晶圓代工龍頭臺(tái)積電位于南科的3 納米新廠于去年11 月底上梁，締造另一個(gè)先進(jìn)制程里程碑。設(shè)備供應(yīng)鏈近日透露，臺(tái)積電3 納米新廠規(guī)劃在今年7~8 月開(kāi)廠，相關(guān)供應(yīng)商須在今年中以前備妥機(jī)臺(tái)、準(zhǔn)備進(jìn)機(jī)，供應(yīng)鏈透露，3 納米于試產(chǎn)階段（2021 下半年）即有約一個(gè)月2 萬(wàn)至3 萬(wàn)片，量產(chǎn)首年平均月產(chǎn)能約5.5 萬(wàn)片，到了2023 年以后，將達(dá)到10.5 萬(wàn)片。
根據(jù)臺(tái)積電先前表示，3 納米預(yù)計(jì)2022 下半年量產(chǎn)，當(dāng)年產(chǎn)能預(yù)估將超過(guò)60 萬(wàn)片12 吋晶圓。供應(yīng)鏈透露，目前3 納米準(zhǔn)備離開(kāi)RD 階段、進(jìn)入mini-line，一如往常，將由蘋(píng)果搶下頭香，臺(tái)積電也火力全開(kāi)大力支持。而AMD也有望隨后跟上，且英特爾也有合作方案在進(jìn)行。
供應(yīng)鏈亦透露，3 納米制程將依循7 納米（7 納米、7 納米加強(qiáng)版、6 納米）、5 納米（5 納米、5 納米加強(qiáng)版、4 納米）的「家族模式」，客戶(hù)在同一制程節(jié)點(diǎn)可沿用既有設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)，達(dá)到100% 的IP 兼容，可加速產(chǎn)品創(chuàng)新及上市速度。目前臺(tái)積電也在規(guī)劃2.5 納米（或稱(chēng)3+）制程，推估2023下半年量產(chǎn)。
業(yè)界人士表示，3 納米對(duì)臺(tái)韓晶圓代工雙雄來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵一役，兩強(qiáng)戰(zhàn)術(shù)大不相同。三星將直接采用GAA（環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)），而臺(tái)積電3 納米則選擇沿用FINFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）架構(gòu)，到了2 納米才導(dǎo)入GAA技術(shù)為基礎(chǔ)的MBCFET 架構(gòu)，他認(rèn)為，在既有架構(gòu)上求突破，以減少制程變動(dòng)，相對(duì)具備成本效益。
他進(jìn)一步指出，3 納米雖然沿用FINFET，但技術(shù)層次、投資金額均較過(guò)去高出許多，挑戰(zhàn)也不小，因此臺(tái)積電在產(chǎn)能規(guī)劃也比5納米更為積極，除反映出大客戶(hù)需求旺盛外，也希望客戶(hù)可以在3 納米世代停留久一些，為下一代2 納米做好充足準(zhǔn)備。
此外管競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星在努力完善流程，試圖追趕臺(tái)積電，但鑒于目前臺(tái)積電已經(jīng)很好的掌握了EUV并取得了良好的進(jìn)展，這種趨勢(shì)在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)不太可能改變。（參考閱讀：同樣的EUV光刻機(jī)，為什么只有臺(tái)積電能實(shí)現(xiàn)高量產(chǎn)？獨(dú)門(mén)絕技：一萬(wàn)片晶圓落塵數(shù)只有幾顆?。?/p>
業(yè)內(nèi)消息人士指出，臺(tái)積電目前提供的5nm制程之后的大規(guī)模制程的生產(chǎn)路線圖被認(rèn)為如下：（注：在5nm +和3nm之間，計(jì)劃插入4nm工藝，作為第三代5nm工藝，但是批量生產(chǎn)時(shí)間未知。）
5nm：2020年開(kāi)始量產(chǎn)（在臺(tái)南最先進(jìn)的“ Fab 18”工廠生產(chǎn)）
5nm+：計(jì)劃于2021年開(kāi)始批量生產(chǎn)
3nm：計(jì)劃于2022年開(kāi)始批量生產(chǎn)（臺(tái)南工廠建成，設(shè)備于2021年投入生產(chǎn)，風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)計(jì)劃開(kāi)始）
3nm+：計(jì)劃于2023年開(kāi)始批量生產(chǎn)
2nm：計(jì)劃于2024年開(kāi)始批量生產(chǎn)（工藝開(kāi)發(fā)，新竹工廠建設(shè)，風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)計(jì)劃于2023年開(kāi)始）
1nm：正在研發(fā)中（在新竹總部附近，一個(gè)名為“ TSMC的貝爾實(shí)驗(yàn)室”的大型研發(fā)中心正在建設(shè)中。）