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消息稱臺(tái)積電首度委外CoW封裝工藝

8 月 6 日消息，據(jù)臺(tái)媒《MoneyDJ 理財(cái)網(wǎng)》報(bào)道，臺(tái)積電首度釋出 CoWoS 中 CoW 步驟的代工訂單，已被矽品拿下。矽品將在中科廠投資建設(shè)相關(guān)產(chǎn)能，預(yù)計(jì) 2025 年二季度機(jī)臺(tái)進(jìn)駐、三季度放量。報(bào)道提到，本次具體委托的工藝來自 CoWoS-S，即使用高性能高成本硅中介層（Si Interposer）的 CoWoS。臺(tái)積電 CoWoS 先進(jìn)封裝可大致分為 CoW 和 WoS 兩步驟，前者結(jié)合芯片與中介層，而后者則負(fù)責(zé)將中介層同基板封裝到一起。其中 CoW 更為復(fù)雜、利潤(rùn)也更為豐厚；WoS 較為簡(jiǎn)單、利潤(rùn)較低。

發(fā)表于：2024/8/7

群創(chuàng)光電計(jì)劃年底前量產(chǎn)扇出型面板級(jí)半導(dǎo)體封裝工藝

8 月 6 日消息，群創(chuàng)光電（Innolux Corporation）總經(jīng)理?xiàng)钪樽蛉眨? 月 5 日）表示，公司正積極布局和推進(jìn)半導(dǎo)體扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP），有望今年年底前量產(chǎn) Chip First 制程技術(shù)，對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)將于明年第 1 季度顯現(xiàn)。群創(chuàng)光電表示未來 1-2 年內(nèi)有望量產(chǎn)針對(duì)中高端產(chǎn)品的重布線層（RDL First）制程工藝，并和合作伙伴一起研發(fā)技術(shù)難度最高的玻璃鉆孔（TGV）制程，還需要 2-3 年才能投入量產(chǎn)。楊柱祥表示群創(chuàng)的 FOPLP 技術(shù)已 " 準(zhǔn)備好量產(chǎn)了 "，會(huì)從中低端產(chǎn)品入局，未來再逐步擴(kuò)展到中高端產(chǎn)品。

發(fā)表于：2024/8/7

是德科技推出 System Designer 和 Chiplet PHY Designer

　　是德科技（Keysight Technologies, Inc.）宣布推出 System Designer for PCIe®，這是其先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng) （ADS）軟件套件中的一款新產(chǎn)品，支持基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的仿真工作流程，可用于仿真高速、高頻的數(shù)字設(shè)計(jì)。System Designer for PCIe 是一種智能的設(shè)計(jì)環(huán)境，用于對(duì)最新的 PCIe Gen5 和 Gen6 系統(tǒng)進(jìn)行建模和仿真。是德科技還在改進(jìn)其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化平臺(tái)，通過為現(xiàn)有的 Chiplet PHY Designer 工具增加新功能，評(píng)估 Chiplet 中芯片到芯片的鏈路裕度性能，并對(duì)電壓傳遞函數(shù) （VTF）是否符合相關(guān)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)量。

發(fā)表于：2024/8/6

攀登勇者，志在巔峰 | 中微公司二十載風(fēng)華正茂，臨港基地落成共啟新篇章

　　中國(guó)上海，2024年8月2日——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）今日迎來成立20周年紀(jì)念日，并于臨港產(chǎn)業(yè)化基地隆重舉行“20周年盛會(huì)華章暨臨港基地落成慶典”。上海市委常委、臨港新片區(qū)黨工委書記、管委會(huì)主任陳金山等各級(jí)相關(guān)政府領(lǐng)導(dǎo)、行業(yè)合作伙伴、股東代表等約800人出席活動(dòng)，共同見證了這一具有深遠(yuǎn)意義的重要時(shí)刻。臨港產(chǎn)業(yè)化基地的正式投入使用，為中微公司風(fēng)華正茂二十載的發(fā)展歷程再添輝煌一筆，為未來的加速發(fā)展注入新的活力和動(dòng)力，也為不斷攀登巔峰的征程開啟了新篇章。

發(fā)表于：2024/8/6

臺(tái)積電2025年5nm和3nm制程漲價(jià)3%~5%

臺(tái)積電2025年5nm和3nm制程漲價(jià)3%~5%，已于7月通知客戶

發(fā)表于：2024/8/6

俄羅斯目前僅有5臺(tái)老式ASML光刻機(jī)

8月1日消息，自俄烏沖突爆發(fā)之后，俄羅斯被眾多國(guó)家和地區(qū)制裁，導(dǎo)致各種半導(dǎo)體芯片及設(shè)備的進(jìn)口都受到了限制。這也迫使俄羅斯加大了對(duì)于自研、本土制造芯片的投入，但依然會(huì)面臨設(shè)備、材料等很多方面的瓶頸。不過，據(jù)外媒《The Insider》報(bào)導(dǎo)，俄羅斯目前仍然可以通過一些途徑從中國(guó)臺(tái)灣進(jìn)口半導(dǎo)體硅片等產(chǎn)品，這些是制造芯片所必須的原材料。

發(fā)表于：2024/8/6

imec Si MOS量子點(diǎn)制造實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的低電荷噪聲

近日，比利時(shí)微電子研究中心（imec）宣布成功演示了高質(zhì)量 300 毫米硅基量子點(diǎn)自旋量子比特處理，該設(shè)備在 1Hz 時(shí)產(chǎn)生具有統(tǒng)計(jì)意義的平均電荷噪聲 0.6µeV/√ Hz。就噪聲性能而言，所獲得的值是在 300 毫米晶圓廠兼容平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)的最低電荷噪聲值。如此低的噪聲值可實(shí)現(xiàn)高保真量子比特控制，因?yàn)榻档驮肼晫?duì)于保持量子相干性和高保真控制至關(guān)重要。通過在 300 毫米 Si MOS 量子點(diǎn)工藝上反復(fù)且可重復(fù)地演示這些值，這項(xiàng)工作使基于硅基量子點(diǎn)的大規(guī)模量子計(jì)算機(jī)成為現(xiàn)實(shí)。

發(fā)表于：2024/8/6

安森美8英寸碳化硅晶圓將進(jìn)行資格認(rèn)證

8月6日消息，圖像傳感器及功率半導(dǎo)體大廠安森美（Onsemi）近日宣布，將于今年晚些時(shí)候?qū)?00毫米（8英寸）碳化硅晶圓進(jìn)行認(rèn)證，并于2025年投產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/8/6

中國(guó)新公司的涌現(xiàn)速度超過了美國(guó)禁令所能打擊的速度

發(fā)表于：2024/8/6

極氪首位人形機(jī)器人員工上崗

8月5日消息，優(yōu)必選科技近日宣布與吉利和天奇股份建立戰(zhàn)略合作關(guān)系。三方將利用各自的優(yōu)勢(shì)資源，共同推動(dòng)人形機(jī)器人在汽車及零部件智能制造領(lǐng)域的應(yīng)用，并聯(lián)合創(chuàng)建創(chuàng)新示范項(xiàng)目

發(fā)表于：2024/8/6

三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄 LPDDR5 內(nèi)存封裝

三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄 LPDDR5 內(nèi)存封裝，較上代厚度減約 9%

發(fā)表于：2024/8/6

SEMI：第二季全球半導(dǎo)體硅片出貨面積環(huán)比增長(zhǎng)7.1%

SEMI：第二季全球半導(dǎo)體硅片出貨面積環(huán)比增長(zhǎng)7.1%，創(chuàng)四個(gè)季度新高

發(fā)表于：2024/8/5

安森美旗下氮化鎵芯片代工廠BelGaN申請(qǐng)破產(chǎn)

8月3日消息，位于比利時(shí)奧德納爾德的氮化鎵（GaN）芯片代工廠BelGaN已申請(qǐng)破產(chǎn)。資料顯示，BelGaN團(tuán)隊(duì)和工廠源于1983年成立的MIETEC，后來該公司被阿爾卡特收購(gòu)，再后來又被AMI Semiconductor收購(gòu)，2008年，該公司又被出售給了安森美半導(dǎo)體，并于2009年開始開發(fā)GaN，致力于成為歐洲領(lǐng)先的6英寸和8英寸氮化鎵汽車半導(dǎo)體代工廠。

發(fā)表于：2024/8/5

SK海力士計(jì)劃在2025年底量產(chǎn)400層NAND Flash

8月3日消息，據(jù)etnews報(bào)道，SK海力士計(jì)劃在2025年上半年量產(chǎn)321層NAND Flash之后，在2025年底開始量產(chǎn)400層NAND Flash，并希望在2026年上半年過渡到大規(guī)模生產(chǎn)。然而，要想量產(chǎn)高達(dá)400層的NAND Flash并不容易，生產(chǎn)過程中需要用到多種鍵合技術(shù)。SK海力士已經(jīng)在審查用于鍵合的新材料，并研究各種技術(shù)，這些技術(shù)將允許通過拋光、蝕刻、沉積和布線等方法連接不同的晶圓。整個(gè)過程需要幾個(gè)步驟，如Cell結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，重點(diǎn)是每層Cell的排列和堆疊。然后通過清洗和沉積SiO2和Si3N4薄膜層來制備硅片。然而，當(dāng)通過大量重復(fù)逐一堆疊層時(shí)，該過程需要細(xì)致地執(zhí)行。

發(fā)表于：2024/8/5

傳臺(tái)積電將收購(gòu)群創(chuàng)5.5代LCD面板廠

8月2日消息，近期市場(chǎng)傳出消息稱，臺(tái)系顯示面板大廠群創(chuàng)去年關(guān)閉的5.5代LCD面板廠——臺(tái)南四廠即將被臺(tái)積電收購(gòu)，目的是擴(kuò)充CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能。

發(fā)表于：2024/8/5