圖阻止?jié)撛诘募夹g(shù)外泄。不過，英特爾方面堅決否認(rèn)了這一說法，并重申公司無意違反任何知識產(chǎn)權(quán)法律。

英特爾在備忘錄中特別指出，羅唯仁此前曾在英特爾工作長達(dá) 18 年，專注于晶圓加工技術(shù)的研發(fā)，之后才加入臺積電繼續(xù)從事相關(guān)工作。

英特爾表示，公司內(nèi)部設(shè)有嚴(yán)格的政策與管控措施，嚴(yán)禁使用或轉(zhuǎn)移任何第三方的機(jī)密信息或知識產(chǎn)權(quán)。這一聲明旨在消除外界對于英特爾可能通過挖角獲取競爭對手技術(shù)的疑慮。

從技術(shù)角度看，英特爾與臺積電的制程技術(shù)路線存在顯著差異。例如，英特爾的 18A 及后續(xù)工藝采用了 PowerVia 和 RibbonFET 等獨(dú)特技術(shù)，并且是高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 光刻技術(shù)的早期采用者，而臺積電在這些領(lǐng)域尚未跟進(jìn)。

因此，業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，羅唯仁加入英特爾，其價值更多在于他對供應(yīng)鏈動態(tài)的深刻理解，尤其是在滿足美國客戶尋求外部代工服務(wù)的需求方面，而非直接的技術(shù)轉(zhuǎn)移。