EDA與制造相關(guān)文章 中芯國際市場份額躍升至全球第三 歷史首次！中芯國際躍升至全球第三：僅次于臺積電、三星 發(fā)表于：2024/5/24 臺積電2024年新建七座工廠 3nm產(chǎn)能同比增三倍仍不足 臺積電 2024 年新建七座工廠，3nm 產(chǎn)能同比增三倍仍不足 發(fā)表于：2024/5/24 臺積電南京廠獲無限期豁免許可 美中貿(mào)易戰(zhàn)從2018年開打，2022年10月開始美國針對出口到中國的半導體相關(guān)產(chǎn)品祭出管制法規(guī)。 而臺積電南京廠一年期的展延豁免將于5月31日截止，而臺積電也在昨（23）日宣布，已獲美國無限期豁免許可。 2022年10月美方針對出口管制法規(guī)管轄的特定高速運算芯片等，半導體生產(chǎn)的物項輸往特定國家時，采取更嚴格的出口管制要求。不過三星等韓國半導體廠則獲得在大陸半導體設備管制的無限期延長豁免，但臺積電南京子公司僅取得美國政府一年豁免，引發(fā)各界關(guān)注。 發(fā)表于：2024/5/24 美光在同存儲企業(yè)Netlist的專利訴訟中敗訴 美光在同存儲企業(yè) Netlist 的專利訴訟中敗訴，面臨 4.45 億美元賠償 發(fā)表于：2024/5/24 SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已接近80% 5 月 23 日消息，SK 海力士產(chǎn)量主管 Kwon Jae-soon 近日向英國《金融時報》表示，該企業(yè)的 HBM3E 內(nèi)存良率已接近 80%。 發(fā)表于：2024/5/23 ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機 ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機 發(fā)表于：2024/5/23 ASML：考慮推出通用EUV光刻平臺 覆蓋不同數(shù)值孔徑 ASML 著眼未來：考慮推出通用 EUV 光刻平臺，覆蓋不同數(shù)值孔徑 發(fā)表于：2024/5/23 2024年Gartner Top25供應鏈榜單公布 AI 崛起已成定勢：2024 年 Gartner Top 25 供應鏈榜單公布，英偉達首次上榜入圍前十 發(fā)表于：2024/5/23 臺積電：CoWoS和SoIC產(chǎn)能未來三年將增長60%和100% 臺積電：CoWoS 和 SoIC 產(chǎn)能未來三年復合年增長率將分別達 60%、100% 發(fā)表于：2024/5/23 三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā) 對標臺積電！三星3nm芯片下半年量產(chǎn)：Galaxy S25全球首發(fā) 發(fā)表于：2024/5/23 ASML暗示可遠程癱瘓旗下光刻機 5月22日消息，據(jù)外媒報道稱，ASML聲稱可以遠程癱瘓旗下售出的光刻機，這引來網(wǎng)友的圍觀。 現(xiàn)在，報道中有給出了更多有趣的細節(jié)，比如ASML表示可以遠程癱瘓（remotely disable）相應機器，包括最先進的極紫外光刻機（EUV）。 消息人士稱，EUV需要頻繁維護，如果沒有ASML提供的備件，這些機器很快就會停止工作。 發(fā)表于：2024/5/22 三星電子計劃2025年完成4F2 VCT DRAM原型開發(fā) 邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā) 發(fā)表于：2024/5/22 三星計劃用第二代3nm爭取英偉達 5月21日消息，據(jù)媒體報道，三星計劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術(shù)來爭奪英偉達的芯片代工訂單。 但最新報告顯示，三星3nm工藝的良率僅為20%，這可能成為其競爭中的一個重大障礙。 與此形成鮮明對比的是，臺積電的N3B工藝良率已接近55%，這使得臺積電在先進芯片制造領域保持了其行業(yè)領導者的地位。 三星的低良率意味著其生產(chǎn)成本將更高，這可能會削弱其在價格和性能方面與臺積電競爭的能力。 發(fā)表于：2024/5/22 臺積電計劃到2027年將特種工藝產(chǎn)能擴大50% 臺積電在5月中旬舉行的歐洲技術(shù)研討會上透露，隨著在德國和日本新建晶圓廠以及在中國臺灣擴大產(chǎn)能，臺積電計劃到2027年將其特種工藝制程產(chǎn)能擴大50%。為實現(xiàn)這一目標，臺積電不僅需要轉(zhuǎn)換現(xiàn)有產(chǎn)能，還需要為此新建晶圓廠。臺積電同時公布下一個特殊制程節(jié)點：N4e，一種4nm級超低功耗工藝節(jié)點。 臺積電業(yè)務發(fā)展暨海外運營處副總裁張曉強（Kevin Zhang）表示，“過去臺積電總是對即將建成的晶圓廠進行預先審查再決定，但臺積電很長一段時間以來，第一次一開始就決定興建專為將來特殊工藝設計的晶圓廠，以滿足未來需求。未來4~5年，臺積電特殊工藝產(chǎn)能將增長至1.5倍，我們將擴大制造網(wǎng)絡的覆蓋范圍，以提高整個晶圓廠供應鏈的彈性。” 發(fā)表于：2024/5/22 比利時imec宣布牽頭建設亞2nm制程NanoIC中試線 imec 宣布牽頭建設亞 2nm 制程 NanoIC 中試線，項目將獲 25 億歐元資金支持 發(fā)表于：2024/5/22 ?…49505152535455565758…?
