EDA與制造相關(guān)文章 三井化學(xué)宣布量產(chǎn)新一代CNT光刻薄膜 日本三井化學(xué)宣布量產(chǎn)新一代 CNT 光刻薄膜，支持 ASML 新一代光刻機(jī) 發(fā)表于：2024/6/19 HBM訂單2025年已預(yù)訂一空 據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)，存儲(chǔ)芯片供應(yīng)鏈透露，上游存儲(chǔ)原廠HBM訂單2025年預(yù)訂一空，訂單能見度可達(dá)2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年訂單也接近滿載，估計(jì)合計(jì)供應(yīng)給英偉達(dá)的HBM月產(chǎn)能約當(dāng)6萬多片。 發(fā)表于：2024/6/19 新華三與富士康合作在馬來西亞建設(shè)其首個(gè)海外工廠 新華三與富士康合作，在馬來西亞建設(shè)其首個(gè)海外工廠 發(fā)表于：2024/6/19 環(huán)球晶圓意大利12英寸晶圓廠將獲1.03億歐元補(bǔ)貼 環(huán)球晶圓意大利12英寸晶圓廠將獲1.03億歐元補(bǔ)貼 發(fā)表于：2024/6/19 士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目開工 總投資120億元，士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目開工 發(fā)表于：2024/6/19 三星宣布與Synposys合作優(yōu)化2nm芯片 三星宣布與Synposys合作優(yōu)化2nm芯片：明年量產(chǎn) 發(fā)表于：2024/6/18 美國(guó)將全面禁售大疆無人機(jī) 美國(guó)眾議院通過“無人機(jī)法案”，將全面禁售大疆無人機(jī) 發(fā)表于：2024/6/18 日本派200名工程師赴Tenstorrent接受AI芯片培訓(xùn) 日本將派遣200名工程師前往美國(guó)Tenstorrent接受AI芯片技術(shù)培訓(xùn) 發(fā)表于：2024/6/18 2024年全球先進(jìn)封裝設(shè)備將同比增長(zhǎng)6%至31億美元 2024年全球先進(jìn)封裝設(shè)備將同比增長(zhǎng)6%至31億美元 發(fā)表于：2024/6/18 消息稱鴻海獨(dú)家供貨英偉達(dá)GB200 NVLink交換器 6 月 18 日消息，臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)消息，鴻海繼取得大份額英偉達(dá) GB200 AI 服務(wù)器代工訂單之后，獨(dú)占 GB200 關(guān)鍵元件 NVLink 交換器訂單。 NVLink 是英偉達(dá)獨(dú)家技術(shù)，包含兩個(gè)部分，第一是橋接（bridge）技術(shù)，即處理器（CPU）與 AI 芯片（GPU）互相連接的技術(shù)；第二是交換器（switch）技術(shù)，是 GPU 與 GPU 互連的關(guān)鍵，通過此技術(shù)才能把上千顆 GPU 算力全部集中起來運(yùn)作。 發(fā)表于：2024/6/18 消息稱三星將推出HBM三維封裝技術(shù)SAINT-D 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。 發(fā)表于：2024/6/18 韓國(guó)專利管理企業(yè)Mimir IP起訴美光索賠34.92億元人民幣 6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 Businesskorea 報(bào)道，韓國(guó)專利管理企業(yè) Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存儲(chǔ)巨頭美光發(fā)起訴訟，索賠 4.8 億美元（ 發(fā)表于：2024/6/18 淺析HBM五大關(guān)鍵門檻 6月17日消息，在當(dāng)前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高帶寬內(nèi)存（HBM），其生產(chǎn)困難點(diǎn)有哪些，為什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星這三家DRAM大廠有能力跨入該市場(chǎng)，外媒對(duì)此做了一個(gè)綜合性的分析。 報(bào)道表示，HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）芯片堆疊在一起，并通過硅穿孔技術(shù)（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，進(jìn)一步達(dá)到高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)手段。 CowoS封裝中的HBM技術(shù)困難度目前歸納了幾項(xiàng)要點(diǎn)： 發(fā)表于：2024/6/18 ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī) 可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了 發(fā)表于：2024/6/17 英特爾因涉嫌隱瞞晶圓代工部門巨額虧損遭集體訴訟 英特爾因涉嫌隱瞞晶圓代工部門巨額虧損遭集體訴訟 發(fā)表于：2024/6/17 ?…41424344454647484950…?
