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EDA與制造相關(guān)文章

半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)：2026年中國(guó)大陸IC晶圓廠產(chǎn)能將增至全球第一

機(jī)構(gòu)：2026年中國(guó)大陸IC晶圓廠產(chǎn)能將增至全球第一半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)Knometa Research發(fā)布了截至2023年末按國(guó)家/地區(qū)劃分的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力（不考慮公司總部所在地，以工廠所在國(guó)家/地區(qū)生產(chǎn)的半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)量）及未來(lái)預(yù)測(cè)。報(bào)告顯示，2023年底全球半導(dǎo)體產(chǎn)能份額為韓國(guó)22.2%、中國(guó)臺(tái)灣22.0%、中國(guó)大陸19.1%、日本13.4%、美國(guó)11.2%、歐洲4.8%。展望未來(lái)，預(yù)計(jì)中國(guó)大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)能份額將逐步增加，并將在2026年增至全球第一。另一方面，日本的份額預(yù)計(jì)將從2023年的13.4%下降到2026年的12.9%。

發(fā)表于：2024/5/17

Rapidus攜手RISC-V設(shè)計(jì)商Esperanto開發(fā)低功耗數(shù)據(jù)中心AI芯片

5 月 16 日消息，日本先進(jìn)晶圓代工企業(yè) Rapidus 昨日同美國(guó) RISC-V 架構(gòu)芯片設(shè)計(jì)企業(yè) Esperanto 簽署諒解備忘錄，雙方將合作開發(fā)面向數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的低功耗 AI 芯片。

發(fā)表于：2024/5/17

臺(tái)積電確認(rèn)德國(guó)晶圓廠定于今年四季度開始建設(shè)

5 月 15 日消息，臺(tái)積電在近日舉行的 2024 年歐洲技術(shù)論壇上再次確認(rèn)，其德國(guó)晶圓廠項(xiàng)目定于今年四季度開始建設(shè)，預(yù)估 2027 年投產(chǎn)。臺(tái)積電去年同意與三家歐洲芯片企業(yè) —— 博世、英飛凌和恩智浦 —— 合資設(shè)立歐洲半導(dǎo)體制造公司 ESMC。臺(tái)積電對(duì) ESMC 持股 70%，另外三家企業(yè)各持股 10%。

發(fā)表于：2024/5/16

三星SK海力士將超過(guò)20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM

三星、SK海力士將超過(guò)20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM

發(fā)表于：2024/5/15

美國(guó)官宣對(duì)中國(guó)電動(dòng)汽車加征關(guān)稅：提高至100%

5月14日消息，今日，美國(guó)白宮發(fā)布公告，拜登宣布對(duì)中國(guó)鋼鐵和鋁、半導(dǎo)體、電動(dòng)汽車、電池、關(guān)鍵礦物、太陽(yáng)能電池、船舶、起重機(jī)、醫(yī)療用品等提高關(guān)稅。電動(dòng)汽車：關(guān)稅將從25%提高到100%。電池、電池組件和零件以及關(guān)鍵礦物：鋰離子EV電池的關(guān)稅將從7.5%提高到25%，非EV電池從7.5%提高到25%，電池零件從7.5%提高到25%；自然石墨和永磁體的關(guān)稅將從0提高到25%。此外，此次加征關(guān)稅還涉及到其他方面，具體如下：太陽(yáng)能電池：2024年，太陽(yáng)能電池（無(wú)論是否組裝成組件）的關(guān)稅將從25%提高到50%。鋼鐵和鋁：2024年，某些鋼鐵和鋁產(chǎn)品的關(guān)稅將從0-7.5%提高到25%。半導(dǎo)體：到2025年，半導(dǎo)體的關(guān)稅將從25%提高到50%。

發(fā)表于：2024/5/15

SK海力士HBM4E內(nèi)存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片

5 月 14 日消息，SK 海力士在 2024 年度 IEEE IMW 國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上不僅分享了 HBM4E 內(nèi)存開發(fā)周期將縮短到一年的預(yù)期，也介紹了該內(nèi)存的更多細(xì)節(jié)。 SK 海力士技術(shù)人員 Kim Kwi Wook 表示，這家企業(yè)計(jì)劃使用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片構(gòu)建 HBM4E 內(nèi)存。

發(fā)表于：2024/5/15

歐美制裁下的俄羅斯半導(dǎo)體：成本翻倍杯水車薪

俄烏沖突爆發(fā)后，美國(guó)、歐盟、日本、新加坡、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等地就相繼出臺(tái)了針對(duì)俄羅斯的半導(dǎo)體的出口管制，希望通過(guò)阻斷半導(dǎo)體供應(yīng)，以降低俄羅斯的軍事戰(zhàn)力。不過(guò)，根據(jù)美國(guó)企業(yè)研究所（American Enterprise Institute）最新公布的一份報(bào)告顯示，盡管做出了這些努力，但俄羅斯通過(guò)間接渠道依然獲得了一些芯片，只是獲取芯片的成本增加了近一倍。此外，俄羅斯還獲得了一些半導(dǎo)體設(shè)備及材料，但是對(duì)于俄羅斯孱弱的芯片制造能力來(lái)說(shuō)，依然是杯水車薪。

發(fā)表于：2024/5/15

中國(guó)大陸碳化硅產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大擊穿底價(jià)

中國(guó)大陸擊穿碳化硅的底價(jià)！美國(guó)Wolfspeed股價(jià)累計(jì)大跌82% 第三代半導(dǎo)體

發(fā)表于：2024/5/15

HBM4內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)已達(dá)白熱化

HBM4內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)已達(dá)白熱化！三星、SK海力士、美光紛紛發(fā)聲

發(fā)表于：2024/5/15

SEMI：Q1全球半導(dǎo)體制造業(yè)改善中國(guó)產(chǎn)能增長(zhǎng)率最高

5月14日，SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）與調(diào)研機(jī)構(gòu)TechInsights合作編制的最新報(bào)告顯示，隨著電子板塊銷售額的上升、庫(kù)存的穩(wěn)定和晶圓廠產(chǎn)能的增加，2024年第一季度全球半導(dǎo)體制造業(yè)出現(xiàn)改善跡象，預(yù)計(jì)下半年行業(yè)增長(zhǎng)將更加強(qiáng)勁。

發(fā)表于：2024/5/15

東芝HAMR、MAMR機(jī)械硬盤技術(shù)雙雙突破 30TB 大關(guān)

東芝 HAMR、MAMR 機(jī)械硬盤技術(shù)雙雙突破 30TB 大關(guān)，后者業(yè)界首次實(shí)現(xiàn) 11 盤片

發(fā)表于：2024/5/15

美國(guó)芯片法案已撥款290億美元

美國(guó)芯片法案已撥款290億美元，將撬動(dòng)3000億美元投資根據(jù)CHIPS法案的資金分配，110億美元的研發(fā)資金將直接用于推進(jìn)四個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目的進(jìn)展：美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心(NSTC)、國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃(NAPMP)、美國(guó)芯片研發(fā)計(jì)量計(jì)劃以及美國(guó)芯片制造協(xié)會(huì)。該法案還為制造芯片及相關(guān)設(shè)備的資本支出提供25%的投資稅收抵免。

發(fā)表于：2024/5/14

SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E內(nèi)存

5月14日消息，HBM負(fù)責(zé)人Kim Gwi-wook近日在官方公告中聲稱當(dāng)前業(yè)界HBM技術(shù)已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使SK海力士將加速開發(fā)過(guò)程，最早在2026年推出他們的 HBM4E內(nèi)存，相關(guān)內(nèi)存帶寬將是HBM4的1.4倍。

發(fā)表于：2024/5/14

消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內(nèi)存尚未正式通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證

消息稱三星電子 8 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存尚未正式通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證

發(fā)表于：2024/5/14

消息稱SK海力士三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

消息稱 SK 海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn) DDR3 內(nèi)存，帶動(dòng)市場(chǎng)價(jià)格上行

發(fā)表于：2024/5/13