6月29日消息，外媒BusinessKorea報道稱，三星電子將在6月30日開始批量生產3nm芯片，搶先臺積電實現(xiàn)大規(guī)模量產。三星3nm工藝基于先進的GAA全環(huán)繞柵極晶體管技術，相比臺積電的FinFET鰭式場效應晶體管技術更為先進，三星能否借此一舉趕超臺積電呢？
（圖源：三星官方）
很早之前，三星就表示會在今年第二季度量產3nm芯片，終于是趕在最后一天投產了，時間上比臺積電早一個季度左右。另外，三星還是首家使用GAA晶體管技術的半導體公司，在技術上同樣領先臺積電。三星3nm工藝如果能達到預期的表現(xiàn)，理論性能應該是要比臺積電3nm更強幾分的。
按照官方介紹，基于GAA技術的3nm工藝，與7nm工藝相比芯片邏輯面積減少45％，功耗降低50％，性能提高約35％，而且能在極低的電壓下穩(wěn)定運行，紙面參數(shù)強于臺積電3nm。韓國分析師近日爆料稱，三星3nm工藝的良品率遠高于市場預期，新增客戶速度也相當快。盡管不清楚良品率具體有多高，但表現(xiàn)應該是較為理想，很值得期待。
（圖源：三星官方）
據(jù)了解，高通、AMD等廠商因為無法獲得臺積電3nm工藝的首批產能，已經轉頭選擇三星，成為三星3nm工藝的客戶。在此推動下，三星晶圓代工業(yè)務有望增長40％，市場份額超過25％，能從臺積電那邊爭奪更大的市場蛋糕。
臺積電3nm工藝量產時間雖然慢一些，但明顯更加可靠。中國臺灣電子時報消息稱，AMD、蘋果、英特爾、聯(lián)發(fā)科等一眾客戶，都在排隊等待臺積電3nm工藝的產能，預計在第四季度左右量產。臺積電準備了4波產能，第一波應該已經被蘋果包圓了，后面三波才會陸續(xù)分給英特爾、AMD、聯(lián)發(fā)科、高通等客戶。
目前，臺積電3nm工藝的試產進度比較順利，第一波月產能大約為2．5萬片晶圓，蘋果M2系列芯片應該會首發(fā)臺積電3nm工藝。后續(xù)，英特爾新一代處理器、AMD和聯(lián)發(fā)科下一代芯片也會用上3nm工藝。
一直以來，三星的制程工藝都被臺積電壓過一頭，市場份額不斷被稀釋。所以，三星選擇押寶3nm工藝，想要彎道超車追上臺積電，在先進工藝領域擁有更多話語權。從目前來看，三星確實有這個潛力，希望量產芯片的表現(xiàn)能帶給行業(yè)一些驚喜吧。
