臺積電沖刺先進(jìn)制程，在2納米研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入GAA（環(huán)繞閘極）技術(shù)，為臺積電發(fā)展鰭式場效電晶體（FinFET）取得全球絕對領(lǐng)先地位之后，邁向另一全新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。盡管勁敵三星已早一步切入GAA，臺積電仍有信心以2納米切入GAA技術(shù)，在全球晶圓代工市場持續(xù)維持絕對領(lǐng)先地位。
   

    這是臺積電繼去年9月正式對外宣告投入2納米技術(shù)研發(fā)之后，在2納米技術(shù)的重大進(jìn)展，凸顯臺積電強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，預(yù)料臺積電最快會在下月舉行的技術(shù)論壇，宣告這項重大的技術(shù)成果。臺積電并未對此評論。
    臺積電3納米預(yù)定明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以此推斷，臺積電2納米推出時間將落在2023年到2024年間。
臺積電在今年4月法說會時，宣布3納米仍會沿用FinFET技術(shù)，主要考量是客戶在導(dǎo)入5納米制程后，采用同樣的設(shè)計即可導(dǎo)入3納米制程，可以持續(xù)帶給客戶有成本競爭力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品。
    不過，面對三星已決定在3納米率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超車臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2納米研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑，臺積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入，為臺積電在先進(jìn)技術(shù)布局，做了重大的貢獻(xiàn)。
羅唯仁目前是臺積電最資深的副總經(jīng)理，原本計劃在三年前退休，被董事會慰留，持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)臺積電研發(fā)向前沖刺。
    雖然臺積電對此刻意保持低調(diào)，也未宣布2納米將采用何種制程技術(shù)。不過，臺積電供應(yīng)鍵透露，由于FinFET在3納米以下即會碰到瓶頸，因此臺積電選擇切入GAA技制，腳步雖比三星晚，但臺積電有信心會領(lǐng)先競爭對手，持續(xù)站稱全球晶圓代工龍頭地位。
    臺積電目前集重兵在5納米制程與三星決戰(zhàn)，從客戶端導(dǎo)入5納米制程塞爆臺積電產(chǎn)能，再次驗證臺積電先進(jìn)制程再度成功完封三星，獨(dú)攬?zhí)O果新世代A14處理器代工大單，未來3納米即使沿用FinFET技術(shù)，仍以優(yōu)越的成本優(yōu)勢，獨(dú)家為蘋果代工生產(chǎn)A15處理器。