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傳臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠12月6日開幕

臺(tái)積電正準(zhǔn)備在2024年12月為其位于亞利桑那州的Fab 21晶圓廠舉行開業(yè)典禮。據(jù)傳，此次開幕式將于12月6日舉行，將成為美國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣關(guān)系和半導(dǎo)體戰(zhàn)略里程碑。

發(fā)表于：11/14/2024

SEMI報(bào)告顯示2024Q3全球硅晶圓出貨面積同比增長(zhǎng)6.8%

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) SEMI 旗下 SMG 美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日發(fā)布了新一期的硅晶圓季度分析報(bào)告。該報(bào)告顯示今年三季度全球硅晶圓出貨量達(dá) 3214 百萬(wàn)平方英寸（MSI）。

發(fā)表于：11/13/2024

國(guó)產(chǎn)首條超高世代基板玻璃生產(chǎn)線點(diǎn)火投產(chǎn)

11 月 12 日消息，彩虹顯示器件股份有限公司今日發(fā)文宣布，國(guó)產(chǎn)首條超高世代（G8.5+）基板玻璃生產(chǎn)線于昨日（2024 年 11 月 11 日）咸陽(yáng)基地點(diǎn)火投產(chǎn)。據(jù)介紹，國(guó)產(chǎn)首條超高世代生產(chǎn)線應(yīng)用了國(guó)家工程研究中心和新型顯示聯(lián)合研究院的最新創(chuàng)新成果，與前幾條線相比，單線設(shè)計(jì)產(chǎn)能再提升 20%。

發(fā)表于：11/13/2024

臺(tái)積電尖端制程產(chǎn)能利用率持續(xù)提升

11月13日消息，據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，即便蘋果下修明年第一季度的iPhone手機(jī)芯片流片量，受益于高通及聯(lián)發(fā)科旗艦智能手機(jī)芯片的帶動(dòng)，明年上半年臺(tái)積電3nm產(chǎn)能利用率維持滿載。另外，在AI芯片助攻下，明年上半年5nm產(chǎn)能利用率可能達(dá)到101%。

發(fā)表于：11/13/2024

龍芯CPU根技術(shù)指令系統(tǒng)助力我國(guó)工業(yè)可控

近日，龍芯中科召開2024年龍芯工業(yè)生態(tài)大會(huì)，展示了龍芯CPU處理器在眾多工業(yè)領(lǐng)域的落地與應(yīng)用。大會(huì)上，龍芯中科副總裁杜安利表示，基于自主指令集和CPU、國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)和國(guó)產(chǎn)軟件形成的龍芯自主工業(yè)產(chǎn)品及解決方案，全面涵蓋工業(yè)計(jì)算機(jī)/服務(wù)器、工業(yè)控制與網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)安全等各類產(chǎn)品，已經(jīng)在能源、交通、水利、石油石化、智能制造、礦業(yè)等多個(gè)重點(diǎn)行業(yè)、關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景有效落地。基于龍芯CPU的RTU數(shù)采設(shè)備、工業(yè)網(wǎng)關(guān)、邊緣網(wǎng)關(guān)、PLC、DCS主控、上位機(jī)、服務(wù)器等產(chǎn)品，已應(yīng)用于工控、能源、軌道交通、石油石化等領(lǐng)域。

發(fā)表于：11/13/2024

三星宣布擴(kuò)建HBM封裝產(chǎn)線

三星宣布擴(kuò)建HBM封裝產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2027年底完工

發(fā)表于：11/13/2024

日本將提供650億美元支持半導(dǎo)體及AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展

11月12日消息，據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，日本新任首相石破茂（Shigeru Ishiba）于11月11日制定新的援助計(jì)劃，要求日本政府2030財(cái)年前提供至少10萬(wàn)億日元（約650億美元），以支持半導(dǎo)體和人工智能（AI）產(chǎn)業(yè)發(fā)展。石破茂在新聞發(fā)表會(huì)表示，該援助計(jì)劃框架的制定，有望在10年內(nèi)吸引超過(guò)50萬(wàn)億日元公共和私人投資，該計(jì)劃將納入11月定案的“全面經(jīng)濟(jì)方案”。援助形式包括補(bǔ)助、政府附屬機(jī)構(gòu)投資，以及為私營(yíng)金融集團(tuán)的貸款提供債務(wù)擔(dān)保。石破茂強(qiáng)調(diào)，日本不會(huì)發(fā)行赤字政府債券資助這項(xiàng)計(jì)劃。

發(fā)表于：11/13/2024

首款國(guó)產(chǎn)科學(xué)計(jì)算與系統(tǒng)仿真軟件北太天元v4.0版發(fā)布

首款國(guó)產(chǎn)科學(xué)計(jì)算與系統(tǒng)仿真軟件“北太天元”v4.0 版發(fā)布：統(tǒng)一界面風(fēng)格、支持面向?qū)ο蟮睦^承特性

發(fā)表于：11/12/2024

歐盟擬斥資1.33億歐元在荷蘭建設(shè)光子集成電路中試線

11 月 12 日消息，根據(jù)荷蘭政府官方網(wǎng)站當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日公告，歐盟擬斥資 1.33 億歐元（注：當(dāng)前約 10.24 億元人民幣）在荷蘭建設(shè)一條光子集成電路（PIC）中試線。

發(fā)表于：11/12/2024

三星官方回復(fù)對(duì)中國(guó)斷供7nm及以下制程傳聞

11月11日消息，據(jù)報(bào)道，繼臺(tái)積電發(fā)函對(duì)中國(guó)大陸AI芯片企業(yè)暫停7nm及以下先進(jìn)制程代工服務(wù)之后，最新的傳聞顯示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)部門也已經(jīng)向大陸客戶發(fā)出了類似的通知。

發(fā)表于：11/12/2024

臺(tái)積電大陸先進(jìn)制程限制下將影響5%~8%營(yíng)收

在上周市場(chǎng)傳出臺(tái)積電已通知中國(guó)大陸客戶將暫停7nm及以下先進(jìn)制程AI（人工智能）芯片的代工服務(wù)的消息之后，芯智訊也第一時(shí)間向臺(tái)積電內(nèi)部人士確認(rèn)了這一消息。而根據(jù)TrendForce最新研究報(bào)告稱，此舉將影響臺(tái)積電整體5%~8%營(yíng)收，同時(shí)也將影響中國(guó)AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

發(fā)表于：11/12/2024

超微電腦危機(jī)持續(xù)加深

11月11日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，隨著美國(guó)服務(wù)器大廠超微電腦（Super Micro Computer）深陷“會(huì)計(jì)欺詐”及退市危機(jī)的加劇，超微電腦已經(jīng)放棄了馬來(lái)西亞工廠的擴(kuò)建計(jì)劃，同時(shí)另一大客戶——楊忠禮集團(tuán)（YTL）也放棄了與其合作，轉(zhuǎn)向了緯創(chuàng)集團(tuán)旗下緯穎。

發(fā)表于：11/12/2024

詳解發(fā)展晶圓制造產(chǎn)業(yè)需要哪些條件

近期中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工廠力積電（PSMC）與日本 SBI 控股（SBI Holdings）合作破裂，引發(fā)雙方“撕逼大戰(zhàn)”。力積電稱，放棄合作是因?yàn)椤斑`反中國(guó)臺(tái)灣證交法規(guī)定”。而SBI控股社長(zhǎng)北尾吉孝則否認(rèn)了相關(guān)說(shuō)法，并怒懟力積電，稱其言而無(wú)信，出爾反爾。

發(fā)表于：11/12/2024

三星第一代3nm GAA制程良率僅60%

盡管三星的自研處理器Exynos 2500已兩次出現(xiàn)在測(cè)試軟件Geekbench上，但它不太可能會(huì)用于2025年即將推出的Galaxy S25或Galaxy S25 Plus智慧型手機(jī)上。這可能是因?yàn)槿窃谟糜谥圃熘悄苁謾C(jī)處理器的第二代3nm GAA制程技術(shù)3GAP仍有良率問題。 11月8日消息，據(jù)韓國(guó)媒體Sisa Journal報(bào)道，三星第二代3nm GAA制程良率目前僅有20%，進(jìn)一步印證了之前其他媒體的類似報(bào)道。盡管三星表示正在努力提高3GAP制程技術(shù)的良率，但并沒有取得太多成果。不過(guò)，Sisa Journal報(bào)導(dǎo)的20%數(shù)字有可能是基于舊數(shù)據(jù)。但即便如此，三星第二代3nm GAA制程技目前可能仍不足以進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

發(fā)表于：11/11/2024

ITC終裁確認(rèn)英諾賽科客戶不受英諾賽科與EPC專利糾紛影響

11月8日消息，致力于創(chuàng)建基于高性能、低成本、硅基氮化鎵（GaN-on-Si）電源解決方案的全球能源生態(tài)系統(tǒng)的企業(yè)英諾賽科今天宣布，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日發(fā)布的337調(diào)查終裁決定證實(shí)，英諾賽科的客戶將其產(chǎn)品進(jìn)口到美國(guó)的合法性不受英諾賽科和宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之間正在進(jìn)行的專利糾紛的影響。英諾賽科成立于 2015 年，目前已經(jīng)成為全球最大的氮化鎵半導(dǎo)體器件IDM（全產(chǎn)業(yè)鏈模式）制造商，集成并簡(jiǎn)化了包括設(shè)計(jì)、制造、封裝、電路應(yīng)用和銷售在內(nèi)的所有流程，持續(xù)引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿。我們開發(fā)出的產(chǎn)品覆蓋從低壓30V到高壓700V的全電壓等級(jí)范圍。英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造能力，這能夠顯著降低我們的生產(chǎn)成本。

發(fā)表于：11/11/2024