當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月11日，美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）在接受CNBC專訪時(shí)表示，他認(rèn)為特朗普政府將讓臺(tái)積電在美設(shè)廠投資金額超過2,000億美元，創(chuàng)造3萬(wàn)個(gè)工作機(jī)會(huì)。

盧特尼克強(qiáng)烈批評(píng)了前美國(guó)總統(tǒng)拜登推出的“芯片法案”，稱該法案對(duì)芯片制造商提供了過于慷慨的補(bǔ)貼。他進(jìn)一步指出，拜登政府還給了英特爾110億美元補(bǔ)貼，“就像給股東發(fā)圣誕賀卡一樣”。特朗普政府上臺(tái)后，將這 110 億美元的補(bǔ)貼轉(zhuǎn)化為了政府持有的英特爾股權(quán)。

拜登政府還為臺(tái)積電提供了66億美元左右的補(bǔ)貼，以支持臺(tái)積電在美國(guó)建廠，結(jié)果臺(tái)積電在美國(guó)只宣布了600億美元的投資?！拔覀儺?dāng)時(shí)就覺得這不對(duì)勁?！北R特尼克表示。

盧特尼克強(qiáng)調(diào)，“唐納德·特朗普絕不接受政府只是隨意揮霍納稅人錢財(cái)這種觀念。他希望美國(guó)人民能夠真正從中受益。仔細(xì)想想，這完全合情合理?！?/p>

在特朗普政府上臺(tái)后，威脅將會(huì)對(duì)半導(dǎo)體加征關(guān)稅，但表示若承諾在美設(shè)廠或正在設(shè)廠，則可豁免。此舉推動(dòng)了臺(tái)積電將對(duì)美國(guó)的投資提高到了1,650億美元。

“我認(rèn)為我們會(huì)讓他們（臺(tái)積電）在美國(guó)設(shè)廠投資超過2,000億美元，創(chuàng)造3萬(wàn)個(gè)工作機(jī)會(huì)，這才是我們應(yīng)該做的事。”盧特尼克說(shuō)道。

但盧特尼克并沒有提供任何證據(jù)來(lái)支持他的說(shuō)法。目前臺(tái)積電也并未回應(yīng)該消息。

根據(jù)資料顯示，臺(tái)積電最初是在2020年5月宣布將在美國(guó)亞利桑那州的建設(shè)一座先進(jìn)制程晶圓廠，當(dāng)時(shí)的計(jì)劃投資額也才120億美元左右。隨后在拜登政府的“芯片法案”政策的影響下，臺(tái)積電于2023年又宣布在美國(guó)建第二座晶圓廠，將整體的對(duì)美國(guó)投資規(guī)模提升到400億美元。

2024年4月，臺(tái)積電又宣布將在亞利桑那州鳳凰城建造兩座晶圓廠計(jì)劃的基礎(chǔ)上，再建造第三座晶圓廠，使得總體投資金額從原來(lái)的400億美元提升到650億美元，并創(chuàng)造超過25000個(gè)直接建筑和制造業(yè)就業(yè)機(jī)會(huì)，以及數(shù)千個(gè)間接就業(yè)機(jī)會(huì)。有助于實(shí)現(xiàn)美國(guó)到 2030 年生產(chǎn) 20% 全球最先進(jìn)邏輯芯片的目標(biāo)。

目前，這三座晶圓廠當(dāng)中一期的4nm晶圓廠，去年四季度已經(jīng)開始量產(chǎn)；二期的3nm晶圓廠，目前正在建設(shè)當(dāng)中，原定于2026年開始量產(chǎn)，目前預(yù)計(jì)可能會(huì)在2027年量產(chǎn)。兩座晶圓廠完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過60萬(wàn)片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)值預(yù)估超過400億美元。新增的三期晶圓廠將生產(chǎn)2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年）間量產(chǎn)。

今年3月初，在特朗普政府的半導(dǎo)體關(guān)稅政策威脅下，臺(tái)積電宣布對(duì)美國(guó)追加1000億美元投資，包含興建三座新晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施，以及一座研發(fā)中心。但這些項(xiàng)目似乎都還沒有確切的開工時(shí)間。