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Ku波段0.18 μm CMOS壓控振蕩器電路設(shè)計(jì)

在TSMC 0.18 μm RF CMOS工藝下設(shè)計(jì)了一個(gè)Ku波段電感電容壓控振蕩器，該電路采用NMOS交叉耦合型，結(jié)合濾波技術(shù)降低相位噪聲，并利用開關(guān)電容陣列為其擴(kuò)頻，使電路獲得卓越的性能。后仿真結(jié)果表明，該電路實(shí)現(xiàn)了10 GHz～14 GHz的寬調(diào)頻，在整個(gè)頻帶內(nèi)其相位噪聲低于-112 dBc/Hz在1 MHz的偏移處；在1.8 V的電壓下，核心電路工作電流為5 mA。

發(fā)表于：2014/5/27

Vishay推出業(yè)內(nèi)首款采用2726和4026外形尺寸的 Power Metal Strip®檢流電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2726和4026外形尺寸，工作溫度高達(dá)+275℃的表面貼裝、4接頭的Power Metal Strip®檢流電阻--- WSLT2726和WSLT4026。Vishay Dale WSLT2726和WSLT4026具有良好的高溫性能和3W額定功率，以及低至0.002Ω的極低阻值。

發(fā)表于：2014/5/23

Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的150V N溝道MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用小尺寸、熱增強(qiáng)型SC-70® 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm，在10V下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，可通過減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，在各種空間受限的應(yīng)用中提高效率。

發(fā)表于：2014/5/9

Littelfuse推出新的463系列NANO²®超小型保險(xiǎn)絲，可在高電流應(yīng)用中發(fā)揮一流性能

Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，日前宣布推出463系列NANO2®保險(xiǎn)絲，這種快熔型超高電流保險(xiǎn)絲專為高工作電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：2014/5/6

Vishay發(fā)布新款高可靠性通用扁繞功率電阻

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款通用扁繞功率電阻---EDGU。

發(fā)表于：2014/5/5

Vishay Hi-Rel固鉭電容器為軍工和航天系統(tǒng)提供內(nèi)置熔絲

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于軍工和航天應(yīng)用的TANTAMOUNT®表面貼裝固鉭模塑片式電容器的新Hi-Rel系列產(chǎn)品---T42。

發(fā)表于：2014/4/30

Molex Plateau HS Dock+?連接器系統(tǒng)提升速度達(dá)150%

Molex 公司推出Plateau HS Dock+? 連接器系統(tǒng), 用于需要較高數(shù)據(jù)速率和出色信號(hào)完整性的網(wǎng)絡(luò)，以滿足網(wǎng)絡(luò)和無線設(shè)備市場的增長需求。

發(fā)表于：2014/4/30

Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中的，且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。

發(fā)表于：2014/4/29

Vishay發(fā)布8款采用低外形SlimSMA封裝的FRED Pt®超快恢復(fù)整流器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出8款新的采用小尺寸、低外形SlimSMA (DO-221AC) eSMP®系列封裝的2A和3A FRED Pt®超快恢復(fù)整流器。這些整流器具有超快和軟恢復(fù)特性、低泄漏電流和低正向壓降，通過AEC-Q101認(rèn)證，在汽車和電信應(yīng)用里可減少開關(guān)損耗和功耗。

發(fā)表于：2014/4/28

RS多層陶瓷電容削減通用電子應(yīng)用成本

中國，北京，2014年4月25日消息- 全球領(lǐng)先的電子與維修產(chǎn)品高端服務(wù)分銷商Electrocomponents plc 集團(tuán)公司（LSE:ECM）旗下的貿(mào)易品牌RS Components （RS）采用7英寸和13英寸標(biāo)準(zhǔn)貨盤，引入一系列RS品牌多層陶瓷電容器（MLCC）產(chǎn)品，令其無源部件供貨結(jié)構(gòu)更趨完備。這些器件可從RS庫存中直接供貨，讓客戶能夠以更低的成本，獲得隨時(shí)能夠自動(dòng)裝配的通用電容零件。這些電容器針對(duì)移動(dòng)消費(fèi)設(shè)備、視頻及調(diào)諧設(shè)計(jì)等廣泛的應(yīng)用，由于感應(yīng)系數(shù)較低，因此還是高頻應(yīng)用的理想選擇。

發(fā)表于：2014/4/25

Microchip推出用于DDR4 SDRAM模塊的4 Kb串行存在檢測EEPROM器件

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出新一代4 Kb I2C?串行存在檢測（Serial Presence Detect，簡稱SPD）EEPROM器件34AA04。新器件專門設(shè)計(jì)用于支持高速PC和筆記本電腦中的新一代雙倍數(shù)據(jù)數(shù)率4（Double Data Rate 4，簡稱DDR4）SDRAM模塊，同時(shí)也支持上一代DDR2/3平臺(tái)。

發(fā)表于：2014/4/22

Vishay發(fā)布用于醫(yī)療電子和高端音響的新系列繞線電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出可用于醫(yī)療成像設(shè)備和高端音響的新系列無磁、無感軸向引線的繞線電阻---MRA系列，電阻的功率等級(jí)高達(dá)12W，可在+350℃高溫下工作。

發(fā)表于：2014/4/18

Vishay推出對(duì)環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布用于DC-link應(yīng)用的新款環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器件具有1μF～500μF的容量范圍、小尺寸占位，電壓等級(jí)從500V到1200V。

發(fā)表于：2014/4/16

意法半導(dǎo)體(ST) 最新的I2C串口EEPROM采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的微型輕量封裝，讓便攜式顯示器進(jìn)一步瘦身

意法半導(dǎo)體推出最新的面積僅為1.4mmx 1.7mm的新款UFDFPN5，將串口EEPROM的微型化提高到一個(gè)新的水平。

發(fā)表于：2014/4/11

LSI Nytro新品支持橫向擴(kuò)展

LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出Nytro MegaRAID® 8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計(jì)用于對(duì)磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴(kuò)展服務(wù)器和存儲(chǔ)環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個(gè)SAS/SATA連接接口。相對(duì)于現(xiàn)有的Nytro MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍。

發(fā)表于：2014/4/10