Vishay發(fā)布用于醫(yī)療電子和高端音響的新系列繞線電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出可用于醫(yī)療成像設(shè)備和高端音響的新系列無磁、無感軸向引線的繞線電阻---MRA系列，電阻的功率等級高達(dá)12W，可在+350℃高溫下工作。

發(fā)表于：2014/4/18

Vishay推出對環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布用于DC-link應(yīng)用的新款環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器件具有1μF～500μF的容量范圍、小尺寸占位，電壓等級從500V到1200V。

發(fā)表于：2014/4/16

意法半導(dǎo)體(ST) 最新的I2C串口EEPROM采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的微型輕量封裝，讓便攜式顯示器進(jìn)一步瘦身

意法半導(dǎo)體推出最新的面積僅為1.4mmx 1.7mm的新款UFDFPN5，將串口EEPROM的微型化提高到一個新的水平。

發(fā)表于：2014/4/11

LSI Nytro新品支持橫向擴展

LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出Nytro MegaRAID® 8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計用于對磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴展服務(wù)器和存儲環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個SAS/SATA連接接口。相對于現(xiàn)有的Nytro MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍。

發(fā)表于：2014/4/10

意法半導(dǎo)體(ST) 最新的I2C串口EEPROM采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的微型輕量封裝，讓便攜式顯示器進(jìn)一步瘦身

意法半導(dǎo)體推出最新的面積僅為1.4mm x 1.7mm的新款UFDFPN5，將串口EEPROM的微型化提高到一個新的水平。

發(fā)表于：2014/4/10

Vishay新款精密薄膜片式電阻功率等級達(dá)2W

發(fā)表于：2014/4/10

Molex開發(fā)用于現(xiàn)今薄屏LED電視和監(jiān)視器的唯一單一連接器解決方案

Molex 公司推出IllumiMate? 1.00 和1.25 mm 間距線對板連接器系統(tǒng)，與目前市場上任何類似連接器系統(tǒng)相比，可為現(xiàn)今平板LED電視和PC監(jiān)視器制造商提供更多的接插方式、額定電壓、電路尺寸和鎖定類型。IllumiMate產(chǎn)品系列通過提供單一系統(tǒng)，讓設(shè)備制造商圍繞單一連接器類型和PCB占位面積圖形設(shè)計各種不同的模型。

發(fā)表于：2014/4/10

LSI閃存卡出貨量超十萬 再發(fā)新品支持橫向擴展

LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出Nytro MegaRAID® 8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計用于對磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴展服務(wù)器和存儲環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個SAS/SATA連接接口。相對于現(xiàn)有的Nytro MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍。

發(fā)表于：2014/4/4

RS獨家提供TE Connectivity電阻器套件

中國，北京，2014年4月3日消息 - 全球領(lǐng)先的電子與維修產(chǎn)品高端服務(wù)分銷商Electrocomponents plc 集團(tuán)公司（LSE:ECM）旗下的貿(mào)易品牌RS Components (RS)宣布獨家提供25種電阻器套件。這些套件均基于精選的TE Connectivity固定電阻器系列。

發(fā)表于：2014/4/3

Vishay推出精密車用可膠合薄膜片式電阻

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其0805外形尺寸的PATT精密車用薄膜片式電阻現(xiàn)已對外供貨。

發(fā)表于：2014/4/1

Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 3 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻，占位面積為2mm x 2mm。

發(fā)表于：2014/3/28

Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻，占位面積為2mm x 2mm。

發(fā)表于：2014/3/27

Vishay發(fā)布新款高穩(wěn)定性薄膜片式電阻實驗室樣品套件

今天發(fā)布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封裝的大約100個最常用阻值，嚴(yán)格的電阻公差為0.1%，溫度系數(shù)低至±25ppm/K。TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4) 提供的40個電阻對應(yīng)E-96系列的所有第4檔數(shù)值，阻值為51.1Ω～100kΩ。TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)提供的20個電阻對應(yīng)所有第4檔數(shù)值，阻值為10Ω～332kΩ。

發(fā)表于：2014/3/18

富士通半導(dǎo)體推出擁有1Mb內(nèi)存的全新FRAM器件

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，成功開發(fā)出擁有1Mb內(nèi)存(128K字符X 8位)的全新FRAM產(chǎn)品---MB85RC1MT，是所有富士通半導(dǎo)體I2C串行接口產(chǎn)品中最高內(nèi)存容量的產(chǎn)品，且即日起即可為客戶提供樣品。

發(fā)表于：2014/2/28

Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司今天宣布推出突破性的Spansion® HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)（SoC）制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。

發(fā)表于：2014/2/19