EDA與制造相關文章 臺積電在美晶圓廠正接受英偉達工藝認證 預計年內量產 英偉達 CEO 黃仁勛在公司 2026 財年第一財季財報電話會議上提及其生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴在美國的投資建設。 發(fā)表于：5/30/2025 2025年Q1半導體行業(yè)呈現(xiàn)典型季節(jié)性疲軟 5 月 28 日消息，根據 SEMI 與 TechInsights 合作編制的《2025 年第一季度半導體制造監(jiān)測報告》，全球半導體制造業(yè)在 2025 年的首個季度呈現(xiàn)出典型的季節(jié)性模式，整體相對疲軟。 在具體數據方面，今年一季度電子產品銷售額環(huán)比下降 16%，同比持平；而 IC（IT之家注：集成電路）銷售額環(huán)比下降 2%，同比大幅增長 23%，反映對 AI / HPC 基礎設施的持續(xù)投資。 發(fā)表于：5/29/2025 美國要求全球前三大EDA公司對華斷供？ 5月28日消息，近日有業(yè)內傳聞稱，EDA大廠西門子已經接到美國商務部BIS的通知，要求暫停對整個中國大陸地區(qū)的EDA服務與支持。西門子旗下的西門子EDA（原Mentor，公司位于美國）是全球第三大EDA廠商。該傳聞稱，西門子EDA技術類網站等已經對中國區(qū)禁止訪問。西門子內部人員稱，將等待美國BIS上班后（目前美國正在假期）再進行確認細節(jié)。另外兩家美系EDA大廠似乎也接到了通知，也在等待與美國BIS確認。 發(fā)表于：5/29/2025 PCB阻焊橋脫落與LDI工藝 本文對貼片廠貼回來的電路板出現(xiàn)芯片引腳間的連錫問題、PCB板（電路板）的阻焊橋脫落有一定意義，特別是做電子產品的工程師強烈建議閱讀、而對于個人DIY的電子玩家也可以了解這些概念。 1.阻焊橋的作用與工藝生產能力 1.1.阻焊橋的定義與作用 阻焊橋（又稱綠油橋或阻焊壩），指的是表面貼裝器件（SMD）焊盤之間的阻焊油墨。阻焊橋的作用是用于防止SDM焊盤（特別是IC封裝）間距過小而導致焊接橋連短路，阻止焊料流動。 在日常開發(fā)中，我們有兩種選擇： 一種是開通窗去除阻焊橋：對整個芯片引腳區(qū)域進行阻焊開窗，像處理金手指一樣，讓IC引腳之間沒有綠橋，手工焊接時還不覺的有問題，但是在量產，SMT貼片的時候，會出現(xiàn)芯片引腳之間的連錫問題。那就需要貼片廠的工作人員對每一塊電路板進行檢查（不過本來也應該要檢查），但是人工檢查總會有遺漏，是不是就可能發(fā)生把有問題的電路板寄到你們公司啦，這個時候就會去找貼片廠的麻煩。之后省略一萬字，自己領悟。這種方法不建議。 發(fā)表于：5/29/2025 2024年中國半導體設備支出猛增35%全球居首 5月28日消息，據國際半導體產業(yè)協(xié)會（SEMI）最新統(tǒng)計，2024年中國在半導體設備上的支出達到495.5億美元，較去年同期增長35%，成為全球最大的半導體設備支出國。 這一增長主要得益于中國政府對本土半導體產業(yè)的扶持以及企業(yè)積極擴充產能，SEMI指出，中國通過政策支持和產業(yè)投資，鞏固其全球最大半導體設備市場的地位。 能力的提升。 發(fā)表于：5/29/2025 嘉立創(chuàng)發(fā)布50萬字的新書與創(chuàng)業(yè)扶持計劃 “設計方案無法順利投產？”“制造成本高企，返工不斷？”這些是許多電子工程師在研發(fā)過程中經常遇到的痛點。 在5月24日舉辦的第三屆開源硬件星火會暨電子工程師大會上，嘉立創(chuàng)針對這些難題，推出了重磅“組合拳”——發(fā)布《從設計到量產：電子工程師PCB智造實戰(zhàn)指南》并啟動開源硬件創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)扶持計劃，旨在將多年積累的實戰(zhàn)經驗與豐厚資源開放共享，全方位助力工程師的技能躍遷與項目成功落地。 發(fā)表于：5/29/2025 聯(lián)電宣布與英特爾合作開發(fā)的12nm制程平臺2027年量產 5月28日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行年度股東大會，聯(lián)電首席財務官劉啟東指出，與處理器大廠英特爾合作的12nm節(jié)點制程，為聯(lián)電最重要的發(fā)展計劃之一，預計量產的時間點將會落在2027年。而雙方也會采取分工的模式，由英特爾負責當地制造，聯(lián)電則負責制程開發(fā)、銷售與服務流程技術。 發(fā)表于：5/29/2025 臺積電稱暫無為先進制程導入High NA EUV必要 5 月 28 日消息，臺積電負責業(yè)務開發(fā)及全球業(yè)務的資深副總經理兼副聯(lián)席 COO 張曉強在荷蘭阿姆斯特丹當地時間昨日舉行的公司 2025 年技術論壇歐洲場上表示，臺積電暫無為先進制程導入 High NA EUV 的必要。 張曉強表示，臺積電新近公布的 1.4nm 級邏輯制程 A14 即使沒有導入 High NA EUV 圖案化設備，提升幅度也相當可觀。 發(fā)表于：5/28/2025 消息稱SK海力士計劃10月量產12Hi HBM4內存 5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報道稱，SK海力士計劃今年十月開始正式量產 HBM 高帶寬內存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產策略是因應英偉達計劃明年推出的 "Rubin" 架構 AI GPU 的需求。 發(fā)表于：5/28/2025 臺積電警告稱芯片關稅可能削弱其在美1650億美元投資計劃 5 月 28 日消息，臺積電呼吁美國商務部豁免芯片進口關稅，警告加征關稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴建計劃，并威脅美國在半導體產業(yè)的領導地位。今年 3 月，臺積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計劃再建三座晶圓廠、兩座先進封裝廠和一個研發(fā)中心，總投資額累計 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）。 發(fā)表于：5/28/2025 消息稱三星電子調整HBM團隊組織架構 押寶定制化產品 5 月 27 日消息，據韓媒 Financial News 報道，三星電子 DS（設備解決方案）部門負責人全永鉉正在對內部組織進行大刀闊斧的改革。 據悉，全永鉉在被外界評價為“錯失開發(fā)時機”的高帶寬存儲器（HBM）業(yè)務上力求扭轉局面，將三星 HBM 開發(fā)團隊細分為標準 HBM、定制化 HBM、HBM 產品工程（PE）及 HBM 封裝等團隊。 發(fā)表于：5/28/2025 芯科科技推出首批第三代無線開發(fā)平臺SoC，推動物聯(lián)網實現(xiàn)突破 中國，北京 – 2025年5月26日 – 低功耗無線解決方案領導性創(chuàng)新廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布：推出其第三代無線開發(fā)平臺產品組合的首批產品，即采用先進的22納米（nm）工藝節(jié)點打造的兩個全新無線片上系統(tǒng)（SoC）產品系列：SiXG301和SiXG302 發(fā)表于：5/28/2025 美國政府半導體關稅出臺在即！ 5月27日消息，針對美國商務部《貿易擴張法》第232條進行的半導體進口國家安全調查，英特爾、美光和高通等美國半導體巨頭以及美國半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）近日都向美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）提交了意見評論，紛紛敦促美國總統(tǒng)特朗普謹慎對待半導體關稅，并警告一旦施行廣泛的關稅，可能對美國半導體產業(yè)造成嚴重意外損害。 根據此前報道，美國特朗普政府可能很快將會推出針對半導體加征關稅的政策，市場傳聞稅率可能高達25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產地來加征關稅，這也將對臺積電、英特爾、三星、美光等晶圓制造廠商，以及以及英偉達、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴于圓代工產能的芯片設計廠商帶來負面影響。 發(fā)表于：5/27/2025 TrendForce預計2025年Q3 NAND閃存價格環(huán)比增幅有望達10% 5 月 26 日消息，市場分析機構 TrendForce 集邦咨詢今日表示，在 AI 需求刺激企業(yè)級固態(tài)硬盤需求顯著增長的背景下，預計 2025 年第三季度 NAND 閃存價格有望環(huán)比整張 10%。 發(fā)表于：5/27/2025 施奈仕用膠解決方案：用膠粘技術重構變頻器防護標準 在工業(yè)自動化領域，變頻器作為核心控制設備，其穩(wěn)定性與壽命直接影響整機性能。然而，復雜的使用環(huán)境對變頻器PCB電路板的防護提出了嚴苛挑戰(zhàn)。山東匯科電氣技術有限公司正是在這一行業(yè)痛點中，通過與施奈仕的深度合作，以創(chuàng)新膠粘技術實現(xiàn)產品競爭力的跨越式提升。 發(fā)表于：5/27/2025 ?…19202122232425262728…?
