臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程，在2納米研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入GAA（環(huán)繞閘極）技術(shù)，為臺(tái)積電發(fā)展鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）取得全球絕對(duì)領(lǐng)先地位之后，邁向另一全新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。盡管勁敵三星已早一步切入GAA，臺(tái)積電仍有信心以2納米切入GAA技術(shù)，在全球晶圓代工市場(chǎng)持續(xù)維持絕對(duì)領(lǐng)先地位。
   

    這是臺(tái)積電繼去年9月正式對(duì)外宣告投入2納米技術(shù)研發(fā)之后，在2納米技術(shù)的重大進(jìn)展，凸顯臺(tái)積電強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，預(yù)料臺(tái)積電最快會(huì)在下月舉行的技術(shù)論壇，宣告這項(xiàng)重大的技術(shù)成果。臺(tái)積電并未對(duì)此評(píng)論。
    臺(tái)積電3納米預(yù)定明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以此推斷，臺(tái)積電2納米推出時(shí)間將落在2023年到2024年間。
臺(tái)積電在今年4月法說會(huì)時(shí)，宣布3納米仍會(huì)沿用FinFET技術(shù)，主要考量是客戶在導(dǎo)入5納米制程后，采用同樣的設(shè)計(jì)即可導(dǎo)入3納米制程，可以持續(xù)帶給客戶有成本競(jìng)爭(zhēng)力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品。
    不過，面對(duì)三星已決定在3納米率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超車臺(tái)積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2納米研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑，臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入，為臺(tái)積電在先進(jìn)技術(shù)布局，做了重大的貢獻(xiàn)。
羅唯仁目前是臺(tái)積電最資深的副總經(jīng)理，原本計(jì)劃在三年前退休，被董事會(huì)慰留，持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)臺(tái)積電研發(fā)向前沖刺。
    雖然臺(tái)積電對(duì)此刻意保持低調(diào)，也未宣布2納米將采用何種制程技術(shù)。不過，臺(tái)積電供應(yīng)鍵透露，由于FinFET在3納米以下即會(huì)碰到瓶頸，因此臺(tái)積電選擇切入GAA技制，腳步雖比三星晚，但臺(tái)積電有信心會(huì)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，持續(xù)站稱全球晶圓代工龍頭地位。
    臺(tái)積電目前集重兵在5納米制程與三星決戰(zhàn)，從客戶端導(dǎo)入5納米制程塞爆臺(tái)積電產(chǎn)能，再次驗(yàn)證臺(tái)積電先進(jìn)制程再度成功完封三星，獨(dú)攬?zhí)O果新世代A14處理器代工大單，未來3納米即使沿用FinFET技術(shù)，仍以優(yōu)越的成本優(yōu)勢(shì)，獨(dú)家為蘋果代工生產(chǎn)A15處理器。