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臺(tái)積電歐洲首座晶圓廠將在德國動(dòng)工
發(fā)表于：2024/8/19 9:21:17
Agile Analog宣布已成功在格芯兩大工藝上提供可定制的模擬IP
發(fā)表于：2024/7/26 8:30:00
Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片
發(fā)表于：2024/2/22 20:49:00
新思科技攜手是德科技、Ansys推出先進(jìn) N4P工藝全新參考流程
發(fā)表于：2023/10/30 16:22:55
10Gbps！全球最強(qiáng)LPDDR5/5X IP成功量產(chǎn)
發(fā)表于：2022/6/23 21:36:23
5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能
發(fā)表于：2022/5/5 23:03:00
Arasan宣布為格芯12nm FinFET工藝節(jié)點(diǎn)提供MIPI D-PHY(SM) IP
發(fā)表于：2022/3/9 20:17:21
英特爾展示多項(xiàng)技術(shù)突破，推動(dòng)摩爾定律超越2025
發(fā)表于：2021/12/13 21:27:52
三星推新工藝，將FinFET帶到28nm，首攻CIS堆疊？
發(fā)表于：2021/10/8 9:47:21
Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET
發(fā)表于：2021/1/25 20:33:00
FinFET器件結(jié)構(gòu)發(fā)展綜述
發(fā)表于：2021/1/14 9:23:00
臺(tái)積電3納米今年試產(chǎn)！與5nm、7nm 100% IP 兼容！
發(fā)表于：2021/1/7 12:43:17
IP全國產(chǎn)邁出關(guān)鍵一步，TSMC FinFET N+1芯片問市
發(fā)表于：2020/10/12 22:49:24
臺(tái)積電2nm工藝獲重大突破！
發(fā)表于：2020/9/23 15:14:23
FinFET壽終正寢！臺(tái)積電2nm GAA工藝結(jié)束路徑探索階段
發(fā)表于：2020/9/23 6:27:30
臺(tái)積電的GAA-FET什么時(shí)候到來？
發(fā)表于：2020/8/27 13:24:15
中國臺(tái)灣：臺(tái)積電2nm大突破
發(fā)表于：2020/7/14 7:54:00
英特爾5nm制程電晶體面臨瓶頸，或棄用 FinFET專用GAA環(huán)繞柵極電晶體？
發(fā)表于：2020/3/16 16:20:24
先不上GAA晶體管臺(tái)積電第一代3nm工藝將繼續(xù)用FinFET技術(shù)
發(fā)表于：2020/3/8 6:00:00
英特爾原總裁推動(dòng)力ARM架構(gòu)服務(wù)器CPU，Ampere勝算幾何
發(fā)表于：2020/3/5 20:56:19
格芯成功研發(fā)22FDX技術(shù),能讓英特爾、三星等行業(yè)巨頭研究多年的eMRAM究竟有何魅力？
發(fā)表于：2020/2/28 19:04:09
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發(fā)表于：2020/2/28 19:04:09
3nm、5nm制程：復(fù)雜且昂貴的爭奪戰(zhàn)（一）
發(fā)表于：2020/2/6 16:49:22
中芯國際發(fā)布一季度財(cái)報(bào) FinFET研發(fā)進(jìn)展順利
發(fā)表于：2019/5/9 14:46:24
英特爾3D封裝技術(shù)深度解讀
發(fā)表于：2019/1/24 20:22:24
格芯全資子公司Avera Semi正式成立
發(fā)表于：2018/11/1 9:32:22
臺(tái)積電宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點(diǎn)的首個(gè)時(shí)間表
發(fā)表于：2018/11/1 2:17:42
一張中國半導(dǎo)體工藝發(fā)展史上值得紀(jì)念的照片
發(fā)表于：2018/8/15 16:20:00
中芯國際：14納米FinFET制程已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段
發(fā)表于：2018/8/15 16:14:12
中芯國際14nm Finfet工藝研發(fā)完成，試產(chǎn)率可達(dá)95%
發(fā)表于：2018/6/15 16:46:22

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