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英飛凌成功推出以極具吸引力的性價比實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先效率的第五代thinQ!TM SiC肖特基勢壘二極管

英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產(chǎn)品陣容。英飛凌榮獲專利的擴(kuò)散焊接工藝早已應(yīng)用于第三代產(chǎn)品，如今又成功地與更緊湊的全新設(shè)計和最新的薄晶圓技術(shù)有機(jī)結(jié)合在一起，改進(jìn)了熱特性，并使一個優(yōu)值系數(shù)（Qc x Vf）與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。

發(fā)表于：2012/10/10

德州儀器 2.5A 隔離式柵極驅(qū)動器延長 1 倍器件使用壽命，并擴(kuò)大工作溫度范圍

日前，德州儀器(TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 與MOSFET 的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動器快40%。該ISO5500 的輸入TTL 邏輯與輸出功率級通過電容二氧化硅(SiO2) 隔離層隔開，與光耦合器及磁性隔離器相比，可將器件使用壽命延長1 倍。該器件與隔離電源配合使用時，可阻隔高壓、隔離接地、避免噪聲電流進(jìn)入本地接地，干擾或損壞敏感電路系統(tǒng)，從而提高電子產(chǎn)品的安全性與可靠性。

發(fā)表于：2012/10/9

恩智浦?jǐn)U展高速接口ESD保護(hù)產(chǎn)品組合

全球領(lǐng)先的ESD（靜電放電）保護(hù)器件供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克代碼：NXPI）今日宣布擴(kuò)展其電路保護(hù)器件范圍；這些產(chǎn)品同時具備超低電容和超低鉗位電壓特性。恩智浦ESD保護(hù)產(chǎn)品組合具有出色的ESD耐用保護(hù)，超過系統(tǒng)級的IEC61000-4-2第4級標(biāo)準(zhǔn)，包含15款器件，是保護(hù)HDMI、MHL、MIPI、DisplayPort、eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信號線的理想之選。

發(fā)表于：2012/9/18

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品, 抓住新興生態(tài)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)和綠色能源市場機(jī)會

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)對功率和能效的要求，瞄準(zhǔn)太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應(yīng)用。

發(fā)表于：2012/9/13

Microsemi擴(kuò)展NPT IGBT產(chǎn)品系列

致力于能源、安全、可靠性與高性能領(lǐng)域，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款I(lǐng)GBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產(chǎn)品系列的所有器件均基于美高森美的先進(jìn)Power MOS 8? 技術(shù)，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件設(shè)計用于大功率的高性能開關(guān)模式產(chǎn)品，比如電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷開關(guān)電源。

發(fā)表于：2012/9/12

意法半導(dǎo)體(ST)最新的冷卻旁路二極管可增加太陽能發(fā)電效率并降低成本

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），推出了用于太陽能模塊的新一代高能效的冷卻旁路開關(guān)（Cool Bypass Switch）系列。新產(chǎn)品可進(jìn)一步提高太陽能發(fā)電效率并降低再生能源發(fā)電的每瓦成本。業(yè)內(nèi)最小的尺寸使其可直接集成到太陽能模塊內(nèi)，從而降低太陽能發(fā)電系統(tǒng)的復(fù)雜性和安裝成本。

發(fā)表于：2012/9/11

德州儀器面向有線通信系統(tǒng)推出靈活的時鐘集成電路

日前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界最靈活的高集成時鐘抖動清除器(cleaner) / 乘法器(multiplier)，可充分滿足有線通信與測量測試應(yīng)用需求。該LMK04906 提供3 組支持保留特性(holdover feature)的冗余輸入以及7 組可編程輸出。這種靈活性可使設(shè)計人員不必使用振蕩器和時鐘緩沖器等外部組件，從而顯著降低材料清單(BOM) 成本并節(jié)省板級空間。此外，LMK040906 具有業(yè)界領(lǐng)先的100 fs RMS 抖動及-160 dBc/Hz 噪聲底限，可改善高速數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的信號完整性。

發(fā)表于：2012/9/6

Brad® Micro-Change® M12 Cat 6A連接器系統(tǒng) 提供高達(dá)10Gbps的出色信號完整性

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司推出功能強(qiáng)大的Brad Micro-Change® M12 Cat6A連接器系統(tǒng)，設(shè)計用于嚴(yán)苛環(huán)境中的視覺系統(tǒng)和其它高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用。高針腳密度(high-pin-density) 的Micro-Change連接器系統(tǒng)，符合用于高達(dá)10Gbps的高速以太網(wǎng)信號完整性的TIA和ISO/IEC Cat 6A規(guī)范，并具有創(chuàng)新的x-coding交叉屏蔽(cross-shielding)設(shè)計(符合IEC 61076-2-109規(guī)范)，在高達(dá)500Mhz的頻帶寬度內(nèi)提供出色的性能和傳輸可靠性。

發(fā)表于：2012/9/4

IR全新600V IGBT提供更高功率密度和效率適合電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。

發(fā)表于：2012/9/4

圣邦推出支持鋰電池過壓檢測功能的過壓保護(hù)器件SGM4062

圣邦微電子（SG MICRO）于2012年推出過壓保護(hù)芯片SGM4062。該產(chǎn)品具有鋰電池過壓檢測功能、啟動過流保護(hù)功能。SGM4062過壓保護(hù)電壓典型值為6.8V。當(dāng)輸入電壓高于6.8V時，過壓保護(hù)功能（OVP）啟動，自動斷開電路以保護(hù)系統(tǒng)安全。

發(fā)表于：2012/9/3

Molex新型Micro-Lock? Positive-Lock連接器具有‘免損毀’插配保護(hù)特性

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司推出新的通孔(through-hole)Micro-Lock?單排連接器產(chǎn)品線，用于數(shù)據(jù)/通信、電信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和消費電子產(chǎn)品，包括游戲機(jī)和LCD及PDP平板顯示器的線對板應(yīng)用。Micro-Lock確立鎖閂(positive-lock)2.00 mm間距連接器具有6.00 mm的低插配側(cè)高和‘免損毀’設(shè)計特性，防止在連接器插配期間損壞連接頭針腳。

發(fā)表于：2012/8/16

Microchip推出首款5V工作、1 Mb容量和80 Mbps速度的業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快器件，擴(kuò)展串行SRAM產(chǎn)品組合

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應(yīng)。通過四路SPI或SQI?協(xié)議可實現(xiàn)高達(dá)80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學(xué)、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。

發(fā)表于：2012/8/7

瑞薩電子第七代650V和1250V IGBT建立了一個新的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，可以在工業(yè)應(yīng)用中實現(xiàn)高效的解決方案，如太陽能及工業(yè)電機(jī)逆變器

瑞薩電子公司(TSE: 6723)，高級半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，今天宣布為其第七代具有業(yè)界領(lǐng)先性能的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）陣列增加13款新產(chǎn)品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，用于將DC轉(zhuǎn)換成AC電源的系統(tǒng)中，設(shè)計用于對應(yīng)高電壓和大電流的應(yīng)用，如太陽能發(fā)電機(jī)和工業(yè)電機(jī)用功率調(diào)節(jié)器(功率轉(zhuǎn)換器)。第七代技術(shù)，采用增強(qiáng)型薄化晶圓工藝，在傳導(dǎo)、開關(guān)損耗以及耐受能力之間達(dá)到了低損耗平衡，以承受短路情況的發(fā)生。

發(fā)表于：2012/7/25

英飛凌面向低電壓應(yīng)用的最新防靜電二極管，提升消費電子產(chǎn)品的可靠性

英飛凌科技發(fā)布了一系列可用于改善靜電防護(hù)性能的TVS（瞬態(tài)電壓抑制）二極管。靜電放電（ESD）可能對敏感的消費電子系統(tǒng)造成損害。全新±3.3V雙向二極管系列擁有行業(yè)領(lǐng)先的箝位電壓和靜電吸收率，可以防止電尖峰脈沖對系統(tǒng)的音頻輸入端口或觸屏接口電路等部位造成沖擊。

發(fā)表于：2012/7/16

愛特梅爾帶有唯一標(biāo)識符的新型串行EEPROM產(chǎn)品系列簡化設(shè)計并降低聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品成本

微控制器及觸摸技術(shù)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布推出兩個新的串行EEPROM產(chǎn)品系列。AT24MAC系列器件具有預(yù)編程媒體存取控制(Media Access Control，MAC)/擴(kuò)展唯一標(biāo)識符(Extended Unique Identifier，EUI)的節(jié)點身份地址，緩減客戶對自行對MAC/EUI地址進(jìn)行編程和維護(hù)相關(guān)的復(fù)雜數(shù)據(jù)的需求，使得所有類型聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的開發(fā)更簡單、更快速、和更廉宜。AT24CS系列器件包括工廠編程唯一只讀序列號，可以幫助客戶簡化批量生產(chǎn)線的存貨控制并增強(qiáng)產(chǎn)品的可追溯性。

發(fā)表于：2012/7/13