在10月7日的舉行的“三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum）2021”活動上，三星披露了代工業(yè)務技術路線圖。除了全新的17nm工藝，還宣布將于2022年上半年量產3nm工藝，更先進的2nm工藝將于2025年量產。

　　在先進晶圓代工市場，英特爾雖然高調殺入，但趕上第一集團仍需時日。作為當前唯一一家能與臺積電分庭抗禮的廠家，三星此舉極具進攻性。

　　三星晶圓代工部門總裁Choi Si-young表示：新冠疫情加速數(shù)字化，三星的客戶和伙伴將得以在適當時機提供適當技術，開發(fā)硅應用的無限潛力?！拔覀儗⑷嫣峁┲圃飚a能，在最先進的技術方面維持領先，持續(xù)在應用層面精進技術。”

　　推出全新17nm工藝

　　在此次論壇上，三星宣布推出了全新的17LPV工藝，即Low Power Value的17nm工藝。

　　實際上，17LPV工藝就是28nm工藝的演進版，其融合了28nm BEOL后端工序、14nm FEOL前端工序，也就是在28nm節(jié)點的基礎上，加入了14nm FinFET立體晶體管，只需不高的成本，就能享受后者的能效優(yōu)勢。

　　三星稱，17LPV工藝相比傳統(tǒng)28nm，芯片面積可縮小43%，可以帶來39%的性能提升或者49%的功耗降低。

　　三星17LPV工藝的量產時間沒有說，但三星已經宣布第一個服務對象是ISP圖像信號處理器，屬于三星自家的CMOS傳感器產品線。

　　此外，三星還打造了14nm LPU工藝，即Low Power Ultimate，但并未透露詳情，可能也是28nm BEOL加上14nm FEOL。

　　2022年量產3nm

　　FinFET晶體管結構潛力幾乎已經被挖掘殆盡，為了在半導體工藝工藝上追趕上臺積電，三星在3nm工藝的研發(fā)當中就率先引入了全新的GAA（Gate-all-around，環(huán)繞柵極）技術，并計劃于2021年下半年領先臺積電量產3nm。

　　雖然在今年上半年，三星宣布其3nm GAA工藝已成功流片（Tape Out），但是在三星代工論壇活動上，三星表示轉移到全新的GAA技術難度很高，3nm工藝將推遲到2022年上半年量產。三星的3nm工藝上還分為兩個版本，其中3GAE（低功耗版）將在2022年年初投入量產，3GAP（高性能版）則會在2023年年初批量生產。

　　對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%，同功耗下性能提高30%，同性能下功耗降低50%。

　　2nm工藝或在2025年量產

　　2nm工藝沒有出現(xiàn)在公開路線圖上，但是三星代工市場策略高級副總裁MoonSoo Kang透露，2GAP工藝會在2025年量產。

　　這是三星第一次透露2nm工藝的規(guī)劃，但三星也警告說，新工藝進度還要看客戶的規(guī)劃和部署，所以我們推測，2026年可能是見到三星2nm工藝產品上市的更合理時間。

　　臺積電方面的2nm工藝有望在2024年量產，領先三星一年左右。