據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子在近日于美國硅谷舉辦的“2024年三星代工論壇”上公布了其未來半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)略，計劃于2027年引入尖端晶圓代工技術(shù)，推出兩種新工藝節(jié)點，以加強跨越人工智能（AI）芯片研發(fā)、代工生產(chǎn)、組裝全流程的“一站式”服務(wù)。

三星電子此次戰(zhàn)略調(diào)整，旨在通過封裝晶圓代工非內(nèi)存半導(dǎo)體和高帶寬內(nèi)存（HBM）的集成AI解決方案，研制出高性能、低能耗的AI芯片產(chǎn)品。據(jù)三星電子介紹，這一戰(zhàn)略的實施將使得從研發(fā)到生產(chǎn)的周期大幅縮短，與現(xiàn)有工藝相比，耗時可縮減約20%。

值得關(guān)注的是，三星電子計劃在2納米工藝中采用創(chuàng)新的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)（制程節(jié)點SF2Z）。這一技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號電路分離，旨在簡化供電路徑，降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。此舉預(yù)計將顯著提升AI芯片的功率、性能和面積等關(guān)鍵參數(shù)，同時減少電壓降，從而提升高性能計算設(shè)計的性能。

此外，三星電子還計劃于2027年將光學(xué)元件技術(shù)運用于AI解決方案，為芯片帶來低能耗和高速數(shù)據(jù)處理性能。而在2025年，三星電子就將在4納米工藝中采用“光學(xué)收縮”技術(shù)（制程節(jié)點SF4U）進行量產(chǎn)，使得芯片尺寸更小、性能更佳。