EDA與制造相關文章 三星半導體業(yè)務三季度獲利環(huán)比大跌40% 三星半導體業(yè)務三季度獲利環(huán)比大跌40%！ 發(fā)表于：11/1/2024 AI技術賦能EDA平臺促IC設計“提質增效” 日前，西門子EDA年度技術峰會“Siemens EDA Forum 2024”在上海成功舉辦，西門子EDA Silicon Systems首席執(zhí)行官 Mike Ellow親臨現(xiàn)場，發(fā)表了題為“激發(fā)想象力——綜合系統(tǒng)設計的新時代”的主旨演講，闡述了西門子EDA如何應用AI技術不斷推動產品優(yōu)化，讓IC設計“提質增效”。 發(fā)表于：10/31/2024 三大內存原廠將于20層堆疊HBM5全面應用混合鍵合工藝 三大內存原廠將于 20 層堆疊 HBM5 全面應用混合鍵合工藝 發(fā)表于：10/31/2024 消息稱三星電子2025年初引進其首臺ASML High NA EUV光刻機 10 月 30 日消息，韓媒 ETNews 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子已決定 2025 年初引進其首臺 ASML High NA EUV 光刻機，正式同英特爾、臺積電展開下代光刻技術商業(yè)化研發(fā)競爭。 三星電子此前同比利時微電子研究中心 imec 合作，在后者與 ASML 聯(lián)手建立的 High NA EUV 光刻實驗室進行了對 High NA 光刻的初步探索；此次引入自有 High NA 機臺將加速三星的研發(fā)進程。 發(fā)表于：10/31/2024 傳OpenAI攜手博通及臺積電打造自研AI芯片 10月30日消息，據(jù)路透社獨家引述未具名消息人士報導稱，人工智能（AI）技術大廠OpenAI野心勃勃的晶圓代工廠建設計劃已經暫時擱置，目前正與博通（Broadcom）和臺積電合作打造自研AI芯片，以支持自研AI大模型。此外，OpenAI還在采購英偉達（NVIDIA ）、AMD芯片，以滿足其高漲的基礎設施建設需求。 發(fā)表于：10/31/2024 傳臺積電已取消對英特爾的6折優(yōu)惠 10月30日消息，據(jù)路透社29日引述未具名消息人士報導稱，原本在數(shù)年前臺積電與英特爾之間的關系良好，當時英特爾將部分芯片交由臺積電代工，臺積電向英特爾提供了高達6折的折扣。但是，隨著英特爾CEO帕特·基辛格上任后推出“IDM 2.0”戰(zhàn)略，開始發(fā)展晶圓代工業(yè)務，這也使得臺積電取消了對英特爾的折扣優(yōu)惠。 報道稱，基辛格近年來忙于恢復英特爾的制造能力，卻疏于維護與臺積電的關系。甚至是在2021年5月，基辛格還公開表示：“你不會想把所有雞蛋全放在臺灣晶圓廠這個籃子里”。同年12月，他在鼓吹政府投資美國芯片制造商時，還表示“臺灣不是一個穩(wěn)定之處”。 發(fā)表于：10/31/2024 世芯電子宣布成功流片2nm測試芯片 10月30日消息，近日，高性能 ASIC 設計服務廠商世芯電子（Alchip）發(fā)布新聞稿稱，它已經成功流片了一款 2nm 測試芯片，預計明年第一季度將公布結果。目前，世芯正在與客戶積極合作開發(fā)高性能 2nm ASIC。 發(fā)表于：10/31/2024 西門子接近達成收購工程軟件制造商Altair 西門子接近達成收購工程軟件制造商Altair 發(fā)表于：10/31/2024 三星前員工涉嫌向韓國泄露國產內存秘密被中國警方逮捕 據(jù)多家媒體報道，韓國駐華大使館于10月28日表示，一名50歲韓國男子A某因涉嫌“向韓國泄露中國半導體信息”，被以“間諜罪”于去年12月被中國警方拘留。 這是自去年 7 月中國修訂的《反間諜法》生效以來，第一起根據(jù)該法逮捕韓國人的案件。 報道稱，A某現(xiàn)居安徽省合肥市，在當?shù)匾患野雽w公司工作，與妻子和兩個女兒一起生活。 A某曾就職于三星電子半導體部門擔任離子注入技術員二十余年，2016年開始移居中國，加入了中國最大的DRAM內存芯片制造商CXMT，當時該公司首次招募了10 名韓國半導體專業(yè)人員。隨后他在離開長鑫存儲后，又相繼在另外兩家中國半導體公司任職。 發(fā)表于：10/31/2024 德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規(guī)模，產能提升至原來的四倍 中國北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州儀器 （TI）（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 （GaN） 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產能，德州儀器的 GaN 功率半導體自有制造產能將提升至原來的四倍。 發(fā)表于：10/31/2024 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓， 突破技術極限并提高能效 【2024年10月29日, 德國慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導體制造技術領域取得新的里程碑。 發(fā)表于：10/30/2024 消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出 10 月 29 日消息，《韓國經濟日報》當?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。 三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。 發(fā)表于：10/30/2024 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓 10月29日消息，據(jù)英飛凌官方消息，近日，英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，該直徑為300mm的晶圓的厚度僅為20μm，僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。英飛凌表示，這是其繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，再次在半導體制造技術領域取得新的里程碑。 發(fā)表于：10/30/2024 商務部回應歐盟對華電動汽車反補貼調查終裁 10 月 30 日消息，從商務部官網獲悉，商務部新聞發(fā)言人就歐盟公布對華電動汽車反補貼調查終裁結果答記者問。 發(fā)表于：10/30/2024 消息稱臺積電擬收購更多群創(chuàng)工廠擴產先進封裝 據(jù)報道，半導體設備公司的消息人士透露，今年8月收購了群創(chuàng)在南科的5.5代LCD面板廠的臺積電，打算在其已收購的工廠附近收購更多的群創(chuàng)工廠。 發(fā)表于：10/30/2024 ?…51525354555657585960…?
