12月11日消息，據《日經新聞》報道，臺積電正在考慮升級其尚未建成的日本熊本晶圓廠（Fab 23）二廠的工藝技術，以便在日本制造更為先進的N4（4nm）制程芯片。

報道稱，提升晶圓廠的制程工藝對于像臺積電這樣的企業(yè)來說并不意外，因為他們往往會跟隨需求推出更新的產品。

臺積電位于日本熊本附近的Fab 23第二階段項目（又稱臺積電熊本晶圓二廠）計劃總投資約139億美元，今年10月開工建設，預計2027年底開始營運，原本計劃將生產N6（6nm）和N7（7nm）制程工藝的芯片，主要面向自動駕駛、人工智能（AI）等領域。

如果日經新聞的報道屬實，那么臺積電熊本晶圓二廠還將新增N4和N5能力，為日本客戶制造更先進的芯片。

雖然N5/N4和N7/N6系列制程技術有完全不同的設計規(guī)則，前者比后者更先進，因為它們使用了多達14層極紫外光刻層，但它們使用的設備總體上是相似的。因此，N5/N4制程可重復使用多達90%的N7/N6生產線設備，使晶圓廠升級相對容易。

所以，對臺積電來說，將熊本晶圓二廠升級到N4和N5制程工藝并不是大的挑戰(zhàn)，但產線可能需要重新設計，因為N4生產線需要更多的極紫外光刻機，而這些設備要比DUV光刻機更大。

報道稱，早在2023年，臺積電就曾考慮在熊本生產N4制程，因此可能在建設之時就已經為安裝更多EUV光刻機做好準備。

關于臺積電的一個有趣現象是，雖然臺積電熊本晶圓二廠在今年10月底進入了早期的實際建設階段，11月現場拍攝的照片顯示現場有起重機、挖掘機和打樁機。然而，12月初拍攝的圖像顯示，幾乎所有重型設備都已被移除。此外，供應商也被通知工作將暫停，但未說明原因。

有報道稱，臺積電據稱通知其設備供應商，2026年全年日本不需要新設備，這意味著由于施工延誤，明年不會開始裝備熊本晶圓二廠。