GAA 相關(guān)文章(19篇)
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傳美國將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:00
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三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%
發(fā)表于：2024/3/26 8:59:23
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基于GAA晶體管的3nm制程也正式開啟了新的晶體管時(shí)代
發(fā)表于：2022/8/20 21:37:28
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三星3nm芯片明日量產(chǎn)！GAA技術(shù)功耗爆降50%
發(fā)表于：2022/6/29 19:14:08
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消息稱三星成功突破低良率難關(guān)，3nm GAA制程如期量產(chǎn)
發(fā)表于：2022/5/13 12:54:09
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三星陷入良率困境，3nm的GAA工藝，成了翻身機(jī)會(huì)
發(fā)表于：2022/3/21 16:58:19
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三星3nm工廠即將動(dòng)工，首發(fā)GAA工藝功耗直降50%
發(fā)表于：2022/3/13 9:54:32
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英特爾關(guān)鍵技術(shù)新突破：互連密度提升10倍、晶體管微縮提升50%！臺(tái)積電、三星將面臨新挑戰(zhàn)！
發(fā)表于：2021/12/22 16:03:07
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三星 3nm GAA 和 2nm 量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)曝光
發(fā)表于：2021/10/9 14:50:10
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摩爾定律是否到頂，進(jìn)一步了解GAA芯片技術(shù)
發(fā)表于：2020/11/19 6:22:21
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FinFET壽終正寢！臺(tái)積電2nm GAA工藝結(jié)束路徑探索階段
發(fā)表于：2020/9/23 6:27:30
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芯片代工決戰(zhàn)先進(jìn)制程，臺(tái)積電2nm為何一馬當(dāng)先？
發(fā)表于：2020/7/24 16:21:22
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中國臺(tái)灣：臺(tái)積電2nm大突破
發(fā)表于：2020/7/14 7:54:00
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臺(tái)積電 2nm 制程研發(fā)取得突破，將切入 GAA 技術(shù)
發(fā)表于：2020/7/13 15:28:32
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英特爾5nm制程電晶體面臨瓶頸，或棄用 FinFET專用GAA環(huán)繞柵極電晶體？
發(fā)表于：2020/3/16 16:20:24
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臺(tái)積電三星激戰(zhàn)的3nm，會(huì)是先進(jìn)制程關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)嗎
發(fā)表于：2020/3/11 6:00:00
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3nm、5nm制程：復(fù)雜且昂貴的爭(zhēng)奪戰(zhàn)（一）
發(fā)表于：2020/2/6 16:49:22
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全新GAA技術(shù)是否能成為突破5nm的利器？
發(fā)表于：2019/7/1 12:15:31
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摩爾定律到底還能走多遠(yuǎn)？
發(fā)表于：2018/5/31 5:05:00
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