EDA與制造相關(guān)文章 是德科技推出System Designer for PCIe®和Chiplet PHY Designer 是德科技（NYSE：KEYS）宣布推出System Designer for PCIe®，這是其先進(jìn)設(shè)計系統(tǒng) （ADS） 軟件套件中的一款新產(chǎn)品，支持基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的仿真工作流程，可用于仿真高速、高頻的數(shù)字設(shè)計。System Designer for PCIe 是一種智能的設(shè)計環(huán)境，用于對最新的PCIe Gen5 和 Gen6 系統(tǒng)進(jìn)行建模和仿真。是德科技還在改進(jìn)其電子設(shè)計自動化平臺，通過為現(xiàn)有的 Chiplet PHY Designer 工具增加新功能，評估Chiplet中芯片到芯片的鏈路裕度性能，并對電壓傳遞函數(shù) （VTF） 是否符合相關(guān)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測量。 發(fā)表于：2024/8/2 瑞薩電子完成對澳大利亞設(shè)計工具廠商Altium的收購 8月1日，日本瑞薩電子宣布與全球電子設(shè)計系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)者Altium Limited（簡稱“Altium”）宣布，瑞薩電子成功完成了對Altium的收購。瑞薩電子在2024年2月15日就宣布了以91億澳元（約59億美元）收購 Altium 的最終協(xié)議 發(fā)表于：2024/8/2 泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0 為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。 發(fā)表于：2024/8/2 Alphawave發(fā)布業(yè)界首顆24Gbps 3nm UCIe半導(dǎo)體芯粒 8 月 1 日消息，Alphawave Semi 公司最新研發(fā)出業(yè)界首款 3nm UCIe 芯粒（chiplet），為采用臺積電 CoWoS 封裝技術(shù)的系統(tǒng)級封裝（system-in-packages，SiP）實現(xiàn) die-to-die 連接。 發(fā)表于：2024/8/2 中國成韓國半導(dǎo)體最大市場 8月1日消息，2024年1至7月，韓國對華半導(dǎo)體出口額達(dá)到748億美元，約合人民幣5400億元，超過美國成為韓國半導(dǎo)體最大的出口市場。 這一數(shù)據(jù)顯示了中國在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的重要地位，以及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國市場的強(qiáng)勁增長勢頭。 韓國7月份的出口額同比增長13.9%，達(dá)到574.9億美元，連續(xù)10個月實現(xiàn)同比增長。 發(fā)表于：2024/8/2 一圖讀懂《工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件（2024版）》 一圖讀懂《工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件（2024版）》 發(fā)表于：2024/8/2 傳應(yīng)用材料申請美國芯片法案補(bǔ)貼被拒 據(jù)彭博社報道，美國商務(wù)部已于當(dāng)?shù)貢r間7月29日拒絕了美國半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料（Applied Materials）的芯片法案補(bǔ)貼申請，這或?qū)⒂绊憫?yīng)用材料在硅谷建研發(fā)中心的計劃。 發(fā)表于：2024/8/1 三星計劃2024Q3量產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品 8 月 1 日消息，韓媒 Business Korea 昨日（7 月 31 日）報道，在 2024 年第 2 季度財報電話會議上，三星公司高管公布：“第五代 8 層 HBM3E 產(chǎn)品目前已交付客戶評估，計劃 2024 年第 3 季度開始量產(chǎn)”。 發(fā)表于：2024/8/1 消息稱美國8月將升級對華半導(dǎo)體限制 傳美國將升級對華半導(dǎo)體限制：120個中國實體將被禁，涉及晶圓廠、設(shè)備商、EDA廠商！ 發(fā)表于：2024/8/1 美國推遲對中國電動汽車等產(chǎn)品加征關(guān)稅 8 月 1 日消息，美國計劃對中國進(jìn)口電動汽車征收 100% 關(guān)稅的政策不僅澆滅了極氪、比亞迪等中國車企進(jìn)軍美國市場的熱情，也給美國本土汽車制造商帶來了不小的麻煩，原本計劃于 2025 年和 2026 年進(jìn)入美國市場的別克 Electra E5 和 E4 車型因關(guān)稅問題被迫擱置。 發(fā)表于：2024/8/1 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù) 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù)：寫入速度比競品快99%！ 發(fā)表于：2024/8/1 二季度開始Intel每月為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 Intel從二季度開始，每月可為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 發(fā)表于：2024/8/1 消息稱三星電子V9 QLC NAND閃存尚未獲量產(chǎn)就緒許可 7 月 31 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可，對平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設(shè)規(guī)劃造成了影響。 三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實現(xiàn)量產(chǎn)，對應(yīng)的 QLC 版本則將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。 然而直到現(xiàn)在，三星電子并未對 V9 QLC NAND 閃存下達(dá) PRA（IT之家注：應(yīng)指 Production Readiness Approval）量產(chǎn)就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務(wù)器存儲需求的熱點。 明星產(chǎn)品前景不明，使得三星電子內(nèi)部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音。 發(fā)表于：2024/8/1 消息指SK海力士400+層閃存明年末量產(chǎn)就緒 消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒 發(fā)表于：2024/8/1 消息稱英特爾挖角臺積電工程師 消息稱英特爾挖角臺積電工程師，芯片代工競爭加劇 發(fā)表于：2024/7/31 ?…46474849505152535455…?
