EDA與制造相關(guān)文章 九峰山實驗室氮化鎵材料制備領(lǐng)域新突破 3月24日消息，據(jù)報道，九峰山實驗室科研團隊近日取得重大突破，成功在全球范圍內(nèi)首次實現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。 這一里程碑式的成果不僅打破了國際技術(shù)壟斷，更為射頻前端等系統(tǒng)級芯片在頻率、效率、集成度等方面的提升提供了強有力的技術(shù)支持，將推動下一代通信、自動駕駛、雷達探測、微波能量傳輸?shù)惹把丶夹g(shù)的快速發(fā)展。 氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)的極性方向?qū)ζ骷阅芎蛻?yīng)用具有決定性影響，主要分為氮極性氮化鎵和鎵極性氮化鎵兩種極化類型。 發(fā)表于：3/24/2025 下一代HBM4和HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務(wù)器，不但規(guī)格、性能越來越強，HBM內(nèi)存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進。 發(fā)表于：3/21/2025 曝臺積電2nm工藝制程首發(fā)于iPhone 18 曝臺積電2nm工藝制程首發(fā)于iPhone 18 發(fā)表于：3/21/2025 博通對HBM需求暴增推動SK海力士M15X晶圓廠提前裝機 3月20日消息，據(jù)韓國韓媒The Elec報道，由于來自客戶（特別是博通）的高帶寬內(nèi)存（HBM）訂單量暴增，SK海力士正計劃提前兩個月在全新的M15X晶圓廠導入設(shè)備，從而快速提升產(chǎn)能。同時，原計劃為每月3.2萬片晶圓的產(chǎn)能，現(xiàn)在可能計劃增加到接近翻倍，不過新的產(chǎn)能目標將于下個月才能最終確定。 發(fā)表于：3/21/2025 黃仁勛否認有意參與收購英特爾代工業(yè)務(wù) 黃仁勛否認有意參與收購英特爾代工業(yè)務(wù) 發(fā)表于：3/20/2025 臺積電稱董事會從未討論過收購英特爾晶圓廠 3月19日，針對近期傳聞的臺積電將聯(lián)合英偉達、AMD和博通入股英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)并負責運營的傳聞，臺積電董事劉鏡清正式回應(yīng)稱，臺積電董事會從來沒有討論過這個議題。 發(fā)表于：3/20/2025 新思科技通過英偉達Blackwell平臺將芯片設(shè)計加速30倍 新思科技通過英偉達Blackwell平臺將芯片設(shè)計加速30倍 發(fā)表于：3/20/2025 2024年Q4全球晶圓代工行業(yè)收入年增26% 市調(diào)機構(gòu)Counterpoint Research在報告中指出，2024年第四季度全球晶圓代工行業(yè)收入同比增長26%，環(huán)比增長9%。增長主要得益于強勁的AI需求和中國大陸市場持續(xù)復蘇。 發(fā)表于：3/19/2025 SK海力士宣布全球率先向客戶提供12層HBM4內(nèi)存樣品 3 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 12 層（12Hi）HBM4 內(nèi)存，并在全球率先向主要客戶出樣了 12Hi HBM4。 發(fā)表于：3/19/2025 華大九天宣布擬收購芯和半導體控股權(quán) 3月17日午間，國產(chǎn)電子設(shè)計自動化（EDA）軟件工具龍頭大廠華大九天發(fā)布公告，宣布擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金等方式收購另一家國產(chǎn)EDA廠商——芯和半導體科技（上海）股份有限公司（以下簡稱“芯和半導體”）的控股權(quán)。公司股票自3月17日起開始停牌，預計在不超過10個交易日的時間內(nèi)披露本次交易方案。 發(fā)表于：3/18/2025 李在镕：三星電子正面臨生死存亡！ 3月17日消息，據(jù)韓聯(lián)社報道，三星集團會長李在镕日前告訴公司高管稱，三星電子失去了內(nèi)生動力，正面臨生死存亡的關(guān)頭，并要求三星高管必須抱著“拼死一搏”的精神來應(yīng)對人工智能（AI）顛覆產(chǎn)業(yè)的挑戰(zhàn)。 發(fā)表于：3/18/2025 消息稱美光對NAND閃存新訂單平均漲價11% 消息稱美光對NAND閃存新訂單平均漲價11%，年初工廠意外致供應(yīng)趨緊 發(fā)表于：3/18/2025 英特爾新CEO計劃重組代工和AI業(yè)務(wù)并裁員 媒體報道，即將上任英特爾CEO的陳立武正考慮對該公司芯片制造方法和人工智能戰(zhàn)略進行重大調(diào)整，以重振這家陷入困境的科技巨頭。 發(fā)表于：3/18/2025 Intel 18A制程取得重大進展 當?shù)貢r間3月13日，英特爾工程經(jīng)理Pankaj Marria通過LinkedIn發(fā)文指出，“Intel 18A制程迎來重要里程碑！很榮幸加入‘Eagle Team’，一同落實Intel 18A，我們的團隊率先完成亞利桑那州的首批生產(chǎn)，先進半導體制程邁出了關(guān)鍵一步。” 發(fā)表于：3/17/2025 三星電子展望未來HBM內(nèi)存 3 月 17 日消息，三星電子代表 Song Jai-hyuk 在 2 月的 IEEE ISSCC 2025 全體會議演講中對 HBM 內(nèi)存的未來技術(shù)演進進行了展望，提到了通過定制版本縮減 I/O 面積占用和在基礎(chǔ)芯片中直接集成加速器單元兩種思路。 定制 HBM 目前的 HBM 內(nèi)存在 xPU 處理器和 HBM 基礎(chǔ)裸片 Base Die 之間采用數(shù)以千計的 PHY I/O 互聯(lián)，而定制版本則采用更高效率的 D2D 裸片對裸片互聯(lián)，這一結(jié)構(gòu)縮短了兩芯片間距、減少了 I/O 數(shù)量、擁有更出色的能效。 同時，D2D 互聯(lián)的面積占用較現(xiàn)有方式更低，這為 xPU 和 Base Die 塞入更多芯片 IP 創(chuàng)造了可能。 發(fā)表于：3/17/2025 ?…36373839404142434445…?
