EDA與制造相關(guān)文章 夏普確認(rèn)SDP堺市LCD工廠60%區(qū)域?qū)⒏慕檐涖y數(shù)據(jù)中心 夏普確認(rèn)SDP堺市LCD工廠60%區(qū)域?qū)⒏慕檐涖y數(shù)據(jù)中心 發(fā)表于：2024/6/12 科學(xué)家利用AI造出世界最強(qiáng)鐵基超導(dǎo)磁體 6 月 12 日消息，英國和日本科學(xué)家利用人工智能AI技術(shù)，成功制造出世界上最強(qiáng)的鐵基超導(dǎo)磁體，相關(guān)論文發(fā)表于《亞洲材料》雜志。 發(fā)表于：2024/6/12 SK海力士將于2025年一季度量產(chǎn)GDDR7顯存 6 月 12 日消息，據(jù)外媒 Anandtech 報(bào)道，SK 海力士代表在 2024 臺北國際電腦展上表示，該公司將于 2025 年一季度開始大規(guī)模生產(chǎn) GDDR7 芯片。 SK 海力士在 COMPUTEX 2024 上展示了 GDDR7 顯存，并確認(rèn)相關(guān)顆粒已可向合作伙伴出樣。 發(fā)表于：2024/6/12 日本連續(xù)三個季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國 日本連續(xù)三個季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國 發(fā)表于：2024/6/12 滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能 投資132億元！滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能：總產(chǎn)能將達(dá)120萬片/月 發(fā)表于：2024/6/12 英偉達(dá)今年將消耗全球47%的HBM 英偉達(dá)今年將消耗全球47%的HBM 發(fā)表于：2024/6/12 韓國AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺積電3nm制程 韓國AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺積電3nm制程 發(fā)表于：2024/6/12 三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 內(nèi)存堆疊高度受限，三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 發(fā)表于：2024/6/12 傳美國將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對華出口 6月12日，據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士稱，拜登政府正在考慮進(jìn)一步限制中國獲得用于人工智能(AI)的芯片技術(shù)，這次把目標(biāo)鎖定在了一種剛剛進(jìn)入市場的新硬件。傳美國將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對華出口 發(fā)表于：2024/6/12 我國1-5月集成電路出口同比增長21.2% 我國1-5月集成電路出口同比增長21.2%：發(fā)力28nm等成熟制程 產(chǎn)能要領(lǐng)先全球 發(fā)表于：2024/6/11 無疲勞鐵電材料可實(shí)現(xiàn)存儲芯片無限次擦寫 可實(shí)現(xiàn)存儲芯片無限次擦寫！中國科學(xué)家開發(fā)出無疲勞鐵電材料登上Science 發(fā)表于：2024/6/11 臺積電3nm產(chǎn)能訂單已排到2026年 蘋果、英偉達(dá)等大廠包下臺積電3納米產(chǎn)能：訂單排到2026年 發(fā)表于：2024/6/11 黃仁勛表示認(rèn)可臺積電暗示的漲價言論 英偉達(dá)CEO黃仁勛表示認(rèn)可臺積電暗示的漲價言論 發(fā)表于：2024/6/11 Rapidus與IBM達(dá)成2nm芯片封裝技術(shù)合作伙伴關(guān)系 Rapidus與IBM達(dá)成2nm芯片封裝技術(shù)合作伙伴關(guān)系 發(fā)表于：2024/6/11 SK集團(tuán)會長拜訪臺積電 強(qiáng)化HBM芯片制造合作 SK集團(tuán)會長拜訪臺積電 強(qiáng)化HBM芯片制造合作 發(fā)表于：2024/6/11 ?…44454647484950515253…?
