1月20日消息，據(jù)媒體報道，存儲巨頭SK海力士已順利完成其中國無錫工廠的制程升級，將DRAM生產(chǎn)節(jié)點從原有的1z nm全面轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的1a nm。

目前，無錫工廠的DRAM月產(chǎn)能約為18萬至19萬片12英寸晶圓，其中約90%已完成向1a制程的轉(zhuǎn)換。在DRAM工藝中，1z代表10納米級別第三代制程，1a則屬于第四代。

更先進(jìn)的制程意味著更高的性能、更低的功耗以及每片晶圓可產(chǎn)出更多芯片，此次升級使SK海力士在無錫得以生產(chǎn)性能顯著提升的DRAM產(chǎn)品。

無錫工廠的升級備受關(guān)注，主要因其在全球供應(yīng)鏈中占據(jù)關(guān)鍵地位——該廠貢獻(xiàn)了SK海力士全球DRAM產(chǎn)量的30%至40%，是公司核心的生產(chǎn)基地。

此前市場曾擔(dān)憂，美國半導(dǎo)體設(shè)備出口管制可能影響無錫廠獲取先進(jìn)設(shè)備，進(jìn)而阻礙其技術(shù)升級并沖擊全球供應(yīng)。目前來看，這一風(fēng)險已得到有效管控。

值得注意的是，1a DRAM制程需使用極紫外（EUV）光刻設(shè)備，而此類設(shè)備受美國管制無法直接對華出口。

為此，SK海力士采取了“分段制造”策略：將EUV光刻這一關(guān)鍵步驟安排在韓國進(jìn)行，隨后把晶圓運回?zé)o錫完成后續(xù)工序。盡管該方案增加了流程復(fù)雜性與成本，但鑒于無錫廠的戰(zhàn)略重要性，公司仍堅定推進(jìn)了制程遷移。

自2006年投產(chǎn)以來，SK海力士在無錫工廠累計投入已達(dá)數(shù)十萬億韓元。與此同時，在韓國本土，公司正加速向更先進(jìn)的1c（第六代10納米級）制程邁進(jìn)，相關(guān)生產(chǎn)主要集中在利川的M14和M16工廠。

通過這一布局，無錫工廠承擔(dān)大規(guī)模、成熟制程的DRAM生產(chǎn)，韓國工廠則聚焦于最先進(jìn)的DRAM及HBM等高端產(chǎn)品，從而在符合地緣政策要求的同時，保持技術(shù)領(lǐng)先地位。