EDA與制造相關(guān)文章 Yole報告指出2029年每車半導(dǎo)體含量將增至1000美元 汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模將增至970億美元，電氣化和ADAS推動增長。OEM進(jìn)軍半導(dǎo)體市場，中國廠商興趣濃厚。800V架構(gòu)流行，SiC器件適用。ADAS采用加速，SDV代表汽車設(shè)計范式轉(zhuǎn)變。 發(fā)表于：2024/11/22 消息稱三星電子將擴(kuò)大蘇州先進(jìn)封裝工廠產(chǎn)能 11 月 21 日消息，據(jù) Business Korea 周二報道，行業(yè)消息稱三星電子正在擴(kuò)大國內(nèi)外投資，以強(qiáng)化其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)。封裝技術(shù)決定了半導(dǎo)體芯片如何適配目標(biāo)設(shè)備，而對于 HBM4 等下一代高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品，內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此，三星正集中力量提升封裝能力，以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距。 發(fā)表于：2024/11/22 福特汽車宣布將在歐洲裁員4000人 福特汽車宣布將在歐洲裁員4000人 發(fā)表于：2024/11/22 傳NAND Flash大廠鎧俠將于12月中旬上市 11月21日消息，據(jù)日經(jīng)新聞、路透社等外媒報道，日本NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）預(yù)計將在今年12月中旬在日本IPO上市，市值預(yù)估為7,500億日元，將遠(yuǎn)低于原先設(shè)定的1.5萬億日元目標(biāo)。 發(fā)表于：2024/11/22 意法半導(dǎo)體宣布40nm MCU交由華虹代工 11月21日消息，歐洲芯片大廠意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）于當(dāng)?shù)貢r間周三在法國巴黎舉辦投資者日活動，宣布了將與中國第二大晶圓代工廠合作，在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU），以支持其中長期的營收目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。 發(fā)表于：2024/11/21 TrendForce預(yù)計2025年DRAM價格將下跌 據(jù)TrendForce研報顯示，第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價的關(guān)鍵時期，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價格已呈現(xiàn)跌勢。 發(fā)表于：2024/11/21 SK海力士宣布量產(chǎn)全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存 11 月 21 日消息，SK 海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特，與 TB 太字節(jié)不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存。 據(jù)介紹，此 321 層產(chǎn)品與上一代相比數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高 10% 以上。 發(fā)表于：2024/11/21 中國工業(yè)機(jī)器人密度已超越德國和日本 11 月 20 日消息，國際機(jī)器人聯(lián)合會（IFR）周三發(fā)布的年度報告顯示，中國在工業(yè)機(jī)器人使用方面已超越德國。 發(fā)表于：2024/11/21 2025年臺積電將新建10座工廠以應(yīng)對AI半導(dǎo)體需求 11月20日消息，全球晶圓代工巨頭臺積電（TSMC）正在著力擴(kuò)大其先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以應(yīng)對人工智能（AI）半導(dǎo)體的旺盛需求。 據(jù)媒體報道，臺積電計劃明年在全球范圍內(nèi)新建10家工廠。新投資將重點(diǎn)放在2納米、CoWoS等先進(jìn)工藝技術(shù)上。臺積電明年的資本支出（CAPEX）預(yù)計將達(dá)到340億至380億美元。這不僅超過了市場預(yù)測的320億至 360 億美元，而且有可能刷新公司歷史上的最高資本支出記錄——2022年的362.9億美元。 發(fā)表于：2024/11/21 美國芯片法案敲定向格羅方德提供15億美元補(bǔ)貼 美國拜登政府已敲定針對格羅方德（GlobalFoundries）的《芯片法案》激勵措施，向該芯片制造商提供15億美元補(bǔ)貼，以支持美國工廠，這是更廣泛的半導(dǎo)體推動措施的一部分。 發(fā)表于：2024/11/21 TrendForce研報預(yù)計2025年DRAM 價格將下跌 TrendForce：需求展望疲弱、庫存和供給上升，預(yù)計 2025 年 DRAM 價格將下跌 發(fā)表于：2024/11/18 全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國 全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國！新加坡上市、印尼生產(chǎn) 發(fā)表于：2024/11/17 美國芯片法案最大一筆補(bǔ)助 臺積電66億美元補(bǔ)助到手 美國《芯片法》最大一筆補(bǔ)助，臺積電 66 億美元補(bǔ)助到手 發(fā)表于：2024/11/17 日本首臺ASML EUV光刻機(jī)下月進(jìn)駐Rapidus晶圓廠 11 月 15 日消息，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》當(dāng)?shù)貢r間今日凌晨報道稱，日本先進(jìn)半導(dǎo)體代工企業(yè) Rapidus 購入的第一臺 ASML EUV 光刻機(jī)將于 2024 年 12 月中旬抵達(dá)北海道新千歲機(jī)場，這也將成為日本全國首臺 EUV 光刻設(shè)備。 發(fā)表于：2024/11/15 消息稱內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合 11 月 14 日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子、SK 海力士、美光均對在下代 HBM4 內(nèi)存中采用無助焊劑鍵合（Fluxless Bonding）技術(shù)抱有興趣，正在進(jìn)行技術(shù)準(zhǔn)備。 SK 海力士此前已宣布了 16 層堆疊 HBM3E，而從整體來看 HBM 內(nèi)存將于 HBM4 開始正式轉(zhuǎn)向 16 層堆疊。由于無凸塊的混合鍵合技術(shù)尚不成熟，傳統(tǒng)有凸塊方案預(yù)計仍將是 HBM4 16Hi 的主流鍵合技術(shù)。 更多的 DRAM Die 層數(shù)意味著 HBM4 16Hi 需要進(jìn)一步地壓縮層間間隙，以保證整體堆棧高度維持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制內(nèi)。 發(fā)表于：2024/11/15 ?…20212223242526272829…?
