Diodes新型 MOSFET離板高度減半

Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為-25V的P通道器件，體積較同類器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。

發(fā)表于：2012/5/2

基于無線傳感網(wǎng)絡(luò)的智能溫室大棚監(jiān)控系統(tǒng)

針對傳統(tǒng)人工采集費時費力和有線監(jiān)控布線復(fù)雜、維護困難的局限性，將傳感器與ZigBee無線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)相結(jié)合，提出了無線傳感網(wǎng)絡(luò)的智能溫室大棚監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)計方案。該系統(tǒng)利用ZigBee技術(shù)實現(xiàn)對采集數(shù)據(jù)及信息的無線收發(fā)，通過公共網(wǎng)關(guān)接口CGI將數(shù)據(jù)和控制信息傳送到互聯(lián)網(wǎng)。操作人員可從遠距離的PC機上實時查看數(shù)據(jù)、實施控制，從而實現(xiàn)了真正意義的遠程監(jiān)控。

發(fā)表于：2012/4/27

基于單片機的無線病房呼叫系統(tǒng)設(shè)計

在傳統(tǒng)病房呼叫系統(tǒng)的基礎(chǔ)上提出一種基于單片機實現(xiàn)的無線病房呼叫系統(tǒng)設(shè)計方法，給出了基于單片機和射頻通信芯片nRF401而設(shè)計的硬件原理圖，并對影響無線通信性能的通信協(xié)議的設(shè)計、數(shù)據(jù)幀和防信息碰撞方法的實現(xiàn)及混合信號PCB板設(shè)計等做了較詳細的探討。

發(fā)表于：2012/4/25

瑞薩電子推出低功耗，超小型功率MOSFET，為便攜式裝置提供更高的功效和更小的封裝尺寸

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和解決方案的主要供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）今天宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品，理想用于包括智能手機和筆記本在內(nèi)的便攜式電子產(chǎn)品。具有業(yè)界領(lǐng)先的低功耗（低導(dǎo)通電阻），新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601，配置了超緊湊型2 mm× 2 mm封裝，從而具有提升的功率效率并實現(xiàn)了小型移動器件封裝尺寸的小型化。

發(fā)表于：2012/4/19

能源計量的多傳感器信息系統(tǒng)解決方案

節(jié)能減排以能源計量技術(shù)為基礎(chǔ)，作為分支計量學(xué)科的能源計量是技術(shù)與管理結(jié)合體的、復(fù)雜的、邊沿性的重要社會活動。以量、質(zhì)、損、殘、存等的能源計量系統(tǒng)是能源量及使用程度的計量系統(tǒng)。

發(fā)表于：2012/4/12

存儲技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機遇？

縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動力源，當年的光盤存儲技術(shù)興起，就帶動了中國整體光盤機產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲技術(shù)會給我們的本土企業(yè)帶來了什么機遇？這里結(jié)合自己的體會聊做分析。

發(fā)表于：2012/3/29

進化論讓MEMS產(chǎn)業(yè)在震后變得更加強大

進化論認為適者生存，這有時是一個殘酷的自然選擇過程，幸存的都是比較強壯和適應(yīng)能力較強的生物體。對于MEMS市場來說，日本地震就相當于一個進化論事件，災(zāi)后供應(yīng)鏈變得更加豐富、更加多樣化，也更適應(yīng)成長。

發(fā)表于：2012/3/27

新日本無線開發(fā)了壓電式蜂鳴器驅(qū)動IC，最適合于醫(yī)療保健器械、安防監(jiān)控設(shè)備等

新日本無線株式會社成功開發(fā)了內(nèi)置電荷泵的壓電式蜂鳴器驅(qū)動IC NJU72501，并已經(jīng)開始投入生產(chǎn)了。此驅(qū)動IC最適合于驅(qū)動醫(yī)療保健器械及安防監(jiān)控設(shè)備上裝置的壓電式蜂鳴器或壓電式報警器。

發(fā)表于：2012/3/19

爾必達破產(chǎn)勢必推升DRAM價格和營業(yè)收入

據(jù)IHS iSuppli公司的內(nèi)存與存儲研究報告，日本爾必達本周申請破產(chǎn)保護，將有利于DRAM市場中剩余的其它廠商，因為此舉將導(dǎo)致今年下半年供應(yīng)減少、提振價格和營業(yè)收入。

發(fā)表于：2012/3/14

大容量NANDFlash在多媒體手機中的應(yīng)用

在多媒體手機中NANDFlash主要用來存儲多媒體數(shù)據(jù)（圖片、語音文件等）。在實際應(yīng)用中不會對NANDFlash進行頻繁的寫入和擦除操作，而且多媒體數(shù)據(jù)對數(shù)據(jù)的完整性要求也不是很高，但是多媒體數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量較大。這些特征決定了使用NANDFlash來存儲多媒體數(shù)據(jù)是十分恰當?shù)?，這也正是業(yè)界的通行做法。

發(fā)表于：2012/3/9

意法半導(dǎo)體（ST）傳感器大幅提升室內(nèi)導(dǎo)航精度

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）在剛剛結(jié)束的巴塞羅那移動通信世界大會上展示了世界上最精確的手機室內(nèi)定位應(yīng)用。作演示的智能手機包含了CSR公司的最前沿的SiRFusionTM 定位技術(shù)和意法半導(dǎo)體的優(yōu)化的MEMS (微機電系統(tǒng))慣性測量單元。這個演示證明，即使在沒有全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)（GNSS）衛(wèi)星信號的情況下，定位精度也能達到幾米的范圍內(nèi)。

發(fā)表于：2012/3/9

新日本無線開發(fā)了針對智能手機的低插入損耗、小型大功率開關(guān)

新日本無線株式會社(總部:東京都中央?yún)^(qū)　代表取締役社長　小倉　良)成功開發(fā)了最適合于智能手機頻段切換并具有低插入損耗、小型等特點的大功率開關(guān)NJG1681MD7/NJG1682MD7，現(xiàn)已經(jīng)開始投入生產(chǎn)。

發(fā)表于：2012/3/2

瑞薩電子強化全球采購體系 新設(shè)全球采購?fù)七M室

發(fā)表于：2012/2/29

ADI戰(zhàn)術(shù)級MEMS產(chǎn)品 挑戰(zhàn)高端應(yīng)用

據(jù)IHS iSuppli公司預(yù)測，2011年中國MEMS消費增長約10%，銷售額將達到16億美元，至2015年則將達到26億美元，復(fù)合年度增長率為12.1%，市場前景極為可觀。而且汽車與工業(yè)MEMS市場增長速度將僅次于消費電子市場。

發(fā)表于：2012/2/27

瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET，可提高筆記本電池的功率效率

全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子（Li-ion）二級電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進行最佳化的µPA2812T1L。

發(fā)表于：2012/2/27