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南亞科技宣布攜手補(bǔ)丁科技合作開發(fā)HBM

12 月 19 日消息，臺灣地區(qū) DRAM 內(nèi)存制造商南亞科技昨日宣布同專業(yè) DRAM 設(shè)計(jì)公司補(bǔ)丁科技就定制超高帶寬內(nèi)存（Customized Ultra-High-Bandwidth Memory）的開發(fā)達(dá)成戰(zhàn)略合作。

發(fā)表于：12/20/2024

俄羅斯自研EUV光刻機(jī)計(jì)劃曝光

12月20日消息，據(jù)Cnews報(bào)導(dǎo)，俄羅斯已公布自主研發(fā)的光刻機(jī)路線圖，目標(biāo)是打造比ASML 系統(tǒng)更經(jīng)濟(jì)的EUV光刻機(jī)。這些光刻機(jī)將采用波長為11.2nm的鐳射光源，而非ASML 使用的標(biāo)準(zhǔn)13.5nm波長。因此，新技術(shù)無法與現(xiàn)有EUV 基礎(chǔ)設(shè)施相容，需要俄羅斯自行開發(fā)配套的曝光生態(tài)系統(tǒng)，可能需要數(shù)年甚至十年以上時(shí)間。

發(fā)表于：12/20/2024

美國將對中國成熟制程芯片啟動貿(mào)易調(diào)查

12月18日消息，據(jù)《紐約時(shí)報(bào)》查閱的政府和行業(yè)文件以及援引知情人士報(bào)道稱，美國拜登政府正在準(zhǔn)備對中國生產(chǎn)的“older-model”（舊型號，應(yīng)指“成熟制程”）半導(dǎo)體進(jìn)行貿(mào)易調(diào)查，以回應(yīng)人們對美國對這些產(chǎn)品日益增長的依賴可能構(gòu)成國家安全威脅的擔(dān)憂。

發(fā)表于：12/19/2024

霍尼韋爾計(jì)劃分拆航空航天業(yè)務(wù)

在全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的巨大浪潮中，企業(yè)的戰(zhàn)略調(diào)整往往成為市場關(guān)注的焦點(diǎn)。12月16日，美國工業(yè)巨頭霍尼韋爾（Honeywell）宣布將分拆其航空航天業(yè)務(wù)，這一決定讓投資者感到了前所未有的激動和期待。這一業(yè)務(wù)板塊占霍尼韋爾總銷售額的40%，市場一時(shí)間對其未來的走向充滿了各種解讀和猜想。對此，我們有必要深入探討這個(gè)重磅消息所反映的市場趨勢及其背后的深意。

發(fā)表于：12/19/2024

存儲巨頭鎧俠正式掛牌上市

12月19日消息，據(jù)報(bào)道，鎧俠已在東京證券交易所正式掛牌上市，初始價(jià)格為每股1440日元，漲幅一度高出其發(fā)行價(jià)格約12%，最終收盤價(jià)為每股1606日元，上漲10.28%，市值約為7762億日元（約合50.53億美元/人民幣368.13億元）。據(jù)悉，鎧俠是目前全球第三大NAND閃存制造商，作為全球NAND閃存制造領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一，鎧俠于2018年6月從東芝獨(dú)立而出，并迅速在行業(yè)內(nèi)嶄露頭角。

發(fā)表于：12/19/2024

三星電子搶建10nm第七代DRAM測試線

第六代DRAM尚未量產(chǎn)，三星第七代DRAM測試線已開建

發(fā)表于：12/19/2024

Rapidus接收日本首臺量產(chǎn)用EUV光刻機(jī)ASML NXE:3800E

12 月 19 日消息，日本先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體制造商 Rapidus 宣布，其購入的首臺 ASML TWINSCAN NXE:3800E 光刻機(jī)已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在其北海道千歲市 IIM-1 晶圓廠完成交付并啟動安裝。這也是日本境內(nèi)首次引入量產(chǎn)用 EUV 光刻設(shè)備。 Rapidus 首席執(zhí)行官、日本政府代表、北海道及千歲市地方政府代表、ASML 高管、荷蘭駐日本大使等相關(guān)人士出席了在北海道新千歲機(jī)場舉行的紀(jì)念儀式。

發(fā)表于：12/19/2024

聯(lián)電高通先進(jìn)封裝訂單有望在2025年下半年試產(chǎn)

發(fā)表于：12/19/2024

中國工程院發(fā)布2024全球十大工程成就

12 月 18 日消息，從中國工程院院刊《Engineering》官微獲悉，由該刊評選的“2024 全球十大工程成就”今日發(fā)布。 “2024 全球十大工程成就”經(jīng)由全球征集提名、專家遴選推薦、公眾問卷調(diào)查、評選委員會審議確定，包括：CAR-T 細(xì)胞療法、嫦娥六號、低軌通信衛(wèi)星星座、柔性顯示、高溫氣冷堆核電站、智能工廠、無人駕駛汽車、手術(shù)機(jī)器人、文生視頻大模型 Sora、超大型風(fēng)力發(fā)電裝備。

發(fā)表于：12/18/2024

首款國產(chǎn)DDR5內(nèi)存終于來了

12月18日消息，近日，金百達(dá)推出了首款基于國產(chǎn)顆粒的銀爵系列DDR5內(nèi)存，頻率為6000MHz，時(shí)序CL36-36-36-80，工作電壓1.35V，16GBx2套裝499元。外觀設(shè)計(jì)上采用了簡約大氣的銀白色散熱馬甲，整體風(fēng)格極具辨識度，能夠有效提升內(nèi)存模塊的散熱效果。

發(fā)表于：12/18/2024

SK海力士計(jì)劃對外提供先進(jìn)封裝代工服務(wù)

12月17日消息，據(jù)韓國媒體ETnews 報(bào)道，存儲芯片大廠SK 海力士正考慮進(jìn)軍先進(jìn)封裝市場，對外提供先進(jìn)封代工服務(wù)。報(bào)道稱，SK 海力士通過堆疊多個(gè) DRAM 然后封裝成 HBM，并在將HBM出售給英偉達(dá)等AI芯片大廠的生意中獲得了巨大成功。但是，臺積電是英偉達(dá)AI芯片的晶圓代工服務(wù)和先進(jìn)封裝服務(wù)提供商，在這過程中，SK海力士所能夠扮演的作用相對有限。同時(shí)，目前AI芯片所需的先進(jìn)封裝產(chǎn)能嚴(yán)重不足，即便是臺積電在持續(xù)不斷的擴(kuò)充產(chǎn)能。因此，SK海力士考慮進(jìn)軍OSAT（外包半導(dǎo)體封裝和測試）市場，以期能夠從中分得一杯羹。

發(fā)表于：12/18/2024

環(huán)球晶圓獲4.06億美元芯片法案補(bǔ)貼

12月17日，美國拜登政府宣布，美國商務(wù)部根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》激勵計(jì)劃，將向半導(dǎo)體硅片大廠環(huán)球晶圓（GlobalWafers）美國子公司——GlobalWafers America, LLC (GWA) 和 MEMC LLC (MEMC)發(fā)放了高達(dá) 4.06 億美元的直接資金激勵。這些激勵是在 2024 年 7 月 17 日宣布的先前簽署的初步條款備忘錄以及該部門完成盡職調(diào)查之后頒發(fā)的。美國商務(wù)部將根據(jù) GWA 和 MEMC 的項(xiàng)目里程碑完成情況支付資金。

發(fā)表于：12/18/2024

云道智造攜新一代仿真軟件走進(jìn)無錫

為推動我國工業(yè)軟件高質(zhì)量發(fā)展和規(guī)?；瘧?yīng)用，搭建工業(yè)軟件企業(yè)與制造業(yè)企業(yè)溝通合作的橋梁，12月13日，中國電子信息行業(yè)聯(lián)合會工業(yè)軟件分會組織開展了“走進(jìn)無錫”活動。電子聯(lián)合會常務(wù)副會長周子學(xué)率領(lǐng)多家工業(yè)軟件企業(yè)代表，調(diào)研了無錫信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況。作為分會的副理事長單位，北京云道智造科技有限公司隨團(tuán)參與了此次調(diào)研

發(fā)表于：12/17/2024

基于系統(tǒng)級封裝技術(shù)的X頻段變頻模塊研制

研制了一款利用系統(tǒng)級封裝技術(shù)（SIP）的小體積X頻段雙通道收發(fā)變頻模塊，在其內(nèi)部集成了采用不同工藝制成的器件。模塊把發(fā)射通道和接收通道集成到一個(gè)腔體中，并實(shí)現(xiàn)收發(fā)分時(shí)控制。模塊采用上下雙腔結(jié)構(gòu)，不同腔體之間采用BGA球柵陣列進(jìn)行垂直連接，顯著減小模塊體積，模塊體積為21 mm×16 mm×3.8 mm。模塊主要指標(biāo)測試結(jié)果為：接收通道輸入P-1dB ≤-10 dBm，接收信號增益30～35 dB，接收通道隔離度大于等于55 dB，接收噪聲系數(shù)小于等于8 dB；發(fā)射通道增益10～12 dB，發(fā)射通道最大輸出功率大于等于12 dBm，二次三次諧波抑制大于等于60 dBc，雜波抑制大于等于55 dBc，模塊可在-55～+85 ℃正常工作。實(shí)測結(jié)果與仿真結(jié)果基本一致。

發(fā)表于：12/17/2024

馬斯克透露特斯拉未來的重心是Optimus人形機(jī)器人

12 月 17 日消息，據(jù)中國臺灣媒體工商時(shí)報(bào)報(bào)道，特斯拉 CEO 埃隆?馬斯克上周在美國會見了臺積電董事長魏哲家。會面中，馬斯克強(qiáng)調(diào)了臺積電為特斯拉提供足夠產(chǎn)能以生產(chǎn)其自主研發(fā)的 Dojo芯片的重要性，該芯片將使用臺積電的 5nm 工藝制造并采用 InFO-SoW 先進(jìn)封裝。

發(fā)表于：12/17/2024