《電子技術(shù)應(yīng)用》
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武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可

2014-09-11

2014年8月17日,武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開(kāi)了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專家評(píng)審會(huì),業(yè)內(nèi)專家對(duì)該項(xiàng)目的技術(shù)先進(jìn)性和產(chǎn)業(yè)化的可行性給予了一致認(rèn)可。

評(píng)審會(huì)邀請(qǐng)了王曦、葉甜春、魏少軍、陳賢、張興、張衛(wèi)、鄒雪城、吳華強(qiáng)等業(yè)界權(quán)威專家作為項(xiàng)目評(píng)審團(tuán),來(lái)自國(guó)家工信部、湖北省、武漢市和東湖高新區(qū)相關(guān)部門的領(lǐng)導(dǎo)參加項(xiàng)目評(píng)審會(huì)。

項(xiàng)目評(píng)審團(tuán)聽(tīng)取了可行性報(bào)告編制單位--賽迪顧問(wèn)股份有限公司基于武漢新芯公司的狀況、國(guó)家集成電路發(fā)展戰(zhàn)略及國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)器技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)所做的《三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目可行性研究報(bào)告》的匯報(bào)。武漢新芯詳細(xì)解答了專家們提出的問(wèn)題。經(jīng)過(guò)認(rèn)真的討論,評(píng)審團(tuán)一致認(rèn)為該項(xiàng)目符合地區(qū)與國(guó)家戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃,對(duì)保障國(guó)家信息安全及產(chǎn)業(yè)安全具有重大意義;項(xiàng)目符合市場(chǎng)需求,將彌補(bǔ)我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)上的空白,對(duì)我國(guó)飛速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)⑻峁┯辛Φ闹?。專家們還對(duì)項(xiàng)目的技術(shù)先進(jìn)性和產(chǎn)業(yè)化的可行性給予了肯定,希望項(xiàng)目盡快啟動(dòng)實(shí)施。

論證會(huì)的成功舉辦體現(xiàn)了各級(jí)政府及國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)武漢新芯及“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目的支持,武漢新芯的存儲(chǔ)器戰(zhàn)略邁出了堅(jiān)實(shí)的第一步。

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