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中美取消91%的關(guān)稅暫停24%關(guān)稅對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響幾何

據(jù)中國商務(wù)部消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月10日至11日，中美經(jīng)貿(mào)中方牽頭人、國務(wù)院副總理何立峰與美方牽頭人、美國財(cái)政部長貝森特和貿(mào)易代表格里爾在瑞士日內(nèi)瓦舉行中美經(jīng)貿(mào)高層會(huì)談。雙方圍繞落實(shí)今年1月17日中美元首通話重要共識(shí)進(jìn)行了坦誠、深入、具有建設(shè)性的溝通，在經(jīng)貿(mào)領(lǐng)域達(dá)成一系列重要共識(shí)。當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月12日上午9:00，雙方發(fā)布《中美日內(nèi)瓦經(jīng)貿(mào)會(huì)談聯(lián)合聲明》。

發(fā)表于：5/13/2025

中國廠商拿下2024年全球碳化硅襯底市場34.4%份額

5月12日消息，根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告顯示，受2024年汽車和工業(yè)需求走弱，全球碳化硅（SiC）襯底出貨量增長放緩，與此同時(shí)，由于市場競爭加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC襯底產(chǎn)業(yè)營收同比下滑9%至10.4億美元。進(jìn)入2025年，即便SiC襯底市場持續(xù)面臨需求疲軟和供給過剩的雙重壓力，但長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降和半導(dǎo)體元件技術(shù)不斷提升，未來SiC的應(yīng)用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。同時(shí)，激烈的市場競爭將加速企業(yè)整合的力道，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。分析各供應(yīng)商營收市場格局，美國SiC襯底大廠Wolfspeed仍維持第一名，2024年市占率達(dá)33.7%。盡管近年面臨較大的運(yùn)營挑戰(zhàn)，Wolfspeed仍是SiC材料市場最重要的供應(yīng)商，并引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)向8英寸襯底轉(zhuǎn)型。

發(fā)表于：5/13/2025

Rapidus稱2nm米芯片生產(chǎn)速度可達(dá)臺(tái)積電3倍

5 月 11 日消息，日本半導(dǎo)體制造商 Rapidus 于 5 月 1 日發(fā)布新聞稿，社長小池淳義在新聞稿中透露該公司正在與多家美國 AI芯片設(shè)計(jì)企業(yè)進(jìn)行洽談以拓展代工業(yè)務(wù)。目前公司已與 Tenstorrent 等兩家初創(chuàng)企業(yè)簽署了合作備忘錄。

發(fā)表于：5/12/2025

中國存儲(chǔ)芯片廠攪動(dòng)全球價(jià)格戰(zhàn)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是在個(gè)人電腦(PC)和智能手機(jī)等電子設(shè)備內(nèi)部儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)介質(zhì)。其中包括用于短期存儲(chǔ)的DRAM和用于長期存儲(chǔ)的NAND型閃存等。世界領(lǐng)先企業(yè)有美國的美光科技、韓國的三星電子和SK海力士等。但是，在NAND領(lǐng)域，中國的長江存儲(chǔ)科技(YMTC)正在擴(kuò)大市場份額，在DRAM領(lǐng)域，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)(CXMT)也在增長。

發(fā)表于：5/12/2025

中國非代工類半導(dǎo)體廠商全球銷售份額降至3.9%

由于無法生產(chǎn)生成式 AI 所需的尖端半導(dǎo)體，導(dǎo)致中國廠商的市場份額下滑。 2024 年，中國廠商的半導(dǎo)體全球銷售份額時(shí)隔 1 年再次下滑。降至 3.9%，較上年下降 0.2 個(gè)百分點(diǎn)。在美國對中國強(qiáng)化半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制的背景下，由于無法生產(chǎn)生成式 AI 所需的尖端半導(dǎo)體，導(dǎo)致中國廠商的市場份額下滑。美國調(diào)研公司 Omdia 以美元為基準(zhǔn)匯總了總部位于中國的半導(dǎo)體廠商的銷售額。不包括半導(dǎo)體代工企業(yè)，2024 年中國廠商的銷售額為 269 億美元，較 2023 年增長 21%，但未達(dá)到全球整體增長率（25%）。全球半導(dǎo)體總體銷售額為 6833 億美元。

發(fā)表于：5/12/2025

蘋果今年將為臺(tái)積電貢獻(xiàn)2397億元營收

5月12日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，晶圓代工大廠臺(tái)積電最尖端的2nm制程已經(jīng)獲得了蘋果的大單，有望在今年對臺(tái)積電貢獻(xiàn)的營收再創(chuàng)新高，首度達(dá)到1萬億新臺(tái)幣（約合人民幣2,397億元）大關(guān)，同比大漲超60%。

發(fā)表于：5/12/2025

英飛凌德國晶圓廠9.2億歐元補(bǔ)貼資金獲最終批準(zhǔn)

5月9日消息，在今年2月歐盟委員會(huì)根據(jù)《歐洲芯片法案》批準(zhǔn)為英飛凌德國德累斯頓晶圓廠建設(shè)提供總額達(dá)9.2億歐元的補(bǔ)貼計(jì)劃之后，近日該補(bǔ)貼已經(jīng)獲得了德國聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)事務(wù)部（German Federal Ministry for Economic Affairs）的最終批準(zhǔn)。

發(fā)表于：5/12/2025

消息稱韓美半導(dǎo)體對華斷供HBM制造設(shè)備

近日，有業(yè)內(nèi)自媒體爆料稱，韓國設(shè)備廠商Hanmi Semiconductor（韓美半導(dǎo)體，以下簡稱“Hanmi”）已經(jīng)向中國廠商發(fā)出了即將斷供熱壓鍵合機(jī)（的（Thermal Compression Bonding，TC Bonder）通知。而TC Bonder則是高帶寬內(nèi)存（HBM）制造及先進(jìn)封裝所需的關(guān)鍵設(shè)備。

發(fā)表于：5/12/2025

ASML開始在荷蘭大規(guī)模擴(kuò)建

5月9日消息，據(jù)Tweakers.net 和ED 等荷蘭主流新聞媒體報(bào)道，ASML在與荷蘭埃因霍芬（Eindhoven）市政府官員共同進(jìn)行的都市發(fā)展計(jì)劃初始簡報(bào)中表示，公司的員工將于2028年遷入其位于埃因霍芬附近全新的Brainport Industries Campus園區(qū)。報(bào)導(dǎo)指出，這個(gè)Brainport Industries Campus 的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃大約在一年前首次公開，當(dāng)時(shí)公司提及擴(kuò)建將大約在2030年之后達(dá)成。然而，在最近的簡報(bào)中，與會(huì)者的到的消息是約20,000名員工中的一部分將在3年內(nèi)，也就是在2028年前到位。

發(fā)表于：5/9/2025

三星電子和SK海力士正在加速將混合鍵合技術(shù)引入HBM4

5 月 8 日消息，韓媒《朝鮮日報(bào)》在當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日的報(bào)道中表示，兩大韓系 DRAM 內(nèi)存原廠三星電子和 SK 海力士都正在考慮將混合鍵合技術(shù)引入下一代 HBM 內(nèi)存 —— HBM4 中。

發(fā)表于：5/9/2025

消息稱英特爾同英偉達(dá)和谷歌洽商晶圓代工合作

5 月 8 日消息，韓媒《朝鮮日報(bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日報(bào)道稱，英特爾已就晶圓代工服務(wù)方面的合作同英偉達(dá)、谷歌兩大科技巨頭進(jìn)行談判。

發(fā)表于：5/9/2025

英特爾展望未來異構(gòu)集成：多節(jié)點(diǎn)多工藝打造強(qiáng)大芯片復(fù)合體

5 月 8 日消息，英特爾代工的代工服務(wù)部門負(fù)責(zé)人 Kevin O'Buckley 在 2025 英特爾代工大會(huì) (Intel Foundry Direct) 上展示了英特爾對大規(guī)模異構(gòu)集成的愿景。

發(fā)表于：5/9/2025

舒瑞普中國卓越中心暨蘇州新工廠開業(yè)典禮圓滿落成

2025年4月29日，全球領(lǐng)先的釬焊板式換熱器制造商舒瑞普正式宣布啟用其位于蘇州的舒瑞普中國卓越中心暨蘇州新工廠，并在蘇相合作區(qū)平謙產(chǎn)業(yè)園內(nèi)舉行了盛大的開業(yè)慶典。慶典現(xiàn)場，來自暖通空調(diào)、制冷、數(shù)據(jù)中心及各類工業(yè)應(yīng)用的近百名客戶與經(jīng)銷商齊聚一堂，共同見證舒瑞普在中國續(xù)寫輝煌新篇的里程碑時(shí)刻，并在儀式落成后進(jìn)行了廠區(qū)參觀。舒瑞普總裁Ulrika Nordqvist、亞太區(qū)總經(jīng)理Ong Chin Shuan攜手舒瑞普全球和本土領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)出席慶典，舒瑞普所屬的都福集團(tuán)（Dover Corporation）代表一行也親臨活動(dòng)現(xiàn)場表示祝賀。

發(fā)表于：5/9/2025

關(guān)稅政策壓迫 “不確定性”成半導(dǎo)體公司財(cái)報(bào)主題

不確定性——這是全球幾大半導(dǎo)體公司近來發(fā)布的財(cái)報(bào)季主題。據(jù)了解，由于美國關(guān)稅政策的變化和對中國的出口限制，這些公司對其產(chǎn)品的需求尚不明確。 CNBC認(rèn)為，關(guān)稅導(dǎo)致的相關(guān)變化已經(jīng)引起全球芯片公司高管們的焦慮，并對其業(yè)務(wù)產(chǎn)生了明顯的影響。

發(fā)表于：5/8/2025

英國部署全球第二臺(tái)200kV電子束光刻設(shè)備

近日，英國南安普敦大學(xué)宣布，成功開設(shè)了日本以外首個(gè)分辨率達(dá) 5 納米以下的尖端電子束光刻 (EBL) 中心，可以制造下一代半導(dǎo)體芯片。這也是全球第二個(gè)，歐洲首個(gè)此類電子束光刻中心。據(jù)介紹，該電子束光刻中心采用了日本JEOL的加速電壓直寫電子束光刻 (EBL) 系統(tǒng)，這也是全球第二臺(tái)200kV 系統(tǒng)（JEOL JBX-8100 G3）（第一臺(tái)在日本），其可以在 200 毫米晶圓上實(shí)現(xiàn)低于5納米級(jí)精細(xì)結(jié)構(gòu)的分辨率處理。這可以在厚至 10 微米的光刻膠中實(shí)現(xiàn)，且側(cè)壁幾乎垂直，可用于開發(fā)電子和光子學(xué)領(lǐng)域研究芯片中的新結(jié)構(gòu)。JEOL的第二代EBL 設(shè)備——100kV JEOL JBX-A9 將計(jì)劃用于支持更大批量的 300 毫米晶圓。

發(fā)表于：5/8/2025