EDA與制造相關(guān)文章 美國商務部今年已撤銷了8張對華為出口許可證 美國商務部：今年已撤銷了8張對華為出口許可證！ 發(fā)表于：2024/7/4 消息稱三星電子將為移動處理器引入HPB冷卻技術(shù) 消息稱三星電子將為移動處理器引入 HPB 冷卻技術(shù)，有望率先用于 Exynos 2500 7 月 3 日消息，韓媒 The Elec 報道稱，三星電子 AVP 先進封裝業(yè)務團隊目標在今年四季度完成一項名為 FOWLP-HPB 的移動處理器用封裝技術(shù)的開發(fā)和量產(chǎn)準備。 發(fā)表于：2024/7/4 （更新：三星否認）消息稱三星HBM內(nèi)存芯片通過英偉達測試 消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片通過英偉達測試，將開始大規(guī)模生產(chǎn) 發(fā)表于：2024/7/4 消息稱英特爾將為LGA1851平臺提供可選RL-ILM 消息稱英特爾將為 LGA1851 平臺提供可選 RL-ILM，解決 CPU 頂蓋彎曲問題 發(fā)表于：2024/7/4 鎧俠產(chǎn)能利用率已回升至100% 本月將量產(chǎn)218層NAND Flash 鎧俠產(chǎn)能利用率已回升至100%，本月將量產(chǎn)218層NAND Flash 發(fā)表于：2024/7/4 面臨90000名半導體人才缺口，美國又通過一項勞動力發(fā)展計劃 面臨90000名半導體人才缺口，美國又通過一項勞動力發(fā)展計劃 發(fā)表于：2024/7/3 巴西子公司Zilia開始生產(chǎn)江波龍存儲產(chǎn)品 巴西子公司Zilia開始生產(chǎn)江波龍存儲產(chǎn)品，并宣布8.59億元投資計劃 發(fā)表于：2024/7/3 消息稱三星電子正研發(fā)3.3D先進封裝技術(shù) 消息稱三星電子正研發(fā)“3.3D先進封裝技術(shù)，目標 2026 年二季度量產(chǎn) 發(fā)表于：2024/7/3 臺積電3nm/5nm工藝計劃明年漲價 臺積電3nm/5nm要漲價：廠商壓力山大 最終用戶買單 發(fā)表于：2024/7/3 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 發(fā)表于：2024/7/3 廣州增芯科技12英寸晶圓制造產(chǎn)線投產(chǎn) 增芯科技12英寸晶圓制造產(chǎn)線投產(chǎn) 發(fā)表于：2024/7/3 美國芯片業(yè)面臨重大人才缺口 7月2日消息，據(jù)媒體報道，美國芯片產(chǎn)業(yè)正面臨嚴重的人才短缺問題，為此政府迅速啟動一項計劃，旨在培養(yǎng)國內(nèi)芯片勞動力，以避免勞動力短缺對半導體生產(chǎn)造成威脅。 這一計劃被稱為勞動力伙伴聯(lián)盟，將動用新成立的國家半導體技術(shù)中心（NSTC）50億美元聯(lián)邦資金的一部分。 NSTC計劃資助多達10個勞動力發(fā)展項目，每個項目預算在50萬美元至200萬美元之間，此外，該中心將在未來幾個月啟動額外的申請程序，以確定總體支出水平。 發(fā)表于：2024/7/3 傳下半年旗艦手機SoC全面采用N3E制程 傳下半年旗艦手機SoC全面采用N3E制程 發(fā)表于：2024/7/3 消息稱臺積電海外晶圓廠僅貢獻10%產(chǎn)能 消息稱臺積電海外晶圓廠僅貢獻10%產(chǎn)能，無需擔憂中國臺灣產(chǎn)業(yè)外遷 發(fā)表于：2024/7/2 信通院發(fā)布《中國工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展成效評估報告（2024年）》 中國信通院發(fā)布《中國工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展成效評估報告（2024年）》 發(fā)表于：2024/7/2 ?…37383940414243444546…?
