3 月 5 日消息，消息源 @Kurnalsalts 攜手 @SemiAnalysis 昨日（3 月 4 日）在 X 平臺發(fā)布推文，分享了英偉達 GB10 芯片的 Die-Shot 圖，并詳細標注相關(guān)細節(jié)。

注：Die-Shot（裸片圖）是指芯片內(nèi)部物理結(jié)構(gòu)的顯微照片或布局圖，用于分析芯片的具體設(shè)計和各區(qū)域面積。

英偉達 GB10 芯片由聯(lián)發(fā)科與英偉達聯(lián)合開發(fā)，其中聯(lián)發(fā)科負責(zé) CPU 芯粒（Chiplet），英偉達貢獻 GPU 芯粒。

值得注意的是，GB10 采用了臺積電的 N3（3nm）工藝，而英偉達現(xiàn)有的其他 Blackwell GPU（如 AI 加速器和 GeForce 顯卡）則主要采用優(yōu)化后的 5nm（4N）工藝。

對比分析揭示了一個反直覺的現(xiàn)象：GB10 芯片中 Blackwell GPU 的部分功能區(qū)域面積，竟比已知的 5nm 版本芯片更大。

具體數(shù)據(jù)顯示，GB10 的整體芯片尺寸為 12.91 x 29.55 毫米，其中 GPU 芯粒尺寸為 12.91 x 13.45 毫米，其頂層的圖形處理集群（GPC）面積增加了 12.5%，紋理處理集群（TPC）增加了 16.7%，流式多處理器（SM）也增大了 13.5%。

理論上，更先進的 3nm 工藝應(yīng)能縮小結(jié)構(gòu)尺寸，為何會出現(xiàn)面積膨脹？分析認為，這可能是物理設(shè)計團隊在遷移工藝時采取了“寬松”策略。降低晶體管密度有助于提高新工藝下的芯片良率，這在制程轉(zhuǎn)換初期是常見做法。此外，GB10 采用了 SM 12.1 架構(gòu)，與 B100/B200 的 SM 10.0/10.3 存在差異，兼容性需求也可能影響了設(shè)計布局。

另一種可能性與性能有關(guān)。更寬松的設(shè)計通常能支持更高的時鐘頻率。雖然 B200 加速器的加速頻率為 2.1 GHz，但 GB10 的 GPU 加速頻率達到了約 2.5 GHz。這種頻率差異以及潛在的散熱需求，或許是導(dǎo)致電路布局改變的關(guān)鍵因素。不過，目前英偉達尚未官方確認具體的設(shè)計變更原因。