2 月 28 日訊，格芯（GlobalFoundries）宣布其已經(jīng)完成了 22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。

　　eMRAM 這種綜合了 RAM 內(nèi)存、NAND 閃存的新型非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，寫入速度則數(shù)千倍于閃存，可以兼做內(nèi)存和硬盤，甚至統(tǒng)一兩者。同時(shí)很關(guān)鍵的是，它對(duì)制造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價(jià)格自然不會(huì)太離譜。

　　事實(shí)上，除了 格芯外，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究 eMRAM。

　　eMRAM 具有許多優(yōu)勢，它不涉及電荷或電流，而是使用磁存儲(chǔ)元件，并依賴于讀取由薄勢壘分隔的兩個(gè)鐵磁膜的磁各向異性。該方法在寫入數(shù)據(jù)之前不需要擦除周期，這意味著更高的性能。此外，可以使用現(xiàn)代工藝技術(shù)生產(chǎn) MRAM，并且具有很高的耐久性。該技術(shù)有一些缺點(diǎn)，最終將通過使用 ReRAM 的制造工藝來解決，但 格芯和三星 Foundry 認(rèn)為 MRAM 在絕大多數(shù)應(yīng)用中都具有巨大潛力。

　　格芯表示，使用其 22FDX 和 eMRAM 工藝技術(shù)生產(chǎn)的測試芯片，在 ECC 關(guān)閉模式下，在 -40°C 到 125°C 的工作溫度下，具有 10 萬個(gè)周期的耐久性和 10 年的數(shù)據(jù)保持能力。此外，公司的 eMRAM 測試產(chǎn)品還可以通過標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試，包括 LTOL(168 小時(shí))、HTOL(500 小時(shí))和 5x 焊料回流，故障率

　　格芯在德國德累斯頓的 Fab1 中使用 22FDX 技術(shù)生產(chǎn)這種芯片。這種差異化 eMRAM 部署在業(yè)界最先進(jìn)的 FDX 平臺(tái)上，在易于集成的 eMRAM 解決方案中提供了高性能 RF，低功耗邏輯和集成電源管理的獨(dú)特組合，使客戶能夠交付新一代的超高性能，低功耗 MCU 的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

　　eMRAM 是一種可擴(kuò)展功能，預(yù)計(jì)將在 FinFET 和未來的 FDX 平臺(tái)上推出，作為公司先進(jìn) eNVM 路線圖的組成部分。格芯位于德國德累斯頓 1 號(hào)晶圓廠的先進(jìn) 300mm 產(chǎn)品線將為 MRAM22FDX 的量產(chǎn)提供支持。

　　此外，格芯的 eMRAM 測試產(chǎn)品還可以通過標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試，包括 LTOL（168 小時(shí)）、HTOL（500 小時(shí)）和 5x 焊料回流，故障率<1ppm，而生產(chǎn)中的的磁抗擾性問題也得到了有效解決。