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臺積電的GAA-FET什么時(shí)候到來?

2020-08-27
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: 臺積電 FinFET GAA-FET

  在日前舉辦的技術(shù)大會,臺積電方面表示,公司的3nm將繼續(xù)沿用之前的FinFET。那么大家的關(guān)注點(diǎn)就變成了,臺積電的第一代GAA-FET什么時(shí)候?qū)⒌絹恚?/p>

  當(dāng)我們越過22nm到16nm的壁壘時(shí),幾乎所有處于領(lǐng)先地位的主要半導(dǎo)體制造公司都從平面晶體管過渡到FinFET晶體管。FinFET的好處很多,包括更好的驅(qū)動電流和更低的泄漏,更好的可擴(kuò)展性,更快的開關(guān)時(shí)間以及總體上更好的半導(dǎo)體邏輯晶體管選擇。借助FinFET和多此改進(jìn),該技術(shù)已從英特爾的首批22nm產(chǎn)品擴(kuò)展到了我們今年從臺積電合作伙伴那里看到的5nm產(chǎn)品。

  不出所料,在某個(gè)時(shí)候擴(kuò)展FinFET將變得越來越難,因此需要新技術(shù)來幫助繼續(xù)擴(kuò)展。而后FinFET時(shí)代的晶體管技術(shù)的研究以驚人的速度進(jìn)展,并且大多數(shù)注意力已轉(zhuǎn)移到“Gate-All-Around”技術(shù)上,該技術(shù)可提升溝道并允許溝道寬度根據(jù)類型的需要而縮放晶體管在使用中。在晶體管性能控制方面,GAA-FET具有顯著優(yōu)勢。對于大多數(shù)FinFET工藝,代工廠可以提供基于電壓和性能的多種設(shè)計(jì),但GAA-FET設(shè)計(jì)將這些分立的選擇變成了更連續(xù)的東西。您可能會看到這些稱為納米片或納米線的材料。

  可以預(yù)料,與FinFET或平面晶體管相比,GAA-FET設(shè)計(jì)的構(gòu)建要復(fù)雜得多。首次GAA-FET演示于1986年進(jìn)行,而2006年演示了3nm實(shí)施方案。但是,與在客戶可用的制造過程中進(jìn)行大規(guī)模構(gòu)建相比,在實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行構(gòu)建具有不同的復(fù)雜程度。在2018年至2019年的許多技術(shù)半導(dǎo)體會議上,許多設(shè)計(jì)公司和代工廠都討論了GAA-FET或類似設(shè)計(jì)作為其即將推出的產(chǎn)品組合的一部分。

  最值得注意的是,英特爾已經(jīng)提到他們將在未來5年內(nèi)開始使用它,這將使其圍繞5nm-3nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)發(fā)展。

  三星已經(jīng)宣布打算提供其版本的MBC-FET,作為其3nm工藝節(jié)點(diǎn)的一部分,新晶體管預(yù)計(jì)將在2021年下半年投入量產(chǎn)。2019年5月,該公司發(fā)表聲明說,第一個(gè)v0.1版本的3GAE PDK已為客戶做好準(zhǔn)備。一年多以后,我們希望這能如期進(jìn)行。三星的Foundry論壇的2020年版本由于COVID而被推遲,應(yīng)該在今年晚些時(shí)候出現(xiàn)。

  隨著這類晶體管的使用越來越多,我們預(yù)計(jì)可用的薄片寬度范圍以及GAA設(shè)計(jì)中的堆疊層數(shù)都會增加。今年的CEA-Leti在2020年VLSI技術(shù)和電路研討會上展示了一種7層GAA-FET,它使用了專門用于高性能計(jì)算的納米片。

  那么臺積電發(fā)生了什么?作為技術(shù)研討會的一部分,該組織表示,其3nm制程技術(shù)將保留在FinFET上。該公司表示,已經(jīng)對其FinFET技術(shù)進(jìn)行了重大更新,以通過其工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)的另一次迭代實(shí)現(xiàn)性能和漏電擴(kuò)展。臺積電的N3將在FinFET上使用擴(kuò)展和改進(jìn)的版本,以獲取更好的PPA。與N5相比,3nm的性能提高了50%,功耗降低了30%,密度提高了1.7倍。臺積電表示,F(xiàn)inFET的可預(yù)測性將幫助該公司在預(yù)期的時(shí)間表上交付該技術(shù)。

  最后這句話很有說服力。如果他們的FinFET目前已經(jīng)發(fā)展到第三、第四或第五代(取決于代工),他們已經(jīng)能更好地對其控制,但這不是第一代GAA-FET能控制的,為了滿足其大客戶(幾乎所有領(lǐng)先的邏輯芯片)的需求,它必須保持節(jié)奏。話雖如此,如果愿意的話,臺積電將來可能會在其3nm節(jié)點(diǎn)的不同版本上提供GAA-FET,但是與英特爾和薩寧相比,該公司目前尚未對此發(fā)表任何公開聲明。

  與這些技術(shù)一樣,無論摩爾定律走向何方,目標(biāo)都是擴(kuò)大規(guī)模并帶來一些現(xiàn)實(shí)。臺積電的客戶將不得不等到以后,看看GAA-FET是否可以為臺式機(jī)帶來更優(yōu)化的性能。

  

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