11月25日消息，近日，長鑫存儲(chǔ)正式發(fā)布最新的DDR5和LPDDR5X產(chǎn)品，挑戰(zhàn)韓美先進(jìn)存儲(chǔ)大廠。

據(jù)長鑫介紹，最新DDR5系列最高速率達(dá)8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，均達(dá)到國際領(lǐng)先水平，并同步推出覆蓋服務(wù)器、工作站及個(gè)人電腦全領(lǐng)域的七大模組產(chǎn)品。

此外，長鑫還展示了上個(gè)月已經(jīng)發(fā)布的LPDDR5X產(chǎn)品。該系列針移動(dòng)市場旗艦產(chǎn)品，最高速率 10667Mbps，最高顆粒容量 16Gb，并涵蓋 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多種封裝解決方案。

今年稍早時(shí)，市場曾出現(xiàn)由中國企業(yè)生產(chǎn)的少量DDR5內(nèi)存，但這次是長鑫存儲(chǔ)作為代表，首度正式展示實(shí)際產(chǎn)品。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指出，長鑫存儲(chǔ)展示內(nèi)存性能值得關(guān)注，其DDR5最大速度8000Mbps，比上一代產(chǎn)品（6400 Mbps）提升25%，在技術(shù)路線上至少已追上韓國公司。 業(yè)界人士認(rèn)為，長鑫存儲(chǔ)的性能足以應(yīng)用于搭載最先進(jìn)CPU的服務(wù)器。

根據(jù)韓媒 Business Korea引述日經(jīng)及研調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)，長鑫存儲(chǔ)第三季DRAM市占率達(dá)8%，排名第四。 在NAND部分，長江存儲(chǔ)第三季度市占率為13%。

由于美國封鎖EUV等關(guān)鍵設(shè)備出口中國，使得中國擴(kuò)張腳步放緩，但與韓國在通用DRAM市場的技術(shù)差距約不到一年。

韓媒認(rèn)為，隨著2030年迎來3D DRAM時(shí)代，競爭關(guān)系可能又會(huì)出現(xiàn)變數(shù)。3D DRAM是將內(nèi)存單元向上堆疊的產(chǎn)品，當(dāng)3D DRAM時(shí)代來臨時(shí)，對(duì)EUV光刻設(shè)備的需求將下降，這可能成為中國企業(yè)超車的機(jī)會(huì)。

首爾大學(xué)材料科學(xué)與工程系Hwang Cheol-seong教授表示，單看內(nèi)存技術(shù)水平，韓國與中國的差距幾乎已經(jīng)消失。 當(dāng)不需要EUV光刻設(shè)備的3D DRAM時(shí)代在五年后到來時(shí)，中國將進(jìn)一步崛起。