8月18日，據(jù)相關(guān)爆料，臺積電3nm(N3)制程將預(yù)計于第三季增加投片量，于第四季度進入量產(chǎn)階段，臺積電3nm采用了鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu)，N3制程采用TSMC FINFLEX 技術(shù)，將3nm家族技術(shù)的PPA進一步提升。
臺積電N3制程將在2022年下半年量產(chǎn)，并于2023年上半年開始貢獻營收。據(jù)悉，今年底蘋果將成為第一家采用臺積電3nm的客戶，首款產(chǎn)品可能是M2 Pro芯片，而明年的iPhone15 Pro的A17處理器，以及M2、M3系列芯片，都會導(dǎo)入臺積電 3nm。
如今在國內(nèi)市場上一說起華為，我們大家都還是比較熟悉的，作為中國第一大的民營科技企業(yè)，華為公司的實力自然是十分雄厚的，最近這幾年，隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，華為公司也終于迎來了快速發(fā)展的時機，除了在移動通訊領(lǐng)域發(fā)展的十分迅猛以外，華為還在智能手機和5G網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域也都取得了非常不錯的成績，就在不少人都為華為感到驕傲的時候，華為卻突然遭到了打擊和制裁!
在國際市場上，自從華為被打壓以后，很多國家的運營商在選擇和華為5G合作的時候都一直態(tài)度搖擺不定，有的甚至還直接將華為5G給排除在外，這也讓華為損失了不少的5G訂單;除此以外，谷歌也直接停止了對華為安卓手機GMS服務(wù)的授權(quán)，這讓華為手機在國際市場上的銷量也下滑了不少，不過好在華為并沒有因此而放棄發(fā)展，反而在國際市場上還越挫越勇!
隨著打壓力度的不斷升級，華為一直以來的芯片合作伙伴臺積電也不再給華為生產(chǎn)海思麒麟芯片了，這直接導(dǎo)致華為的海思麒麟芯片成為了絕唱，要知道對于華為這樣的科技企業(yè)來說，沒有了芯片影響無疑是巨大的，畢竟華為智能手機一年的出貨量就超過了2億部，這也就意味著華為一年就需要2億多枚芯片，而現(xiàn)在芯片短缺已經(jīng)成為了華為發(fā)展的最大問題!
就在很多人都認為芯片封鎖之后，華為在芯片行業(yè)將無法再更進一步的時候。沒想到華為下一代的海思麒麟芯片再次被曝光，這一次華為所研發(fā)的芯片采用的是3nm工藝制程，根據(jù)曝光的名字來看，華為3nm制程工藝的芯片暫時命名為麒麟9010。雖然說華為在芯片代工領(lǐng)域被限制了，但是華為依然還是全球排名前10的芯片設(shè)計企業(yè)，所以華為在芯片設(shè)計領(lǐng)域還擁有著超強的實力，而這一次3nm芯片被曝光，也表明華為一直都沒有停止過在芯片領(lǐng)域的研發(fā)!
雖然在5nm的芯片代工被限制之后，但華為依然還在不斷的對先進工藝的芯片進行研發(fā)，一旦國內(nèi)突破了光刻機等卡脖子技術(shù)以后，那么華為的芯片就將會成功復(fù)活，畢竟現(xiàn)在蘋果、三星、高通以及臺積電都在不斷的研發(fā)3nm乃至更加先進工藝的芯片，所以華為也自然不甘于落后，沒想到華為一直都在時刻準(zhǔn)備著在芯片領(lǐng)域崛起!
綜合來看，華為雖然在芯片代工領(lǐng)域被限制，但是這也依然無法阻擋華為研發(fā)芯片的熱情和進度，而華為3nm芯片研發(fā)成功以后，只要中科院和眾多國產(chǎn)科技企業(yè)不斷努力，在芯片代工領(lǐng)域取得突破以后，那么華為的芯片就可以隨時被生產(chǎn)出來，可以說現(xiàn)在華為時刻為自己的海思麒麟芯片復(fù)活做著相關(guān)的準(zhǔn)備，只要解決了芯片代工的事情，那么華為芯片就能迎來轉(zhuǎn)機，相信要不了多久，芯片“卡脖子”的問題就能得到解決。
三星電子官宣，已開始量產(chǎn)基于GAA晶體管(Gate-All-Around FET，全環(huán)繞柵極)結(jié)構(gòu)的3nm芯片。
與5nm制程相比，3nm制程降低了45%的功耗，提升了23%的性能，并減小了16%的面積。三星電子正在位于首爾南部華城市的晶圓廠生產(chǎn)3nm。這是全球首次采用GAA晶體管結(jié)構(gòu)的芯片，標(biāo)志著芯片制造進入了新的時代。三星電子稱，其GAA晶體管芯片將應(yīng)用于高性能、低功耗計算領(lǐng)域，并計劃擴展到移動處理器。
據(jù)外媒報道，一家中國礦機芯片公司將成為三星電子3nm制程的首位客戶，高通也預(yù)定了三星電子的3nm制程。
三星電子稱，其3nm制程正在使用MBCFET(Multi-Bridge-Channel，多橋通道晶體管)技術(shù)，這是基于GAA晶體管結(jié)構(gòu)的一種技術(shù)。該技術(shù)通過降低供應(yīng)電源水平，提升了芯片電流和功率，首次突破了FinFET晶體管(Fin Field-Effect Transistor，鰭式場效應(yīng)晶體管)的性能限制。
相比于GAA技術(shù)的納米線和納米片通道，三星電子采用的MBCFET技術(shù)具有更寬的通道，具備更高的性能和更好的能效表現(xiàn)。
三星電子的3nm制程將能夠調(diào)整通道寬度，以適應(yīng)更多客戶的需要。三星電子還強調(diào)，其GAA技術(shù)的設(shè)計優(yōu)勢來自于DTCO(設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化)，這能夠幫助提升芯片的PPA(性能、功率、面積)。
和5nm制程相比，三星電子的第一代3nm制程能夠降低45%的功耗，提升了23%的性能，并減小16%的面積。而第二代3nm制程將有進一步的優(yōu)化，將降低50%的功耗，提升30%的性能，降低35%的面積。
此外，三星電子還提到，自2021年第三季度開始，其和Ansys、Cadence、Siemens、Synopsys等SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)合作伙伴一起提供了經(jīng)過驗證的設(shè)計基礎(chǔ)，這幫助三星電子的客戶在短時間內(nèi)完善了它們的產(chǎn)品。
三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負責(zé)人Siyoung Choi稱：“我們將繼續(xù)在具有競爭力的技術(shù)開發(fā)中積極創(chuàng)新，并建立有助于加速技術(shù)成熟的流程。”
據(jù)日經(jīng)亞洲報道，三星電子正在位于韓國首爾南部的華城市生產(chǎn)3nm芯片。
據(jù)外媒報道，三星電子3nm制程的首個客戶是中國挖礦芯片公司，也有消息稱三星電子已收到高通的預(yù)定訂單，高通將隨時能夠采用其3nm工藝。
本月初，三星電子副會長李在镕訪問歐洲，拜訪了包括IMEC(比利時微電子研究中心)和荷蘭光刻機公司ASML在內(nèi)的重要供應(yīng)鏈機構(gòu)和公司。
當(dāng)前，三星電子正在美國德克薩斯州泰勒市投資170億美元，建設(shè)新的先進制程晶圓廠。該工廠計劃于2024年下半年投產(chǎn)，占地超過500萬平方米。三星電子將該晶圓廠和其位于韓國平澤市的晶圓廠并列，將兩處的晶圓廠視作其未來全球半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵。
除了三星電子，臺積電也計劃在今年下半年量產(chǎn)3nm制程(N3工藝)。
不過相比于三星電子的3nm制程，臺積電的N3工藝仍將采用FinFET晶體管結(jié)構(gòu)。此外，臺積電還宣布，將在2025年前量產(chǎn)2nm芯片。
據(jù)悉，臺積電3nm的首批客戶將包括英特爾、蘋果兩大科技巨頭。
結(jié)語：三星率先開啟GAA晶體管時代，先進制程之戰(zhàn)進入白熱化
隨著先進制程不斷演進，先進制程芯片制造的難度不斷增大，這也為三星電子帶來了不少挑戰(zhàn)。此前，三星電子7nm和5nm制程產(chǎn)品均出現(xiàn)良率和功耗問題，使高通等頭部客戶轉(zhuǎn)投臺積電。近幾個月來，三星電子的良率情況曝光和代工業(yè)務(wù)高管人事調(diào)整不斷。
但本次三星電子能夠如期完成3nm制程的量產(chǎn)，或有助于恢復(fù)下游客戶的信心。其基于GAA晶體管的3nm制程也正式開啟了新的晶體管時代。未來，臺積電、三星、英特爾等先進制程玩家的競爭仍將繼續(xù)，這場逼近物理極限的戰(zhàn)爭“硝煙”正濃。
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