EDA與制造相關(guān)文章 臺積電或?qū)⑤^原計(jì)劃提前采用High NA EUV光刻機(jī) 5月28日消息，根據(jù)wccftech的報道，雖然此前臺積電公開表示其路線圖上的最尖端制程A16仍將不會采用High NA EUV光刻機(jī)，但是最新的消息顯示，臺積電有可能會修正其既定計(jì)劃，提前導(dǎo)入High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行試驗(yàn)和學(xué)習(xí)。 發(fā)表于：2024/5/29 SK海力士HBM4芯片2026年將帶來6-15億美元以上營收 SK海力士HBM4芯片2026年將帶來6-15億美元以上營收 發(fā)表于：2024/5/29 艾邁斯歐司朗擬對奧地利施泰爾馬克州產(chǎn)能及芯片技術(shù)升級 中國 上海，2024年5月28日——全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，艾邁斯歐司朗正不斷加大對Premst?tten研發(fā)與生產(chǎn)基地的投入力度。艾邁斯歐司朗集團(tuán)首席執(zhí)行官兼董事會主席Aldo Kamper與奧地利聯(lián)邦部長Martin Kocher、施泰爾馬克州州長Christopher Drexler共同宣布，至2030年，計(jì)劃向Premstätten研發(fā)與生產(chǎn)基地投資高達(dá)5.88億歐元。同時，依據(jù)《歐洲芯片法案》，艾邁斯歐司朗已申請最高2億歐元的資金支持，該申請目前已處于預(yù)通知階段，并已提交歐盟委員會審批。此次投資旨在進(jìn)一步增強(qiáng)奧地利半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍地位，預(yù)計(jì)在未來幾年內(nèi)創(chuàng)造250個就業(yè)崗位。 發(fā)表于：2024/5/28 美光計(jì)劃投資逾50億美元在日建廠 美光計(jì)劃投資逾50億美元在日建廠 最快2027年投入運(yùn)營 發(fā)表于：2024/5/28 被蘋果踢出蘋果供應(yīng)鏈：超30年歷史晶圓廠面臨出售關(guān)閉 被蘋果踢出蘋果供應(yīng)鏈：超30年歷史晶圓廠面臨出售關(guān)閉 發(fā)表于：2024/5/28 英偉達(dá)將提前導(dǎo)入FOPLP封裝技術(shù) 英偉達(dá)將提前導(dǎo)入FOPLP封裝技術(shù)：2025年應(yīng)用于GB200 發(fā)表于：2024/5/27 三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試 三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試，“正改善質(zhì)量” 發(fā)表于：2024/5/27 美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金 美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金 發(fā)表于：2024/5/27 俄羅斯成功制造出首臺350nm光刻機(jī) 歐美封堵無效！俄羅斯光刻機(jī)亮相：可生產(chǎn)350nm芯片 7nm也會拿下 發(fā)表于：2024/5/27 消息稱谷歌與臺積電合作開發(fā)首款完全定制芯片Tensor G5 消息稱谷歌正與臺積電合作開發(fā)“首款完全定制芯片”Tensor G5，將用于 Pixel 10 手機(jī) 發(fā)表于：2024/5/27 消息稱英偉達(dá)首款Windows on Arm處理器將采用英特爾3nm工藝 消息稱英偉達(dá)首款 Windows on Arm 處理器將采用英特爾 3nm 工藝 發(fā)表于：2024/5/27 玻璃基板企業(yè)Absolics將獲美芯片法案至多7500萬美元補(bǔ)貼 材料領(lǐng)域首家，玻璃基板企業(yè) Absolics 將獲美《芯片法案》至多 7500 萬美元補(bǔ)貼 發(fā)表于：2024/5/27 Rapidus確認(rèn)將在2nm采用0.33NA EUV光刻機(jī) Rapidus 確認(rèn)將在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻機(jī)，已規(guī)劃未來 1.4nm 節(jié)點(diǎn) 5 月 27 日消息，Rapidus 美國子公司 Rapidus Design Solutions 負(fù)責(zé)人亨利?理查德（Henri Richard）近日表示，Rapidus 的首代工藝將不采用 High NA EUV 光刻機(jī)。 發(fā)表于：2024/5/27 韓國政府斥資26萬億韓元扶持芯片產(chǎn)業(yè) 韓國政府斥資 26 萬億韓元扶持芯片產(chǎn)業(yè)，三星、SK 海力士成受益者 發(fā)表于：2024/5/24 臺積電：2nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利 2025下半年推出N3X、N2 制程 臺積電：2nm 節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利，2025 下半年推出 N3X、N2 制程 發(fā)表于：2024/5/24 ?…48495051525354555657…?
