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一汽奧迪高管內(nèi)涵車企用消費(fèi)級(jí)芯片

7月14日消息，消費(fèi)級(jí)芯片到底該不該用在車上，這個(gè)話題又一次引起了網(wǎng)友的熱議。近日，一汽奧迪銷售有限責(zé)任公司執(zhí)行副總經(jīng)理李鳳剛發(fā)視頻稱，有的車企認(rèn)為消費(fèi)級(jí)的芯片算力更強(qiáng)，安全也有保障。

發(fā)表于：7/15/2025

一汽奧迪公開反對(duì)汽車消費(fèi)級(jí)芯片

7月13日消息，近日，有關(guān)車規(guī)級(jí)芯片和消費(fèi)級(jí)芯片的話題引發(fā)爭(zhēng)議。一汽奧迪銷售有限責(zé)任公司執(zhí)行副總經(jīng)理李鳳剛發(fā)視頻稱，消費(fèi)級(jí)和車規(guī)級(jí)芯片差別很大，汽車不是快消品，奧迪絕不會(huì)拿用戶練手。

發(fā)表于：7/14/2025

ICDIA 2025 創(chuàng)芯展圓滿落幕！

7月11日-12日，由中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新聯(lián)盟、國(guó)家“芯火”雙創(chuàng)基地（平臺(tái)）聯(lián)合主辦的第五屆中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)暨IC應(yīng)用生態(tài)展（ICDIA 2025）在蘇州成功召開

發(fā)表于：7/14/2025

意法半導(dǎo)體推出面向智能駕駛艙的高頻數(shù)字車規(guī)音頻功放

2025 年 6 月 24日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體推出車規(guī) D類音頻功放，面向智能座艙應(yīng)用，器件整體尺寸很小，配備數(shù)字輸入接口，可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：7/9/2025

四大核心要素驅(qū)動(dòng)汽車智能化創(chuàng)新與相關(guān)芯片競(jìng)爭(zhēng)格局

傳統(tǒng)汽車計(jì)算架構(gòu)中，往往采用CPU與GPU或/和NPU等計(jì)算單元組成異構(gòu)計(jì)算模式；隨著自動(dòng)駕駛算法從L1向L5快速演進(jìn)對(duì)軟件適配性的要求越來(lái)越高，以及不斷有新的傳感器和信息娛樂(lè)設(shè)備加入車內(nèi)，不同的架構(gòu)開始出現(xiàn)不同的發(fā)展軌跡。同時(shí)，系統(tǒng)復(fù)雜性快速提升、大量的數(shù)據(jù)搬運(yùn)、資源調(diào)度協(xié)同難度提升和軟件快速迭代等新挑戰(zhàn)開始出現(xiàn)，使缺乏靈活性的硬件架構(gòu)成為了在技術(shù)、安全和成本等多個(gè)方面制約汽車智能化發(fā)展的瓶頸。

發(fā)表于：7/8/2025

強(qiáng)茂推出業(yè)界領(lǐng)先的超低VF整流橋系列

PANJIT推出具備175°C (TJ)高結(jié)溫溫度能力的HULV超低VF橋式整流器系列，持續(xù)引領(lǐng)高效能功率整流技術(shù)。此系列在800V反向耐壓條件下，展現(xiàn)業(yè)界最佳的熱穩(wěn)定性與導(dǎo)通效率，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器、電信設(shè)備、游戲平臺(tái)以及80+白金/鈦金級(jí)PC電源等高功率密度系統(tǒng)。HULV系列采用先進(jìn)的平面EPI芯片接面制程技術(shù)，并導(dǎo)入聚酰亞胺（polyimide）保護(hù)層設(shè)計(jì)，有效強(qiáng)化產(chǎn)品在嚴(yán)苛熱環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。

發(fā)表于：7/8/2025

Qt以23億美元價(jià)格收購(gòu)IAR

瑞典軟件工具開發(fā)商 IAR 已接受汽車軟件公司 Qt 集團(tuán)對(duì)該公司的 $230m 出價(jià)。這筆現(xiàn)金交易為 180 瑞典克朗，比當(dāng)前股價(jià)溢價(jià) 66%。得到了主要機(jī)構(gòu)投資者的支持，持有 38% 的股份。

發(fā)表于：7/8/2025

英飛凌將CAPSENSE?集成至PSOC? HV微控制器

2025年7月7日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）最新推出了PSOCTM 4 HVMS產(chǎn)品系列，擴(kuò)展其PSOC? 4 HV微控制器（MCU）平臺(tái)。

發(fā)表于：7/8/2025

我國(guó)牽頭制定的首個(gè)網(wǎng)聯(lián)車輛電磁輻射抗干擾ISO國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

7 月 3 日消息，據(jù)央視新聞今日?qǐng)?bào)道，由我國(guó)牽頭制定的《道路車輛窄帶輻射電磁能的抗擾性 V2X 輻射抗擾度》國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)近日正式發(fā)布，來(lái)自韓國(guó)、法國(guó)等國(guó)家的專家共同參與了該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的研究制定工作。

發(fā)表于：7/4/2025

特斯拉電池壽命數(shù)據(jù)公布：約32萬(wàn)公里后容量降至80%

7 月 2 日消息，特斯拉公布了一系列關(guān)于其電動(dòng)汽車電池壽命的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)顯示，在特斯拉大規(guī)模銷售電動(dòng)汽車的大約十年時(shí)間里，特斯拉電動(dòng)汽車的電池在平均行駛里程達(dá)到 20 萬(wàn)英里（IT之家注：約 32.19 萬(wàn)公里）時(shí)，其容量會(huì)降至原始容量的 80%，無(wú)論電池化學(xué)成分如何。

發(fā)表于：7/3/2025

英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2

【2025年7月1日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：7/2/2025

蔚來(lái)宣布自研的全球首顆5nm智駕芯片達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)

7月1日消息，今天蔚來(lái)創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)、CEO 李斌發(fā)文稱，在剛剛過(guò)去的周末，蔚來(lái)世界模型NWM開始陸續(xù)推送到ET9、新ES6、新EC6、新ET5和新ET5T上。這標(biāo)志著蔚來(lái)自研的全球首顆車規(guī)級(jí)5納米智駕芯片神璣NX9031的應(yīng)用性能達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)，充分證明了蔚來(lái)芯片團(tuán)隊(duì)優(yōu)秀的芯片設(shè)計(jì)能力和軟硬件工程能力。

發(fā)表于：7/2/2025

ASIL-B認(rèn)證落地！萊迪思通過(guò)汽車功能安全大考

　　近日，國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為上海萊迪思半導(dǎo)體有限公司Video Stream & Icon Safety Protection IP Core頒發(fā)ISO 26262:2018功能安全ASIL-B Ready證書，并同時(shí)為L(zhǎng)attice Propel Builder Tool 2023.2頒發(fā)ISO 26262:2018功能安全產(chǎn)品認(rèn)證證書。

發(fā)表于：6/30/2025

2025Q1中國(guó)車用5G網(wǎng)絡(luò)接入設(shè)備出貨量同比增長(zhǎng)134%

6 月 27 日消息，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) CounterPoint Research 昨日（6 月 26 日）發(fā)布博文，報(bào)告稱在 2025 年第 1 季度全球車用網(wǎng)絡(luò)接入設(shè)備（NAD）模塊保持上升趨勢(shì)，出貨量同比增長(zhǎng) 14%。

發(fā)表于：6/27/2025

瑞薩電子悄然放緩未來(lái)十年增長(zhǎng)預(yù)期

6 月 27 日消息，日本瑞薩電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日舉行了本年度的資本市場(chǎng)日（投資者日）活動(dòng)。而在配套的演示文稿中瑞薩將其到 2030 年實(shí)現(xiàn) 200 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 1432.75 億元人民幣）以上年?duì)I收、市值達(dá) 2022 年六倍的目標(biāo)延后至 2035 年。關(guān)于碳化硅企業(yè) Wolfspeed 的破產(chǎn)重組，瑞薩將在 2025 年二季度的財(cái)報(bào)中計(jì)提 2500 億日元（現(xiàn)匯率約合 123.88 億元人民幣）的損失；同時(shí)受此影響，瑞薩將暫停碳化硅和 IGBT 的研發(fā)，甲府工廠將專注于 MOSFET 和氮化鎵產(chǎn)品。

發(fā)表于：6/27/2025