根據(jù)韓國半導(dǎo)體工程師協(xié)會(huì)發(fā)表的《半導(dǎo)體技術(shù)路線圖2026》，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正規(guī)劃在未來15年內(nèi)，將先進(jìn)邏輯制程從目前的2nm節(jié)點(diǎn)，逐步推進(jìn)至2040年的0.2nm，將真正進(jìn)入1埃米（?）時(shí)代。隨著晶體管線寬微縮逐漸逼近物理極限，未來制程演進(jìn)將不再僅僅依賴光刻技術(shù)，而是轉(zhuǎn)向結(jié)構(gòu)、材料與系統(tǒng)層級(jí)的全面革新。

2040后將迎來1埃米時(shí)代，EUV可能迎來瓶頸

從時(shí)間軸來看，路線圖預(yù)期2025年底左右半導(dǎo)體制程將進(jìn)入2nm時(shí)代，并于2031年前后推進(jìn)至1nm級(jí)；到了2040年，邏輯電路線寬將進(jìn)一步縮小至0.2nm。盡管0.75NA EUV光刻機(jī)可在2030年前后帶來更細(xì)線寬，但基于光刻的物理微縮將逐步趨于飽和，制程競爭的重心勢必轉(zhuǎn)向芯片構(gòu)架與整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

晶體管轉(zhuǎn)向立體化

為延續(xù)摩爾定律，邏輯元件將由FinFET 轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around），并進(jìn)一步演進(jìn)至CFET（Complementary FET） 等三維晶體管結(jié)構(gòu)，通過將PMOS 與NMOS 垂直堆疊，突破平面密度限制。配合Monolithic 3D（單晶3D） 制程，以及由DTCO 邁向STCO（系統(tǒng)－制程共同最佳化）的設(shè)計(jì)思維，未來性能提升將來自整體構(gòu)架重整，而非單一制程節(jié)點(diǎn)的微縮。

內(nèi)存同步進(jìn)化，異質(zhì)整合與高層數(shù)DRAM 成關(guān)鍵

除了邏輯制程，內(nèi)存技術(shù)的演進(jìn)節(jié)奏與0.2nm邏輯制程高度同步。在DRAM 領(lǐng)域，傳統(tǒng)BCAT 構(gòu)架預(yù)期將在7～8nm遭遇微縮極限，未來將轉(zhuǎn)向垂直信道晶體管、堆疊式DRAM、4F2 單元，以及通過Hybrid Bonding （混合鍵合）將CMOS 電路直接與數(shù)組內(nèi)存結(jié)合的CBA（CMOS Bonded Array） 構(gòu)架，延續(xù)密度與性能提升。

在AI 應(yīng)用推動(dòng)下，高頻寬內(nèi)存（HBM）的重要性進(jìn)一步放大。路線圖指出，HBM 將通過更高層數(shù)堆疊、混合鍵合與散熱設(shè)計(jì)，HBM 預(yù)測2031年將有20層、8TB/s，并在2040年達(dá)到30層以上、128TB/s 的帶寬水平。

至于NAND Flash，則走向“以層數(shù)換密度”的發(fā)展路徑，預(yù)期自321層，推進(jìn)至2031年約1000層，并在2040年挑戰(zhàn)2000層。

進(jìn)入超越摩爾定律時(shí)代（More than Moore）

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正藉由邏輯與內(nèi)存的3D 化、Hybrid Bonding 及系統(tǒng)級(jí)構(gòu)架重整，提升單位面積整合密度并降低互連延遲，以在不依賴線寬微縮的情況下，滿足未來AI 或其他產(chǎn)業(yè)對(duì)于高速、低功耗的需求。