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恩智浦NextPowerS3可提供帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能的MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術(shù)。NextPowerS3是業(yè)界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或類似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能，而且這種MOSFET沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3 30V的產(chǎn)品適合于各種應(yīng)用，包括用于通信和云端計算機所需要的高效率電源、高性能便攜式計算機電源和電池供電式電機控制，如可充電電動工具。

發(fā)表于：9/26/2013

JEDEC® 發(fā)布通用閃存標準（UFS）2.0版

微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標準制定機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天發(fā)布通用閃存（UFS）標準2.0版。該標準專為需要高性能低功耗的移動應(yīng)用和計算系統(tǒng)而設(shè)計。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的鏈路帶寬以提高性能，延伸安全功能，并進一步降低功耗。

發(fā)表于：9/23/2013

Molex子公司 Polymicro改進用于深紫外線應(yīng)用的FDP光纖產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司子公司Polymicro Technologies最近宣布提升其FDP光纖產(chǎn)品，最新的性能提升改進了光纖產(chǎn)品在深紫外線應(yīng)用(190nm - 325nm)中的曝曬。

發(fā)表于：9/18/2013

德路推出用于智能消費設(shè)備微透鏡的新型高科技材料

德路工業(yè)膠粘劑公司開發(fā)了新型的、用于透鏡生產(chǎn)的光固化環(huán)氧樹脂和丙烯酸酯。用于微透鏡的創(chuàng)新型光學(xué)材料對全球消費電子產(chǎn)業(yè)來說具有劃時代意義，因為這些材料最大程度滿足了微光學(xué)系統(tǒng)所有的質(zhì)量要求，并且使快速和低成本生產(chǎn)成為可能。如今，高科技透鏡應(yīng)用于陣列相機、手機、LED閃光燈以及3D屏幕中。

發(fā)表于：9/6/2013

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間及提高效率而設(shè)計的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

發(fā)表于：9/6/2013

LSI發(fā)布SandForce閃存控制器創(chuàng)新技術(shù)

LSI 公司(NASDAQ: LSI)發(fā)布其最新LSI®SandForce®閃存控制器的創(chuàng)新技術(shù)，并在近期舉行的美國加州閃存存儲器峰會上進行了演示。

發(fā)表于：9/5/2013

Vishay的新款MOS勢壘肖特基整流器具有10A和15A器件中業(yè)內(nèi)最低的正向壓降

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS®Trench MOS勢壘肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。這兩款器件是業(yè)內(nèi)首批在10A和15A下的典型正向壓降低至0.40V和0.41V，兼具優(yōu)化的漏電流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封裝，可用于智能手機和平板電腦的充電器。

發(fā)表于：9/5/2013

意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布擁有頂級性能的MEMS加速度計，提升豐富的用戶體驗

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、世界最大的MEMS產(chǎn)品制造商、世界最大的消費電子及便攜設(shè)備MEMS傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）日前發(fā)布了最新的高性能3軸MEMS加速度計LIS344AHH。新產(chǎn)品擁有達±18g的滿量程、高帶寬、低噪聲、高機械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，可提升游戲、用戶界面和增強實境的用戶體驗，以及工業(yè)控制和碰撞監(jiān)視的性能。

發(fā)表于：9/3/2013

Molex擴展Stac64產(chǎn)品系列推出14回路混合連接系統(tǒng)

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司擴展其Stac64?產(chǎn)品系列，推出14回路混合連接系統(tǒng)，Stac64混合連接系統(tǒng)由一個14回路混合插座連接器和14回路垂直和直角接頭構(gòu)成，以期滿足日益增長的擴展汽車和商業(yè)車輛中車載功能的端接需求。典型應(yīng)用包括車載娛樂系統(tǒng)、內(nèi)部照明和導(dǎo)航、電動座椅和車門區(qū)域模塊，以及儀表板群組。

發(fā)表于：9/2/2013

美高森美提供世界唯一自加密0.5TB 2.5” SATA SLC固態(tài)驅(qū)動器應(yīng)對數(shù)據(jù)存儲安全威脅

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)發(fā)布全球唯一的安全性0.5 TB (half-terabyte) 固態(tài)驅(qū)動器(solid state drive, SSD)產(chǎn)品，用于移動視頻監(jiān)控運作、存儲域網(wǎng)絡(luò)(SAN)和其它需要出色的實時數(shù)據(jù)保護的大容量存儲應(yīng)用。堅固耐用的TRRUST-Stor? Series 200 2.5” SATA SSD在持續(xù)的200 MB/s速率下運作，并且提供低于10s的業(yè)界最快速完全硬件基礎(chǔ)擦除時間，這款自加密0.5TB SSD現(xiàn)在可以供貨，目前付運至數(shù)家客戶，用于支持需要大容量安全存儲能力的應(yīng)用。

發(fā)表于：8/29/2013

意法半導(dǎo)體(ST)進一步擴大市場領(lǐng)先的MEMS產(chǎn)品組合，推出世界最小的電子羅盤模塊，實現(xiàn)更順暢且更智能的功能

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），利用其先進MEMS技術(shù)在一個封裝內(nèi)整合3軸加速度計和3軸磁力計，成功開發(fā)出世界上最小的電子羅盤模塊。

發(fā)表于：8/1/2013

一種基于閃存固態(tài)盤的內(nèi)存交換區(qū)空間分配方案

針對閃存固態(tài)盤語義缺失特性，提出了一種帶有語義感知的交換區(qū)空間分配方案，減少了交換系統(tǒng)中Trim命令的使用次數(shù)，進而減少內(nèi)存交換系統(tǒng)中的時間開銷，提高程序運行的性能。

發(fā)表于：7/30/2013

Molex MX150 非密封連接器系統(tǒng)以經(jīng)過現(xiàn)場驗證的MX150 端子系統(tǒng)為基礎(chǔ)，采用成本設(shè)計方法構(gòu)建

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司推出用于汽車工業(yè)直接連接或同軸(in-line)中等功率車身電子應(yīng)用的MX150?非密封連接器系統(tǒng)，用于內(nèi)部照明、控制臺、梳妝鏡、座椅和門鎖等空間受限場合。新型非密封連接系統(tǒng)使用目前獲得眾多線束制造商部署使用及經(jīng)過現(xiàn)場驗證的Molex MX150端子設(shè)計，較傳統(tǒng)USCAR 1.50mm接口顯著節(jié)省空間。

發(fā)表于：7/15/2013

Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky)二極管，為智能手機及平板電腦的設(shè)計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度。

發(fā)表于：7/4/2013

中國成為富士通FRAM最大市場，電表工控汽車等領(lǐng)域全面開花

近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達到出色市場量產(chǎn)業(yè)績的只有FRAM。那么現(xiàn)如今FRAM在中國的應(yīng)用進展如何？在哪些更多的應(yīng)用領(lǐng)域正在取代傳統(tǒng)的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢？

發(fā)表于：7/3/2013