三星在2017年前，在芯片代工領(lǐng)域，其實(shí)是排第四名的，臺(tái)積電、格芯、聯(lián)電都比三星強(qiáng)。

后來(lái)三星在2017年時(shí)提了一個(gè)目標(biāo)，那就是要超過(guò)格芯、聯(lián)電、臺(tái)積電，未來(lái)要成為全球芯片代工的第一名。

在2018年時(shí)，三星成功地超過(guò)了格芯、聯(lián)電，排名全球第二，然后三星的目標(biāo)只有一個(gè)，那就是超過(guò)臺(tái)積電。

但時(shí)至今日，三星與臺(tái)積電的差距還是相當(dāng)大的，按照2021Q4的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電的份額為53％，而三星只有17％，臺(tái)積電份額約為三星的3倍。

事實(shí)上，三星這幾年一直在努力，特別是在5nm、4nm時(shí)更是鉚足了勁，還拉攏了高通，意欲與臺(tái)積電爭(zhēng)霸一下。

不過(guò)，或許因?yàn)槿翘庇诔晒α?，所以?nm時(shí)陷入了良率困境，按照媒體的說(shuō)法，三星4nm良率僅為35％，而臺(tái)積電可達(dá)到70％，是三星的兩倍。

而良率低會(huì)造成什么樣的后果？那就是產(chǎn)能太低，成本過(guò)高，35％的率良，意味著生產(chǎn)100塊晶圓，其中只有35塊是正常的，另外的65塊用不得。

所以三星晶圓代工的主要客戶正在流失，比如高通，就決定將驍龍8 Gen1訂單轉(zhuǎn)向臺(tái)積電生產(chǎn)，后續(xù)3nm芯片也全量委托給臺(tái)積電……

對(duì)于三星而言，目前GAA技術(shù)的3nm工藝，成為了三星翻身的機(jī)會(huì)了，如果GAA工藝的3nm表現(xiàn)不給力，那么三星將很難超直臺(tái)積電，如果GAA工藝表現(xiàn)給力，那還是有機(jī)會(huì)的。

GAA技術(shù)真的這么大的魅力？還真的有，詳細(xì)的技術(shù)參數(shù)，我多說(shuō)，我只簡(jiǎn)單地講一下，大家就會(huì)明白了。

所有的芯片，都要進(jìn)行通電，然后進(jìn)行運(yùn)算，而芯片由幾十上百億晶體管構(gòu)成，而耗電分為兩個(gè)部分。

一部分是運(yùn)算本身產(chǎn)生的耗電，叫動(dòng)態(tài)功耗。另外一部分則是CMOS晶體管各種泄露電流產(chǎn)生的靜態(tài)功耗（又稱漏電流功耗）。別小看了漏電，在芯片中，這個(gè)漏電功耗其實(shí)比動(dòng)態(tài)功耗更大。

而GAA技術(shù)，相比于之前的FinFET技術(shù)，加到晶體管上的電壓變小，這樣導(dǎo)致漏電功率也變小。而功耗變小后，這樣芯片的發(fā)熱會(huì)變得更小，芯片的效率更高，性能更棒。

所以如果三星真的在GAA技術(shù)下的3nm上表現(xiàn)給力，那么生產(chǎn)出來(lái)的芯片，功耗小、發(fā)熱少，你覺(jué)得客戶會(huì)不會(huì)選擇？畢竟臺(tái)積電還在使用FinFET，技術(shù)是真的不如GAA技術(shù)的。