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微波射頻相關文章

基于μC/OS-Ⅱ的超高頻雙協(xié)議RFID讀寫器設計

在超高頻段，ISO18000-6標準中的6B多用于交通領域，而6C主要用于物流、生產(chǎn)管理和供應鏈管理領域，二者都是目前常用的標準協(xié)議。鑒于此，提出一種同時支持ISO18000-6B和6C雙協(xié)議超高頻RFID讀寫器的設計。該設計采用基于專用芯片AS3992的射頻前端模塊和以LM3S8962為主的控制模塊，搭載μC/OS-Ⅱ系統(tǒng)，通過程序進行串口初始化、AS3992驅(qū)動、防碰撞算法、CRC校驗和寄存器的讀寫操作等實現(xiàn)對電子標簽的遠距離操作。本系統(tǒng)具有開發(fā)簡單、功耗低、體積小、成本低的特點。

發(fā)表于：12/3/2012

Marvell DragonFly榮獲2012年最佳商業(yè)獎

全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技（Marvell，Nasdaq: MRVL）今日宣布，Marvell®DragonFly? NVRAM SSD加速器當選為最佳商業(yè)獎(Best in Biz Award)的年度企業(yè)產(chǎn)品銀獎，此獎項是唯一一個由媒體及行業(yè)分析師評出的獨立商業(yè)獎項。

發(fā)表于：11/30/2012

FCI的無屏蔽式AirMax VS2TM連接器為12.5 Gb/s應用確立富有競爭力的行業(yè)基準

CI, 一家連接器和互連系統(tǒng)的領先制造商，開發(fā)了AirMax VS® (虛擬屏蔽) 連接器系統(tǒng)的高級版本，為12.5 Gb/s數(shù)據(jù)傳輸速率應用在性價比方面確立了新行業(yè)基準。

發(fā)表于：11/30/2012

富士通半導體推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM

富士通半導體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。

發(fā)表于：11/28/2012

德州儀器推出業(yè)界首款應用于嚴苛環(huán)境的4MB閃存器

前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界首款應用于嚴苛環(huán)境的高溫非易失性（nonvolatile）閃存器，該SM28VLT32-HT 具有4 MB 工作容量，無需對產(chǎn)品規(guī)格書規(guī)范以外的溫度范圍進行工業(yè)級組件的昂貴上篩選（up-screening）及認證測試。該器件不但可在極端溫度下記錄數(shù)據(jù)，還可確保在油氣勘探、重工業(yè)以及航空等嚴苛應用環(huán)境中工作至少1000 小時。

發(fā)表于：11/23/2012

Molex SST Harsh IP67遠程通信模塊為Rockwell Logix控制器提供PROFIBUS連通性

全球領先的全套互連產(chǎn)品供應商Molex公司在2012年Automation Fair®展會上展示SST? IP67 PB3遠程模塊，該器件是具有on-board PROFIBUS*和以太網(wǎng)通信端口的鏈接器件，針對為Rockwell Logix控制器(CompactLogix, ControlLogix, SoftLogix?等)增添PROFIBUS主從連通性提供了快速簡便的解決方案。

發(fā)表于：11/22/2012

Microsemi新型SiC肖特基二極管提升電氣功率轉(zhuǎn)換效率

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準廣泛的工業(yè)應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高壓應用。

發(fā)表于：11/22/2012

Microchip推出集成MOSFET驅(qū)動器的高電壓模擬降壓PWM控制器，以及高速、低FOM的MOSFET系列

全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調(diào)制（PWM）控制器與配套的低品質(zhì)因數(shù)（FOM）MOSFET產(chǎn)品系列組合支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設計，涵蓋了廣泛的消費電子和工業(yè)應用。這兩個全新系列彰顯了Microchip對于其實現(xiàn)更高電壓、更高效率及行業(yè)趨向的更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)這一承諾的顯著進步。

發(fā)表于：11/19/2012

IDT 推出業(yè)界最低功率 DDR3 - 1866 內(nèi)存緩沖芯片用于高性能 LRDIMM 應用

IDT®公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率，并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量，新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領域的領導者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用于服務器、工作站和存儲應用的先進內(nèi)存子系統(tǒng)的關鍵組件。

發(fā)表于：11/12/2012

FCI為XLerate?系列有源光纜提供CXP連接選項，以提供12通道、150Gb/s傳輸速度

作為連接器和互連系統(tǒng)的領先制造商，F(xiàn)CI開發(fā)了CXP-to-CXP 12X連接方案，可以補充其XLerate? -12X 系列有源光纜組件的產(chǎn)品線。12-通道光纜組件支持每通道高達12.5Gb/s 的信號傳輸速率，提供150Gb/s總帶寬，以及每厘米線性板長55Gb/s 的速率。XLerate-12X系列 CXP界面支持IEEE802.3ba和Infiniband工業(yè)標準。

發(fā)表于：11/9/2012

Diodes肖特基二極管節(jié)省空間高達66%

Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型無引線DFN0603封裝的肖特基二極管。該30V、0.1A額定值的SDM02U30LP3包含了開關、反向阻斷及整流功能，從而滿足智能手機與平板電腦等超便攜產(chǎn)品更高密度的設計需求。

發(fā)表于：10/31/2012

Diodes推出超微型二極管適用于輕巧便攜式產(chǎn)品

Diodes公司 (Diodes Incorporated)推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封裝的產(chǎn)品。這批首次推出的6.0V 基納二極管及開關二極管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的規(guī)格供應，比采用DFN1006-2封裝的同類產(chǎn)品節(jié)省70%的印刷電路板空間，并降低40%的離板高度。

發(fā)表于：10/25/2012

Fox推出新型XpressO TCXO

全球領先的頻率控制解決方案供應商及IDT附屬公司Fox Electronics現(xiàn)已推出定制頻率達到250MHz的新型TCXO產(chǎn)品XpressO-TC，進一步增強其創(chuàng)新型XpressO低抖動可配置振蕩器系列。與所有XpressO振蕩器一樣，新型TCXO器件能夠在十個工作日以內(nèi)出貨，遠較競爭產(chǎn)品的標準出貨時間優(yōu)勝。

發(fā)表于：10/18/2012

富士通半導體推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止，富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內(nèi)工作的FRAM產(chǎn)品，為當今對元器件電壓范圍要求高的領域提供了設計的方便。作為全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器FRAM供應商，富士通后續(xù)還將根據(jù)市場需求推出更大容量的產(chǎn)品。

發(fā)表于：10/16/2012

SICK公司IME電感式接近開關

IME系列接近開關是SICK公司根據(jù)目前國內(nèi)市場對接近開關的產(chǎn)品要求而開發(fā)出的新一代的接近開關，本土化的設計，本地化的生產(chǎn)，給客戶提供了一個最高性價比的產(chǎn)品。

發(fā)表于：10/15/2012