微波射頻相關(guān)文章 德州儀器柵極驅(qū)動器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設計需求 日前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 與碳化硅(SiC) FET 的35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅(qū)動器。TI 支持拆分輸出的最新UCC27531 與UCC27532 輸出級柵極驅(qū)動器可為隔離式電源設計提供最高效率的輸出驅(qū)動功能、最低的傳播延遲以及更高的系統(tǒng)保護力，以充分滿足太陽能DC/AC 逆變器、不間斷電源供應以及電動汽車充電等應用需求。 發(fā)表于：3/4/2013 電源設計小貼士 50：鋁電解電容器常見缺陷的規(guī)避方法 因其低成本的特點，鋁電解電容器一直都是電源的常用選擇。但是，它們壽命有限，且易受高溫和低溫極端條件的影響。鋁電解電容器在浸透電解液的紙片兩面放置金屬薄片。這種電解液會在電容器壽命期間蒸發(fā)，從而改變其電氣屬性。如果電容器失效，其會出現(xiàn)劇烈的反應：電容器中形成壓力，迫使它釋放出易燃、腐蝕性氣體。 發(fā)表于：2/26/2013 英飛凌選用漢高新型導熱膏——導熱性能更出色的TIM 功率半導體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設計階段就將散熱管理功能集成到當今的功率半導體中。只有這樣，它們才能確保實現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個技術(shù)瓶頸是功率器件和散熱器之間的導熱膏。在高功率密度的情況下，目前所用材料往往不能滿足與日俱增功率密度的提高。在尋求解決方案的過程中，英飛凌科技股份公司選中了漢高電子材料提供的TIM材料?，F(xiàn)在，漢高進一步推出一種專門針對功率半導體模塊而優(yōu)化的導熱膏。 發(fā)表于：2/26/2013 意法半導體（ST）與阿姆斯特丹大學理工學院合作追蹤鳥類飛行記錄 意法半導體與阿姆斯特丹（UvA）大學理工學院攜手宣布，該大學研發(fā)的先進鳥類追蹤系統(tǒng)采用了意法半導體的先進MEMS傳感技術(shù)。 發(fā)表于：2/22/2013 瑞薩電子發(fā)布擁有世界頂級超高開關(guān)速度，且集成IGBT柵極驅(qū)動保護功能的光電耦合器 全球領(lǐng)先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今天宣布發(fā)布兩款帶有集成絕緣柵門極晶體管（IGBT）[注釋1]保護功能的全新光電耦合器：PS9332L 和PS9332L2，這兩款光電耦合器適用于工業(yè)機械和太陽能系統(tǒng)等應用條件。 發(fā)表于：2/5/2013 瑞薩電子宣布推出適用于功率效率更高、緊湊型服務器電源的低通態(tài)電阻功率MOSFET 全球領(lǐng)先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）于今天宣布推出三種新型的低通態(tài)電阻MOSFET 產(chǎn)品，包括在網(wǎng)絡服務器和存儲系統(tǒng)內(nèi)的電源裝置中作為ORing [注釋3] FET使用的 µPA2766T1A。 發(fā)表于：2/4/2013 Avago Technologies推出新一代智能門驅(qū)動光電耦合器 有線、無線和工業(yè)應用模擬接口零組件領(lǐng)先供應商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出一款高度集成的新智能門驅(qū)動光電耦合器產(chǎn)品，ACPL-339J為面向MOSFET緩沖器高電壓和低電壓側(cè)門驅(qū)動應用進行優(yōu)化，具有雙輸出的1A電流輸出門驅(qū)動光電耦合器，ACPL-339J內(nèi)置定時主動控制電路，可以避免交越傳導并極小化MOSFET緩沖電路的開關(guān)損耗。 發(fā)表于：2/1/2013 Vishay推出可承受12kV高壓浪涌的業(yè)內(nèi)首款軸向水泥繞線電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列軸向水泥繞線電阻---Z300-C系列，是業(yè)內(nèi)首個具有12kV定制高壓浪涌承受能力的器件。 發(fā)表于：1/29/2013 TT electronics電阻系列產(chǎn)品全面增強浪涌和脈沖保護能力 TT electronics公司推出全面的繞線電阻系列，具有范圍從2W至7W的業(yè)界最高額定浪涌能量。WHS系列防燃電阻適用于廣泛的脈沖應用，特別瞄準需要線路輸入電阻來實現(xiàn)啟動電流限制和保護的電源設計人員的需求。 發(fā)表于：1/25/2013 美高森美擴展碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品系列 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標準功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應用的理想選擇。該功率模塊系列還提供了更寬的溫度范圍，以期滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對更高的功率密度、工作頻率和效率的要求。 發(fā)表于：1/25/2013 恩智浦推出針對熱插拔應用的新一代功率MOSFET 憑借在功率MOSFET領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日推出了其NextPower Live產(chǎn)品組合，設計出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS（on）值，該獨特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。 發(fā)表于：1/24/2013 殘留頻差對自適應陣列天線的影響 自適應陣列天線可以通過數(shù)字下變頻實現(xiàn)信號正交化，把中頻數(shù)字信號轉(zhuǎn)換到零中頻，然后進行加權(quán)求和。分析了變頻過程中因沒有進行載波同步所導致的殘留頻差對自適應陣列天線算法的影響。通過詳細的理論分析表明，只要上、下變頻采用相同本振，殘留頻差對算法并沒有影響，即使對帶通采樣系統(tǒng)，該結(jié)論同樣成立。對頻譜、陣列增益的仿真證明了理論分析的正確性。 發(fā)表于：1/23/2013 Vishay推出新款MICROTAN®片式鉭電容器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于空間受限的消費電子產(chǎn)品的新系列模塑MICROTAN®片式鉭電容器--- TL8。該系列器件使用高容量效率的封裝方案，提供業(yè)內(nèi)最高的容量電壓等級在高度0.8mm～1.0mm的低外形0805尺寸的器件。 發(fā)表于：1/22/2013 Diodes新型直流/直流轉(zhuǎn)換器提升輕載效率 Diodes公司(Diodes Incorporated) 為了讓電子產(chǎn)品能達到輕載及待機狀態(tài)能源效率標準，推出AP65200同步直流/直流降壓轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器在200mA輕載下的效率可高達96%，即使負載低至20mA仍能維持70%以上的效率。該轉(zhuǎn)換器具有高集成度，需要很少的外部元件，適合于電視、顯示屏及機頂盒等消費性電子產(chǎn)品內(nèi)的分布式供電架構(gòu)。 發(fā)表于：1/17/2013 Vishay新款表面貼裝TRANSZORB®雙向TVS具有3kW的高浪涌能力 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用SMC DO-214AB封裝的新系列表面貼裝TRANSZORB®雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)--- SMC3K。該系列器件在10/1000μs下的浪涌能力達到3kW，可用于汽車和電信應用。 發(fā)表于：1/15/2013 ?…82838485868788899091…?
