10月23日消息，三星電子在SEDEX 2025上宣布，計(jì)劃將鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術(shù)應(yīng)用于NAND Flash閃存生產(chǎn)上。這一舉動(dòng)被解讀為三星為應(yīng)對人工智能（AI）芯片對更大容量NAND Flash閃存的需求所做的準(zhǔn)備。不過，這是一項(xiàng)技術(shù)屬于未來技術(shù)，實(shí)際應(yīng)用仍需時(shí)間。

三星電子DS部門技術(shù)長Song Jae-hyuk在SEDEX 2025主題演講時(shí)表示，三星目前正致力于技術(shù)創(chuàng)新，目標(biāo)是在晶體管必須堆疊的單位面積內(nèi)，實(shí)現(xiàn)客戶所期望的性能和功率。當(dāng)中，F(xiàn)inFET技術(shù)正是這項(xiàng)創(chuàng)新戰(zhàn)略的核心之一。FinFET是一種3D結(jié)構(gòu)的制程技術(shù)，由于其結(jié)構(gòu)類似魚鰭（Fin），因此得名FinFET。其三星導(dǎo)入該技術(shù)的主要目的，就是為了克服傳統(tǒng)平面（2D）結(jié)構(gòu)的限制。

目前，F(xiàn)inFET主要應(yīng)用于邏輯晶圓制造領(lǐng)域。這次三星宣布將FinFET應(yīng)用于NAND Flash閃存的計(jì)劃，是產(chǎn)業(yè)界的首次。而半導(dǎo)體界普遍認(rèn)為，一旦FinFET應(yīng)用于NAND Flash閃存，與現(xiàn)有的閃存相較，密集度（Integration density）將大幅提升。而且，在密集度越高的情況下，就能夠在越小的空間內(nèi)能容納越多的元件，進(jìn)一步顯著提高性能。

三星指出，高密集度帶來的優(yōu)勢涵蓋多個(gè)方面，包括：信號(hào)傳輸速度更快、容量更高、功耗降低、芯片尺寸縮小，這也意味著NAND Flash在性能、能效、容量提升的同時(shí)，可以更有效地利用空間。