臺(tái)積電大陸先進(jìn)制程限制下將影響5%~8%營(yíng)收

在上周市場(chǎng)傳出臺(tái)積電已通知中國(guó)大陸客戶將暫停7nm及以下先進(jìn)制程AI（人工智能）芯片的代工服務(wù)的消息之后，芯智訊也第一時(shí)間向臺(tái)積電內(nèi)部人士確認(rèn)了這一消息。而根據(jù)TrendForce最新研究報(bào)告稱(chēng)，此舉將影響臺(tái)積電整體5%~8%營(yíng)收，同時(shí)也將影響中國(guó)AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

發(fā)表于：11/12/2024

超微電腦危機(jī)持續(xù)加深

11月11日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，隨著美國(guó)服務(wù)器大廠超微電腦（Super Micro Computer）深陷“會(huì)計(jì)欺詐”及退市危機(jī)的加劇，超微電腦已經(jīng)放棄了馬來(lái)西亞工廠的擴(kuò)建計(jì)劃，同時(shí)另一大客戶——楊忠禮集團(tuán)（YTL）也放棄了與其合作，轉(zhuǎn)向了緯創(chuàng)集團(tuán)旗下緯穎。

發(fā)表于：11/12/2024

詳解發(fā)展晶圓制造產(chǎn)業(yè)需要哪些條件

近期中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工廠力積電（PSMC）與日本 SBI 控股（SBI Holdings）合作破裂，引發(fā)雙方“撕逼大戰(zhàn)”。力積電稱(chēng)，放棄合作是因?yàn)椤斑`反中國(guó)臺(tái)灣證交法規(guī)定”。而SBI控股社長(zhǎng)北尾吉孝則否認(rèn)了相關(guān)說(shuō)法，并怒懟力積電，稱(chēng)其言而無(wú)信，出爾反爾。

發(fā)表于：11/12/2024

三星第一代3nm GAA制程良率僅60%

盡管三星的自研處理器Exynos 2500已兩次出現(xiàn)在測(cè)試軟件Geekbench上，但它不太可能會(huì)用于2025年即將推出的Galaxy S25或Galaxy S25 Plus智慧型手機(jī)上。這可能是因?yàn)槿窃谟糜谥圃熘悄苁謾C(jī)處理器的第二代3nm GAA制程技術(shù)3GAP仍有良率問(wèn)題。 11月8日消息，據(jù)韓國(guó)媒體Sisa Journal報(bào)道，三星第二代3nm GAA制程良率目前僅有20%，進(jìn)一步印證了之前其他媒體的類(lèi)似報(bào)道。盡管三星表示正在努力提高3GAP制程技術(shù)的良率，但并沒(méi)有取得太多成果。不過(guò)，Sisa Journal報(bào)導(dǎo)的20%數(shù)字有可能是基于舊數(shù)據(jù)。但即便如此，三星第二代3nm GAA制程技目前可能仍不足以進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

發(fā)表于：11/11/2024

ITC終裁確認(rèn)英諾賽科客戶不受英諾賽科與EPC專(zhuān)利糾紛影響

11月8日消息，致力于創(chuàng)建基于高性能、低成本、硅基氮化鎵（GaN-on-Si）電源解決方案的全球能源生態(tài)系統(tǒng)的企業(yè)英諾賽科今天宣布，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日發(fā)布的337調(diào)查終裁決定證實(shí)，英諾賽科的客戶將其產(chǎn)品進(jìn)口到美國(guó)的合法性不受英諾賽科和宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之間正在進(jìn)行的專(zhuān)利糾紛的影響。 英諾賽科成立于 2015 年，目前已經(jīng)成為全球最大的 氮化鎵半導(dǎo)體器件IDM（全產(chǎn)業(yè)鏈模式）制造商，集成并簡(jiǎn)化了包括設(shè)計(jì)、制造、封裝、電路應(yīng)用和銷(xiāo)售在內(nèi)的所有流程，持續(xù)引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿。我們開(kāi)發(fā)出的產(chǎn)品覆蓋從低壓30V到高壓700V的全電壓等級(jí)范圍。英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造能力，這能夠顯著降低我們的生產(chǎn)成本。

發(fā)表于：11/11/2024

中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部：目前禁止臺(tái)積電在海外生產(chǎn)2nm芯片

中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部：目前禁止臺(tái)積電在海外生產(chǎn)2nm芯片 11月11日消息，據(jù)臺(tái)北時(shí)報(bào)報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣省經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)郭智輝近日在臺(tái)北舉行的立法機(jī)構(gòu)經(jīng)濟(jì)委員會(huì)會(huì)議上公開(kāi)表示，臺(tái)灣的科技保護(hù)規(guī)則使得臺(tái)積電目前無(wú)法在海外生產(chǎn)2nm芯片，因此該公司必須將其最前沿的技術(shù)留在中國(guó)臺(tái)灣。 報(bào)道稱(chēng)，在美國(guó)前總統(tǒng)唐納德·特朗普于上周二再次當(dāng)選下一任美國(guó)總統(tǒng)后，外界傳出消息稱(chēng)，臺(tái)積電可能被迫提前在其位于美國(guó)亞利桑那州的晶圓廠生產(chǎn)最先進(jìn)的2nm芯片。郭智輝發(fā)表上述言論正是為了回應(yīng)外界對(duì)此事的擔(dān)憂。

發(fā)表于：11/11/2024

碳化硅大廠Wolfspeed宣布裁員1000人

當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月6日，碳化硅大廠Wolfspeed公布了2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)，營(yíng)收同比下滑1.37%至1.95億美元，凈虧損雖同比收窄了28.68%，但仍虧損達(dá)2.82億美元。受業(yè)績(jī)持續(xù)虧損影響，Wolfspeed還啟動(dòng)了一項(xiàng)耗資4.5億美元設(shè)施關(guān)閉和整合計(jì)劃，即關(guān)閉其在美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆的的 150 毫米碳化硅工廠，同時(shí)減約20%的員工，目前該公司有5000名員工，也就是說(shuō)需要裁撤1000個(gè)工作崗位。

發(fā)表于：11/11/2024

美國(guó)商務(wù)部宣布將向康寧提供3200萬(wàn)美元補(bǔ)貼

當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月8日，美國(guó)拜登政府宣布，美國(guó)商務(wù)部根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》簽署了兩份單獨(dú)的初步條款備忘錄 （PMT），向康寧提供高達(dá) 3200 萬(wàn)美元的擬議直接資金，并向 Powerex 提供高達(dá) 300 萬(wàn)美元的擬議直接資金。 美國(guó)商務(wù)部對(duì)康寧的擬議投資將支持公司擴(kuò)建其位于紐約州坎頓的現(xiàn)有制造工廠，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造 130 個(gè)制造工作崗位和超過(guò) 175 個(gè)建筑工作崗位；對(duì) Powerex 的擬議投資將支持該公司位于賓夕法尼亞州 Youngwood 的后端生產(chǎn)設(shè)施的現(xiàn)代化和擴(kuò)建，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造超過(guò) 55 個(gè)制造業(yè)工作崗位和多達(dá) 20 個(gè)建筑工作崗位。

發(fā)表于：11/11/2024

傳下周起臺(tái)積電將對(duì)大陸所有AI公司禁運(yùn)7nm及以下工藝

從多個(gè)消息源獲悉，臺(tái)積電已經(jīng)向目前所有中國(guó)大陸AI芯片客戶發(fā)送正式電子郵件，宣布自下周（11月11日）起，將暫停向中國(guó)大陸AI/GPU客戶供應(yīng)所有7納米（nm）及更先進(jìn)工藝的芯片。 這一決策背后，是臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的微妙地位，以及中美科技競(jìng)爭(zhēng)的激烈程度。臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)，其7nm及以下工藝技術(shù)在全球處于領(lǐng)先地位。然而，日前臺(tái)積電的“白手套”事件，加上特朗普對(duì)臺(tái)積電施加壓力，聲稱(chēng)要臺(tái)積電繳納“保護(hù)費(fèi)”一事，似乎讓臺(tái)積電下定決心投誠(chéng)，與美國(guó)商務(wù)部共同制定了一套嚴(yán)苛的審查制度，全面封鎖中國(guó)大陸的先進(jìn)制程產(chǎn)能。

發(fā)表于：11/8/2024

2025年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將衰退

11月7日消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道，由于此前擔(dān)憂美國(guó)持續(xù)升級(jí)出口管制，很多中企提前采購(gòu)了很多半導(dǎo)體設(shè)備，造成市場(chǎng)大量庫(kù)存的提升，推動(dòng)了2024年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

發(fā)表于：11/8/2024

中國(guó)臺(tái)灣芯片產(chǎn)值今年將創(chuàng)下1650億美元紀(jì)錄

一家行業(yè)協(xié)會(huì)周四表示，中國(guó)臺(tái)灣今年的半導(dǎo)體產(chǎn)量有望增長(zhǎng) 22%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 5.3 萬(wàn)億新臺(tái)幣（1650 億美元）。

發(fā)表于：11/8/2024

消息稱(chēng)三星1&2代3nm工藝良率僅60%和20%

11 月 7 日消息，韓媒《時(shí)事周刊 e》（Sisa Journal e）當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子第 1、2 代 3nm 工藝（注：即 SF3E-3GAE 與 SF3-3GAP）目前良率分別為 60% 和 20% 左右。 這一水平未達(dá)到高通、英偉達(dá)等主要潛在客戶提出的 70% 要求，導(dǎo)致三星無(wú)法在最先進(jìn)制程上與臺(tái)積電爭(zhēng)奪訂單，進(jìn)而影響了三星尖端邏輯工藝投資的收益能力。

發(fā)表于：11/8/2024

中芯國(guó)際Q3營(yíng)收創(chuàng)新高

11月7日晚間，中芯國(guó)際發(fā)布了2024年第三季度財(cái)報(bào)，不僅以美元計(jì)的單季營(yíng)收首次突破20億美元，創(chuàng)歷史新高，并且凈利潤(rùn)也同比大漲56.4%?。? 具體來(lái)說(shuō)，今年前三季度營(yíng)業(yè)收入418.79億元，同比增長(zhǎng)26.5%；凈利潤(rùn)27.06億元，同比減少26.4%；扣非凈利潤(rùn)21.99億元，同比下降10.4%。 其中，第三季度，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)營(yíng)收156.09億元，同比增長(zhǎng)32.5%，環(huán)比增長(zhǎng)14%；凈利潤(rùn)10.59億元，同比大漲56.4%；扣非凈利潤(rùn)9.11億元，同比增長(zhǎng)32.1%。

發(fā)表于：11/8/2024

臺(tái)積電先進(jìn)制程海外首發(fā)4nm

11月7日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠預(yù)計(jì)將于2025年初開(kāi)始量產(chǎn)4納米制程技術(shù)，月產(chǎn)能或達(dá)2-3萬(wàn)片，這也是臺(tái)積電海外生產(chǎn)先進(jìn)制程首發(fā)。 二廠將采用3nm制程，規(guī)劃月產(chǎn)能2.5萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2028年兩廠合計(jì)月產(chǎn)能達(dá)6萬(wàn)片；三廠將采用2nm或更先進(jìn)制程，預(yù)計(jì)在2030年前完成。

發(fā)表于：11/8/2024

SIA：Q3全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)23.2%

11月6日消息，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，2024年第三季度全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為1660億美元，同比增長(zhǎng)23.2%，環(huán)比增長(zhǎng)10.7%。2024年9月的全球銷(xiāo)售額為553億美元，與2024年8月的531億美元相比增長(zhǎng)了4.1%。 SIA總裁兼首席執(zhí)行官John Neuffer表示："2024年第三季度，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，季度銷(xiāo)售額創(chuàng)2016年以來(lái)最大增幅。在美洲同比增長(zhǎng)46.3%的推動(dòng)下，9月份的銷(xiāo)售額達(dá)到了市場(chǎng)有史以來(lái)最高的單月總額?！?/a>