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聚合電子制造產(chǎn)業(yè)鏈 2014 NEPCON華南電子展火爆招展中

華南地區(qū)最大、歷史最悠久的行業(yè)盛會(huì)之一的NEPCON South China 2014將在8月26日-28日閃耀深圳會(huì)展中心，今年也是NEPCON華南電子展20周年。

發(fā)表于：2014/8/6

Vishay推出基于氮化鋁基板的新款小尺寸表面貼裝精密薄膜片式電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列高功率表面貼裝的精密薄膜片式電阻---PCAN系列器件。該系列器件采用氮化鋁基板，功率等級(jí)為2W～6W，分別采用1206和2512小外形尺寸。

發(fā)表于：2014/8/1

IDT 發(fā)布 1.5 伏特 PCI Express® 時(shí)鐘緩沖器U系列，供給電壓與SoC和FPGA相同

IDT 發(fā)布 1.5 伏特 PCI Express® 時(shí)鐘緩沖器系列，使用同樣的 1.5 伏特電壓軌，降低系統(tǒng)復(fù)雜性、尺寸和功耗

發(fā)表于：2014/7/29

Vishay新薄膜片式電阻陣列在惡劣環(huán)境下亦具有極高可靠性

Vishay推出在惡劣環(huán)境下亦具有極高可靠性的新系列薄膜片式電阻陣列。器件采用金端接，具有±0.05%的相對(duì)公差和±5ppm/K的相對(duì)TCR，可用于導(dǎo)電膠合。

發(fā)表于：2014/7/25

IDT DDR4 寄存器發(fā)貨量達(dá)到百萬單位標(biāo)記線

IDT日前宣布，其DDR4 寄存器發(fā)貨量已超過1 百萬件，這是由于即將發(fā)布的Intel® Xeon? 處理器E5-2600 v3 平臺(tái)對(duì)下一代DRAM 模塊的需求增長(zhǎng)而引致的必然結(jié)果。IDT 的DDR4 寄存器是芯片組的一部分，芯片組還包括數(shù)據(jù)緩沖器和帶串行存在檢測(cè)(SPD) 功能的熱敏元件。同時(shí)，它們?nèi)w支持驅(qū)動(dòng)下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器所需的全系列無緩沖雙內(nèi)聯(lián)內(nèi)存模塊(UDIMM)、寄存DIMM (RDIMM) 和負(fù)載降低DIMM (LRDIMM)。

發(fā)表于：2014/7/24

基于測(cè)向天線的ADS-B信息校驗(yàn)技術(shù)研究

針對(duì)ADS-B技術(shù)存在的抗干擾能力低、容易受到干擾和欺騙的問題，在分析傳統(tǒng)的ADS-B信息校驗(yàn)技術(shù)的基礎(chǔ)上，提出了一種利用無線電測(cè)向技術(shù)實(shí)現(xiàn)ADS-B信息校驗(yàn)的新方法。該方法可以實(shí)現(xiàn)ADS-B虛假目標(biāo)的有效識(shí)別。

發(fā)表于：2014/7/3

意法半導(dǎo)體(ST)的二極管專利技術(shù)可大幅縮減充電器尺寸，并可加快充電速度

意法半導(dǎo)體的新系列場(chǎng)效應(yīng)整流二極管(FERD)完美解決了低正向壓降(VF)與低漏電流(IR)之間不可兼得的矛盾關(guān)系，讓充電器和筆記本適配器等設(shè)備的設(shè)計(jì)人員在無需使用成本更高的同步整流管的前提下滿足要求最嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)表于：2014/7/1

共形球面陣天線的三維方向圖綜合算法

在粒子群算法的基礎(chǔ)上，吸收了目前主流優(yōu)化算法的優(yōu)勢(shì)并加以改進(jìn)，得到了一種適用于共形球面陣天線的三維方向圖綜合算法，該算法針對(duì)共形球面陣天線的方向圖綜合問題，在預(yù)先獲得天線單元方向圖數(shù)據(jù)的前提下，優(yōu)化后可以得到三維空間任意指定波束指向及波束寬度的方向圖。仿真結(jié)果表明：這種三維方向圖綜合算法可以有效解決共形球面陣天線的方向圖綜合問題。

發(fā)表于：2014/6/25

超高頻短路環(huán)偶極子抗金屬標(biāo)簽的設(shè)計(jì)與分析

針對(duì)射頻識(shí)別（RFID）標(biāo)簽抗金屬性的實(shí)際需求，結(jié)合短路環(huán)偶極子天線輻射能力較強(qiáng)、制造簡(jiǎn)單、成本低、防靜電且適宜阻抗匹配等優(yōu)點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一類短路環(huán)偶極子抗金屬標(biāo)簽。設(shè)計(jì)中將標(biāo)簽天線制作在具有良好輻射特性、成本低廉、材質(zhì)為FR-4的基板上，減小金屬環(huán)境吸收電磁波對(duì)天線輻射的干擾，使短路環(huán)偶極子標(biāo)簽具有抗金屬性；同時(shí)在短路環(huán)偶極子天線中引入阻抗臂，通過阻抗臂對(duì)短路環(huán)偶極子天線進(jìn)行阻抗匹配及優(yōu)化。經(jīng)過仿真實(shí)驗(yàn)及測(cè)試其結(jié)果表明，所設(shè)計(jì)標(biāo)簽具有良好的抗金屬性和阻抗匹配特性。

發(fā)表于：2014/6/25

一種五天線雙頻點(diǎn)GPS接收機(jī)射頻前端設(shè)計(jì)

介紹了一種5路GPS天線同時(shí)輸入并且可以同時(shí)輸出2路GPS L1頻點(diǎn)中頻信號(hào)以及5路GPS L2頻點(diǎn)中頻信號(hào)的GPS射頻前端系統(tǒng)。該射頻前端可以同時(shí)處理多路GPS信號(hào)，輸出的中頻信號(hào)32級(jí)可調(diào)，功耗小，抗干擾能力強(qiáng)，特別適合需要同時(shí)處理多路信號(hào)的GPS接收機(jī)系統(tǒng)。

發(fā)表于：2014/6/20

北斗/GPS雙模射頻接收模組的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

順應(yīng)雙?；蚨嗄Ｐl(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)在民用市場(chǎng)中的發(fā)展趨勢(shì)和需求，結(jié)合衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)涉及的幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)和射頻電路設(shè)計(jì)的基本理論，采用兩片MAX2769射頻芯片，設(shè)計(jì)了一款北斗/GPS雙模兼容的射頻接收模組。實(shí)測(cè)結(jié)果表明，設(shè)計(jì)的模組性能優(yōu)越，工作穩(wěn)定，可以有效應(yīng)用于商用衛(wèi)星導(dǎo)航雙模兼容接收機(jī)的研究中。

發(fā)表于：2014/6/19

基于傳播模型和候機(jī)廳的三維無線定位技術(shù)

為了滿足航空旅客在機(jī)場(chǎng)候機(jī)大廳的位置服務(wù)需要，同時(shí)為了降低AP（Access Point）部署的高度對(duì)定位的影響，提出了一種基于信號(hào)強(qiáng)度和傳播模型的三維定位技術(shù)。該方法首先采用最小二乘法確定傳播模型的參數(shù)，再使用最小均方差實(shí)現(xiàn)定位。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該算法的誤差在3 m內(nèi)，準(zhǔn)確率達(dá)83.36%，能夠滿足旅客在機(jī)場(chǎng)候機(jī)廳內(nèi)位置服務(wù)的需要。

發(fā)表于：2014/6/16

Molex塑料基板互連(PSI)產(chǎn)品提供快速、可靠的LED板載 (CoB) 陣列燈座連接

Molex公司增添了用于LED板載(Chip-on-Board, CoB)陣列的塑料基板互連(PSI)產(chǎn)品，繼續(xù)成為固態(tài)照明(SSL)互連技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商。這些可定制的互連產(chǎn)品具有可提供電源的低側(cè)高線束接口，同時(shí)提供了簡(jiǎn)單、可靠的陣列燈座或塑料基板連接。MolexPSI具有~2.00mm的低總體封裝高度，實(shí)現(xiàn)了適用于空間受限應(yīng)用的纖細(xì)設(shè)計(jì)，同時(shí)最大限度地降低了基板成本。通過使用Pico-EZmate?線束系統(tǒng)，這款解決方案集成了電氣和機(jī)械特性，具有簡(jiǎn)單的免焊接LED陣列連接。

發(fā)表于：2014/6/6

基于混沌振子和EEMD的周期信號(hào)檢測(cè)方法

針對(duì)含強(qiáng)噪聲周期信號(hào)的檢測(cè)，提出基于混沌振子結(jié)合集合經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｊ椒纸饨翟氲臋z測(cè)新方法；針對(duì)相位差對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響，提出正反導(dǎo)入的檢測(cè)方法，該方法能有效克服由相位差造成的漏檢現(xiàn)象。對(duì)仿真信號(hào)和故障軸承振動(dòng)信號(hào)的檢測(cè)效果表明,混沌振子結(jié)合集合經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｊ椒纸饨翟氲姆椒苡行z測(cè)含在強(qiáng)噪聲中周期信號(hào),進(jìn)一步提高了混沌振子對(duì)周期信號(hào)的檢測(cè)能力和對(duì)噪聲的免疫力。

發(fā)表于：2014/6/6

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列─1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽能逆變器、電動(dòng)汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。

發(fā)表于：2014/6/3