10月22日消息，光罩大廠Tekscend Photomask（科盛德光罩）近日于日本東京證交所掛牌上市，募資規(guī)模達(dá)1,566億元日元。而隨著Tekscend Photomask的上市，象征著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前進(jìn)至埃米制程，扮演最前端制程的光罩重要性大大增加。

供應(yīng)鏈指出，光罩好比芯片制作的底片，光罩受污染會(huì)導(dǎo)致無(wú)法提升最終良率。因此，臺(tái)積電自研光罩保護(hù)膜（Pellicle），主要因?yàn)?a class="innerlink" href="http://ihrv.cn/tags/2nm" target="_blank">2nm以下光罩開發(fā)成本昂貴，制程須加上防止灰塵與顆粒的護(hù)膜，做為關(guān)鍵防護(hù)作用。顯示臺(tái)積電維持采購(gòu)標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)生產(chǎn)A14、A10制程。

Tekscend Photomask前身為日本凸版印刷（Toppan Holdings）旗下公司，IPO上市規(guī)模為今年日本第二大，核心業(yè)務(wù)包括90至1nm制程節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體光罩，包含EUV、OPC（相位移光罩技術(shù)）、PSM（光學(xué)近接修正光罩技術(shù)）。

晶圓代工龍頭過(guò)往大多采用無(wú)保護(hù)膜的EUV光罩，以提高透光性，但進(jìn)入2nm及更先進(jìn)制程，需要EUV曝光的次數(shù)將大大增加，為增加光罩使用壽命及降低先進(jìn)制程資本密集度等，臺(tái)積電開始投入自研EUV光罩保護(hù)膜，提升EUV設(shè)備的曝光性能及生產(chǎn)效率。

此前臺(tái)積電已經(jīng)宣布，將不會(huì)在A16/A14制程當(dāng)中導(dǎo)入價(jià)格高達(dá)3.7億美元的High NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界分析，EUV光刻工藝的持續(xù)優(yōu)化，有助于埃米程繼續(xù)采用標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)，臺(tái)積電延后導(dǎo)入High-NA EUV光刻機(jī)，可以直接降低折舊壓力。

光罩保護(hù)膜用于防塵，有助提升EUV生產(chǎn)效率。不過(guò)，膜厚設(shè)計(jì)將對(duì)微影制程的曝光波長(zhǎng)造成影響，因此透光度及材料選擇將至關(guān)重要。據(jù)悉，現(xiàn)階段不管是相關(guān)鍍膜材料及設(shè)備均由國(guó)外大廠供應(yīng)，而臺(tái)廠當(dāng)中，天虹則從光罩護(hù)膜檢測(cè)設(shè)備切入。因此，相關(guān)設(shè)備、耗材等供應(yīng)鏈也有望迎來(lái)新契機(jī)。

隨著光罩外包比重將提高，其中Tekscend的EUV光罩營(yíng)收占比目標(biāo)，將從2024年之35%提升至2028年的55%。相比之下，臺(tái)企臺(tái)灣光罩將鎖定成熟制程，將有外溢效果。

此外，光罩盒提供光罩運(yùn)輸與儲(chǔ)存時(shí)安全防護(hù)、避免靜電損害，臺(tái)企家登精密也有望因此受益。