EDA與制造相關(guān)文章 杜邦中國集團(tuán)涉嫌壟斷被立案調(diào)查 4月4日，中國市場監(jiān)管總局宣布，因杜邦中國集團(tuán)有限公司涉嫌違反《中華人民共和國反壟斷法》，市場監(jiān)管總局依法對杜邦中國集團(tuán)有限公司開展立案調(diào)查。 發(fā)表于：4/7/2025 ASML前員工竊密案細(xì)節(jié)曝光 2024年12月，一位ASML前員工（A先生）因涉嫌竊取ASML和恩智浦的商業(yè)機(jī)密而被荷蘭政府拘留，荷蘭移民局還對其實(shí)施了20 年的入境禁令，引發(fā)了外界關(guān)注。近日荷蘭媒體NRC針對該案件披露了更多的細(xì)節(jié)，并表示該竊密之舉是為了協(xié)助俄羅斯在本土建造一座 28nm 晶圓廠。 發(fā)表于：4/7/2025 傳英特爾與臺積電將成立合資企業(yè)運(yùn)營晶圓代工廠 4月4日消，據(jù)外媒《The information》報道，兩位參與相關(guān)討論的知情人士稱，英特爾與臺積電已經(jīng)達(dá)成了雙方成立合資企業(yè)的初步協(xié)議，雙方將共同運(yùn)營英特爾在美國的晶圓廠。 發(fā)表于：4/7/2025 科美存儲發(fā)布首款100%國產(chǎn)DDR5 RDIMM內(nèi)存條 過去，在工業(yè)存儲領(lǐng)域，中國的發(fā)展可謂是凄風(fēng)苦雨、一波三折。存儲芯片，中國曾高度依賴進(jìn)口，進(jìn)口比例曾高達(dá)90%，國產(chǎn)存儲芯片市場份額一度下滑至不足4%。同時，工業(yè)數(shù)據(jù)存儲面臨成本、性能、安全、業(yè)務(wù)等多方面挑戰(zhàn)，如存儲成本高、實(shí)時性要求難以滿足、數(shù)據(jù)安全存在隱患、傳統(tǒng)接口無法滿足業(yè)務(wù)需求等。 發(fā)表于：4/3/2025 緯創(chuàng)宣布投資5000萬美元在美國建廠 4月2日，中國臺灣電子代工大廠緯創(chuàng)發(fā)布公告，宣布計劃在美國投資新設(shè)子公司，注冊資本為4,500萬美元，并擬于不超過5,000萬美元額度內(nèi)，取得美國土地及廠房。 緯創(chuàng)表示，在美國投資設(shè)立的子公司名為Wistron InfoComm（USA）Corporation（WIUS），此番投資是因業(yè)務(wù)發(fā)展及策略規(guī)劃需要。 發(fā)表于：4/3/2025 龍芯中科宣布2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片 4月3日消息，龍芯中科官方宣布，近日，龍芯2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片，目前已完成初步功能和性能摸底，各項(xiàng)指標(biāo)符合預(yù)期。 龍芯2K3000、龍芯3B6000M是基于相同硅片的不同封裝版本，分別面向工控應(yīng)用領(lǐng)域、移動終端領(lǐng)域。 發(fā)表于：4/3/2025 晶圓代工巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽 4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會上，Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段。預(yù)計今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。 發(fā)表于：4/3/2025 消息稱SK海力士封裝廠產(chǎn)線升級 HBM月產(chǎn)能新增1萬片晶圓 4 月 2 日消息，韓媒 ET News 當(dāng)?shù)貢r間本月 1 日報道稱，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韓國京畿道利川市的 M10F 工廠的產(chǎn)線改造，該廠從此前負(fù)責(zé)一般 DRAM 產(chǎn)品的后端處理調(diào)整為封裝高附加值、高需求的 HBM 內(nèi)存。 消息人士稱 SK 海力士為利川 M10F 工廠引進(jìn)和更換了新項(xiàng)目所需的工藝設(shè)備和原材料，并獲得了消防部門更新的安全許可，該工廠 HBM 封裝產(chǎn)線已于 3 月底開始批量生產(chǎn)。 發(fā)表于：4/3/2025 Rapidus 2027年量產(chǎn)2nm芯片仍面臨三大挑戰(zhàn) 近日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布，已決定向本土半導(dǎo)體制造商Rapidus再追加8025億日元投資，使得政府援助總額將達(dá)到1.7萬億日元，以支持Rapidus實(shí)現(xiàn)2027年在日本量產(chǎn)2nm芯片的目標(biāo)。 發(fā)表于：4/3/2025 創(chuàng)意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片 4月2日，先進(jìn)ASIC廠商創(chuàng)意電子宣布成功完成HBM4控制器與實(shí)體層（PHY）半導(dǎo)體IP的投片。該芯片采用臺積電最先進(jìn)的N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。 發(fā)表于：4/3/2025 英特爾18A先進(jìn)制程已進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段 4 月 2 日消息，英特爾高級副總裁、英特爾代工部門負(fù)責(zé)人 Kevin O'Buckley 在英特爾 Vision 2025 活動上宣布，根據(jù)已向客戶交付的硬件，英特爾代工目前最為先進(jìn)的 Intel 18A 邏輯制程已進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)（IT之家注：Risk Production）階段。 發(fā)表于：4/2/2025 日本芯片制造商Rapidus計劃2025財年內(nèi)發(fā)布2nm制程PDK 4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業(yè)計劃在本月內(nèi)基于已安裝的前端設(shè)備啟動中試線，實(shí)現(xiàn) EUV 機(jī)臺的啟用并繼續(xù)引入其它設(shè)備，推進(jìn) 2nm GAA 先進(jìn)制程技術(shù)的開發(fā)。 發(fā)表于：4/2/2025 臺積電美國廠全部量產(chǎn)后營收占比將達(dá)三分之一 4月1日消息，據(jù)英國《金融時報》報道，根據(jù)分析師的估算，晶圓代工大廠臺積電在美國亞利桑那州的所有晶圓廠完工后，僅會占該公司2030年代初總營收的約三分之一，遠(yuǎn)低于其中國臺灣晶圓廠的營收占比。 發(fā)表于：4/2/2025 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 2025年4月1日，中國蘇州 — 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 發(fā)表于：4/2/2025 業(yè)界預(yù)計臺積電將在2027年開始1.4nm工藝的風(fēng)險性試產(chǎn) 4月2日消息，如今的臺積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！ 早在今年初，就有報道陳，臺積電2nm工藝試產(chǎn)進(jìn)度遠(yuǎn)超預(yù)期，樂觀預(yù)計位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級工廠可在年底每月產(chǎn)出8萬塊晶圓。 發(fā)表于：4/2/2025 ?…23242526272829303132…?
