報告要點

看好國內(nèi)存儲器行業(yè)，關注新型存儲技術(shù)

存儲器是國之重器，國內(nèi)兩大巨頭紫光國芯和武漢新芯均推出自己的產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍圖，這將成為近年來國家集成電路產(chǎn)業(yè)最大手筆的投入，蘊含著巨大的投資機遇。另外，我們于近期拜訪了華中科技大學武漢光電國家實驗室的繆向水教授，繆教授是教育部“長江學者”特聘教授，是國內(nèi)相變存儲器領域的頂尖專家，我們重點關注相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化進展。

國內(nèi)外巨頭紛紛布局相變存儲

三星早在2011年便推出PCM手機；Intel和Mircon在去年推出3D Xpoint，預計今年底或明年就能量產(chǎn)；IBM在多值存儲領域取得突破性進展，可大幅降低PCM的成本。國內(nèi)研究機構(gòu)主要有武漢光電國家實驗室和中科院上海微系統(tǒng)所，已經(jīng)有產(chǎn)品開發(fā)出來。

國內(nèi)相變存儲器的產(chǎn)業(yè)機遇

從全球整個產(chǎn)業(yè)的專利布局情況來看，三星占40%多，美光占9%，IBM15%，國內(nèi)14%左右。從產(chǎn)業(yè)支持的角度來看，國內(nèi)將興建多座存儲器工廠，相變存儲器的外圍電路用CMOS工藝就可以實現(xiàn)，包括讀寫電路、放大電路、編碼電路，都可以利用原來生產(chǎn)線大部分設備，只需添置部分設備就可以生產(chǎn)（如刻蝕），因此國內(nèi)可以改造生產(chǎn)線來量產(chǎn)相變存儲器。

推薦標的

紫光國芯—全方位布局存儲器產(chǎn)業(yè)

深科技—涉足存儲器封裝，其他業(yè)務看點多

長電科技—收購星科金朋，布局高端封測

南大光電—相變存儲將拉動新型MO的需求

艾派克—不僅僅只有打印機

七星電子—設備領域深度受益

鼎龍股份—CMP拋光墊領域新秀

風險提示

系統(tǒng)性風險：電子行業(yè)發(fā)展不及預期

看好國內(nèi)存儲器行業(yè)，關注新型存儲器技術(shù)

存儲器是國之重器，國內(nèi)兩大巨頭紫光國芯和武漢新芯均推出自己的產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍圖，這將成為近年來國家集成電路產(chǎn)業(yè)最大手筆的投入，蘊含著巨大的投資機遇。另外，我們于近期拜訪了華中科技大學武漢光電國家實驗室的繆向水教授，繆教授是教育部“長江學者”特聘教授，是國內(nèi)相變存儲器領域的頂尖專家。

存儲器行業(yè)現(xiàn)狀

存儲器廣泛應用于計算機、消費電子、網(wǎng)絡存儲、物聯(lián)網(wǎng)、國家安全等重要領域，是一種重要的、基礎性的產(chǎn)品。據(jù)CSIA統(tǒng)計，2015年國內(nèi)集成電路市場超過10000億，其中存儲器的市場總額（包括邏輯芯片中的存儲器）超過6100億元，市場空間巨大。

存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和NOR FLASH），NOR主要應用于代碼存儲介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲。在整個存儲器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM、NOR FLASH和Nand FLASH。

DRAM市場上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達到90%以上。從NandFLASH市場來講，2016年第一季度，三星占了35.1%，所占市場份額很大。整個存儲器芯片里面，三星所占市場份額是最大的，目前在市場上主導地位的是閃存（flash memory）。當工藝線寬小于16nm的時候，傳統(tǒng)閃存面臨著一定的物理極限。主要的問題：1、可靠性問題。工藝線寬尺寸小于16nm時，厚度逐漸下降，可靠性存在問題，可靠性限制了存儲器單層的厚度。2、當然那還有構(gòu)造問題。3、擦寫速度慢。4、有效的擦寫次數(shù)。

國外巨頭紛紛布局相變存儲器

三星

2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲器芯片；2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片；2012年基于20nm工藝制備8Gb相變存儲器芯片；2014年發(fā)布相變存儲器的產(chǎn)業(yè)報告。

美光

2009年基于45nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片；2011年發(fā)布第一款基于相變存儲器的SSD；2013年基于45nm工藝1Gb相變存儲器芯片實現(xiàn)量產(chǎn)；2015年聯(lián)合Intel發(fā)布3D Xpoint。

意法半導體

2009年聯(lián)合恒億共同發(fā)布90nm工藝4Mb嵌入式相變存儲器芯片；2010年，發(fā)布了通過材料改性工程N-GeTe實現(xiàn)更好的熱穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)保持；2013年，發(fā)布了通過材料改性工程N-Ge-GST實現(xiàn)SET與高低組保持的性能平衡。

IBM

2011年IBM發(fā)布了多值的相變存儲器操作算法，然后推出了基于MIEC材料選通的多層crosspoint存儲器。2014年IBM發(fā)布了6位多值存儲電阻漂移的算法解決辦法，2016年發(fā)布多值相變存儲器，進入90nm工藝。

國際其他產(chǎn)家，包括英特爾、臺積電等都有在其中做過相關工作。

國內(nèi)相變存儲器發(fā)展情況

國內(nèi)來說，主要是兩家：華中科技大學和中科院上海微系統(tǒng)所（宋志棠教授帶領的）。2010年華科制作的是1Mb, 中科院上海微系統(tǒng)所做的是8Mb的。

2009年武漢光電國家實驗室研制成功相變存儲器芯片，2010年我們研制成功1Mb的測試芯片，同時在相變速度方面，我們在全球是最快的，速度達到0.2ns。

此外，實驗室還研制出了相變存儲卡：

相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展機遇

武漢新芯2006年成立，2008年量產(chǎn)，主要做NOR Flash，良率在世界范圍內(nèi)很高。今年3月底啟動了國家集成電路基地項目，依托武漢新芯建設，主要做3D NAND 和DRAM，預計5年內(nèi)投資240億美元，計劃2020年月產(chǎn)能達到30萬片，2030年月產(chǎn)能達到100萬片，規(guī)模是很大的，為一代的新型存儲技術(shù)產(chǎn)業(yè)化打下基礎。國內(nèi)現(xiàn)在存儲器技術(shù)是熱點，三星在西安，英特爾在大連都要做3D NAND，海力士在無錫做NAND 和DRAM，最近福建晉江也建廠做DRAM。這些生產(chǎn)線，最小產(chǎn)能每個月10萬片以上，我國存儲器的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀可以得到徹底改觀。以前存儲器進口占比95%，現(xiàn)在投入很大，國內(nèi)和國外都在投，基本上都生產(chǎn)NAND 和DRAM。這些生產(chǎn)線的建設為以后新型存儲器的發(fā)展帶來很大的機遇。

從專利上來講，2002-2014年中2008-2009年專利是比較多的。全球整個專利布局方面，三星占40%多，美光占9%，IBM15%，國內(nèi)14%。在國內(nèi)中芯國際和上海微系統(tǒng)所在一起有200多個專利，華中科技大學有45個專利，復旦大學有29，半導體所有18個。從專利布局可以看出。三星從材料、結(jié)構(gòu)、測試、工藝、電路方面占比分別為17.7%、28.5%、8.4%、14.8%、30.6%，可以看出每個公司在專利方面的布局重點壓在什么地方。國內(nèi)也是材料占比15.07%，結(jié)構(gòu)占比39.72%、工藝占比15.07%、電路占比19.86%、測試占比7.54%，其它占比2.74%，這是整個專利布局申請的保護領域占整個相變存儲器的比例。

相變存儲器發(fā)展趨勢

過去存儲容量提升都是通過 Scaling Down，從90nm到45nm，甚至16nm，在Scaling Down的過程中成本都一直在提高?，F(xiàn)在相變存儲器提高存儲容量的方式有兩種，一種是三維堆疊，還有一種是多值技術(shù)。英特爾和美光重點突破的是三維堆疊技術(shù)，而IBM在多值存儲領域取得了突破性進展。

2015年英特爾和美光推出了3D-Xpoint存儲器，是基于相變材料，給相變存儲器帶來了新的機遇。這個是交叉點陣列的結(jié)構(gòu)，另外存在空間堆疊，像汽車一樣，二維停車庫停的車很少，建多層停車場以后停的車就會多很多，以三維的方式來提高存儲密度。存儲密度是DRAM的8-10倍，讀取速度是目前閃存的1000倍，耐用性是閃寸的一倍，所以受到廣泛的關注。

相變存儲相關問題

1、問：國內(nèi)在大力布局存儲器芯片制造，這些fab能否代工相變存儲器？

答：目前來講，武漢新芯主導產(chǎn)品是Nor Flash，目前生產(chǎn)線比較成熟，正在布局3D NAND Flash。相變存儲器的外圍電路用CMOS工藝就可以實現(xiàn)，包括讀寫電路、放大電路、編碼電路，都可以利用原來生產(chǎn)線大部分設備，只需添置部分設備就可以生產(chǎn)（如刻蝕），因此國內(nèi)可以改造產(chǎn)線代工相變存儲器。但是如果公司想重新投一條相變存儲器芯片產(chǎn)線，成本太高，不經(jīng)濟。從代工廠的角度說，如果有成熟的新興技術(shù)，通過改造產(chǎn)線實現(xiàn)生產(chǎn)更受歡迎。

2、問：國內(nèi)在3D NAND Flash領域是處于追趕的狀態(tài)，在相變存儲領域是否可能實現(xiàn)彎道超車？

答：3D NAND Flash現(xiàn)在是三星一家領先，其他幾家基本處于同一水平。相變存儲領域國內(nèi)布局比較早，若相變存儲要大規(guī)模生產(chǎn)至少國內(nèi)有技術(shù)儲備，處于與國外并駕齊驅(qū)的狀態(tài)。

3、問：上海微系統(tǒng)所已經(jīng)做出了8Mb的容量，那么要實現(xiàn)1GB甚至1TB的跨越，難點在什么地方?

答：難點在于我們研發(fā)的設備比生產(chǎn)線的設備落后很多。一般來講，研發(fā)機構(gòu)的設備比公司的要高級，但是在集成電路行業(yè)，公司設備比研究所的高級，公司不愿意用更高級的設備去研發(fā)。比如中芯國際做研發(fā)的都是試驗線，而不會是產(chǎn)業(yè)線。假如我們有好的設備，在解決容量、探擾、功耗三個問題的前提下，我們也是可以做到1GB大容量的。

4、問：相變存儲器是否可以替代DRAM和FLASH？

答：相變存儲器現(xiàn)在的價格在DRAM和FLASH中間，它的容量比DRAM大，比FLASH低；它的速度DRAM慢一點，但比FLASH快很多?，F(xiàn)在的存儲系統(tǒng)很不平衡，都走向極端，速度和容量不可同時滿足。而相變存儲器介兩者之間，能夠在速度和容量找到平衡點，找到自己市場。但是也不太可能完全替代DRAM和FLASH。

5、問：相變存儲器全產(chǎn)業(yè)鏈有哪些可以國產(chǎn)化，有哪些方向可以投資？

答：在材料源方面（硫系化合物半導體），假如我們用PVD的方法來做材料，那么可以去關注一些做靶材的公司。假如我們用化學的方法來做材料，可以去關注MO源的公司，比如南大光電；在機器方面，可以去投資做刻蝕設備的相關公司，重點關注北方微電子；在封裝方面，未來3D封裝是重點；在產(chǎn)品設計方面，可以重點關注紫光華芯等紫光體系的公司，另外也可關注做NOR FLASH設計的兆易創(chuàng)新。

6、問：您剛剛說了很多國內(nèi)外公司關于相變存儲器做的工作，那您認為國內(nèi)外在相變存儲器的技術(shù)上差距大不大，有多大？

答：國內(nèi)目前在關鍵技術(shù)上有所突破，在相變存儲器專利方面國內(nèi)占了14%-15%。我們在做相變存儲器研發(fā)的人員、數(shù)量和質(zhì)量還比不上國外。目前國內(nèi)就華中科技大學、中科院上海微系統(tǒng)所這2家專門做相變存儲器芯片，人員投入還不夠。因此和三星、美光相比，還是有一定的差距。但是在存儲器領域我們也有自己的核心技術(shù)，擁有一定的地位。

推薦標的

從整個國家存儲器產(chǎn)業(yè)來看，紫光國芯、深科技和長電科技為核心受益標的；從相變存儲器的角度來看，最相關的公司為南大光電和艾派克。

紫光國芯—全方位布局存儲器產(chǎn)業(yè)

設計領域

公司于2015年9月收購西安華芯的股權(quán)，收購完畢后持股比例達到76%。西安華芯始源于英飛凌半導體的存儲器事業(yè)部，是國內(nèi)唯一具有世界主流大容量存儲器核心設計開發(fā)技術(shù)的公司。華芯自有品牌大容量DRAM芯片及內(nèi)存條已成功量產(chǎn)上市，廣泛應用于服務器、平板電腦、電視機頂盒、工業(yè)控制等領域，產(chǎn)品也遠銷到大陸以外的臺灣、韓國、歐洲等地。

制造領域

2015年11月，紫光國芯公告擬定向增發(fā)800億資金，成為A股有史以來最大規(guī)模的再融資。定增資金主要用來三個項目，其中，包括932億元的資金用來投資建造存儲器工廠，規(guī)劃兩年時間完成。工廠實施完成并達產(chǎn)后，預計每月可新增12萬片的存儲芯片產(chǎn)能。預計年均營收為354億元、年均利潤總額為87億元、投資回收期為6.28年（含建設期2年）。

封測領域

目前公司正在積極推進參股臺灣力成和南茂事宜，我們認為紫光集團同時入股兩家臺灣封測廠力成和南茂，有三大利好影響：

加強大陸與臺灣半導體企業(yè)和產(chǎn)業(yè)鏈的合作，互利共贏；

力成和南茂都是半導體封測公司，分別側(cè)重于集成電路和存儲器芯片的封裝、測試，二者有望在業(yè)務中達成合作，共享客戶與技術(shù)方面的資源；

紫光集團的大手筆收購增強了在存儲器產(chǎn)業(yè)的實力，幫助旗下上市平臺紫光國芯在半導體產(chǎn)業(yè)的成長中獲得更多的份額，企業(yè)價值凸顯。

其他業(yè)務

在存儲器芯片之外，公司是國內(nèi)智能卡芯片龍頭，并積極布局特種集成電路領域，在去年已開拓大量客戶，在軍隊信息化加速、自主可控需求提升的背景下，公司作為特種集成電路的“航空母艦”將迎來良好發(fā)展機遇。

深科技—涉足存儲器封裝，其他業(yè)務看點多

深科技致力于提供硬盤零部件、固態(tài)存儲、通訊及消費電子、醫(yī)療器械等各類電子產(chǎn)品的先進制造服務以及計量系統(tǒng)、支付終端、自動化設備的研發(fā)生產(chǎn)，目前公司切入到LED新能源領域，成立的子公司進行了LED芯片、外延片、封裝模組、照明應用等全產(chǎn)業(yè)鏈的布局。

磁頭及硬盤盤基片制造商，外延布局存儲器封測

深科技是全球第二大硬盤磁頭專業(yè)制造商，也是中國唯一的硬盤盤基片制造商，掌握核心制造技術(shù)。目前公司90%的磁頭產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)了自動化或半自動化生產(chǎn)，加之在防振、臟污控制、防靜電干擾、高等級凈化間生產(chǎn)控制等方面的工程能力，公司在磁頭制造領域處于國際領先水平。

2015年，公司全面收購沛頓科技（深圳）有限公司（以下簡稱“沛頓科技”），沛頓科技在芯片存儲行業(yè)內(nèi)領先的DRAM和NAND FLASH等封裝檢測技術(shù)、生產(chǎn)設備、客戶資源和高端人才。沛頓科技現(xiàn)有產(chǎn)品包括內(nèi)存芯片DRAM和移動存儲封裝芯片（SIP）和嵌入式存儲芯片/嵌入式多功能芯片（eMMC/eMCP/MCP）。

其他業(yè)務看點充足

公司一直在積極推進固態(tài)硬盤項目，早幾年就有針對性的成立了專項小組來跟進固態(tài)硬盤的發(fā)展。日前，希捷和金士頓都意欲推進固態(tài)硬盤業(yè)務，公司已做好準備，可隨時承接固態(tài)硬盤的生產(chǎn)。

公司彩田園區(qū)城市更新單元規(guī)劃項目已獲得深圳市城市規(guī)劃委員會建筑與環(huán)境藝術(shù)委員會審批通過。項目拆除用地面積57,977.5平方米，開發(fā)建設用地面積43,828.4平方米，計容積率建筑面積為262,970平方米，其中產(chǎn)業(yè)研發(fā)用房195,280平方米（含創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)用房9,770平方米），產(chǎn)業(yè)配套用房62,050平方米（含配套商業(yè)21,000平方米、配套宿舍41,050平方米），公共配套設施5,640平方米。另外，允許在地下開發(fā)16,000平方米商業(yè)用房。

長電科技—收購星科金朋，布局高端封測

星科金朋總部位于新加坡，在韓國、新加坡、中國上海均設有工廠，在美國、歐洲、韓國等地均擁有銷售團隊，產(chǎn)品定位中高端，覆蓋全球主要消費市場的客戶。公司完成對星科金朋的收購后，行業(yè)排名從第六位躍升至第四位，全球市場占有率從3.9%提升至10%。

星科金朋技術(shù)領先，客戶資源豐富

星科金朋不僅具有先進的封裝技術(shù)，更有優(yōu)質(zhì)的客戶資源，在技術(shù)方面，星科金朋的eWLB、TSV、SiP、PoP等均為行業(yè)領先的高端封裝技術(shù)能力；在客戶方面，覆蓋了國際高端客戶，包括高通、博通、SanDisk、Marvell等。

星科金朋擁有多種先進封裝技術(shù)，主要有FC（倒裝）、eWLB（嵌入式晶圓級球柵陣列）、TSV（硅通孔封裝技術(shù)）、SiP（系統(tǒng)級封裝）、PiP（堆疊組裝）、PoP（堆疊封裝）等。

星科金朋的客戶涵蓋集成電路制造商和集成電路設計企業(yè)，并且許多客戶都是各自領域的市場領導者。

國內(nèi)存儲器封測需求加大，公司深度受益

公司收購星科金朋后，無論是產(chǎn)能還是封測技術(shù)均成為國內(nèi)封測行業(yè)絕對龍頭，同時與中芯國際、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金深度綁定，將充分受益于整個集成電路產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。

從芯片產(chǎn)品端來看，國內(nèi)布局最廣且投入力度最大的是存儲器芯片，公司具備存儲器芯片領域完善的封測技術(shù)，將深度受益于這一趨勢。

MO源即高純金屬有機源，目前90%左右的應用都集中于LED領域，其也是制造新一代太陽能電池、相變存儲器、半導體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料。目前相變存儲器主要使用GST（Ge、Sb、Te）材料，公司有含這三種材料的MO源，隨著PCM技術(shù)的發(fā)展，若它能在市場上得到大規(guī)模的商用，上游MO源行業(yè)將直接受益，公司作為全球MO源生產(chǎn)的領導企業(yè)，業(yè)績將會出現(xiàn)明顯的提升。

從公司的布局來看，主要分為三大塊業(yè)務：MO源、高純特種氣體和光刻膠。

1、  公司的MO源前主要應用于下游制備LED外延片，其產(chǎn)品不僅實現(xiàn)了國內(nèi)進口替代，還遠銷歐美及亞太地區(qū)，積累了如Osram、飛利浦、豐田合成、晶元光電、三安光電、士蘭明芯、華燦光電、乾照光電等一大批穩(wěn)定優(yōu)質(zhì)的客戶資源；

2、  公司子公司全椒南大光電完成了7條生產(chǎn)線的建設，具備了35噸高純磷烷、15噸高純砷烷等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

3、  公司參股北京科華31.39%，切入到光刻膠領域。

艾派克—不僅僅只有打印機

艾派克主營業(yè)務包括集成電路芯片、通用打印耗材及核心部件和再生打印耗材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括打印耗材芯片、打印耗材及相關部件等；艾派克通過收購Lexmark（世界領先的打印產(chǎn)品及服務供應商，產(chǎn)品包括打印機、耗材及相關軟件及服務），一舉奠定了其打印領域全產(chǎn)業(yè)鏈的龍頭地位。

艾派克在存儲器領域的布局

艾派克在非易失性存儲器設計及應用領域擁有多項核心技術(shù)。艾派克已具備0.35、0.18和0.13微米工藝的非易失性存儲器EEPROM設計與生產(chǎn)能力，特別在高速EEPROM和低功耗EEPROM設計上具有較強優(yōu)勢，目前艾派克擁有相關EEPROM_IP16項。

艾派克助推PCM商業(yè)化

艾派克獲得上海微系統(tǒng)研究所相變存儲器PCRAM_IP在打印機及打印耗材芯片領域獨家使用授權(quán)，通過排他性合作增加了艾派克的競爭優(yōu)勢。從研究所角度看，其PCM技術(shù)可以快速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，有助于進一步研發(fā)投入。兩者優(yōu)勢互補，促進協(xié)同發(fā)展。

七星電子——設備領域深度受益

在元器件領域，公司依托60多年的元器件技術(shù)積累，建立了完善的新產(chǎn)品、新工藝研發(fā)體系，其電阻、電容、晶體器件、微波組件、模塊電源、混合集成電路等高精密電子元器件被廣泛應用于精密儀器儀表、自動控制等高精尖特種行業(yè)。隨著國家進一步推進軍用電子元器件國產(chǎn)化政策，軍用元器件的需求保持10%-15%的穩(wěn)定增長且毛利率水平高，是公司當前利潤的主要來源。

在半導體設備領域，公司集成電路設備逐步由研發(fā)進入應用的關鍵階段，目前為公司貢獻業(yè)績的主要是應用于電力電子、光伏等領域的設備；公司收購北方微電子，其產(chǎn)品主要包括刻蝕、PVD和CVD幾大類，應用領域包括集成電路制造、封裝、LED、功率半導體、化合物半導體等細分市場，客戶涵蓋中芯國際、武漢新芯、三安光電等國內(nèi)大廠，有望深度受益于新一輪國內(nèi)大規(guī)模晶圓廠投資浪潮。

此外，公司通過自主研發(fā)的鋰離子動力電池設備的技術(shù)水平處于國內(nèi)領先地位，主要應用于動力汽車和儲能行業(yè)。在中國動力電池巨大市場需求的驅(qū)動下，預計中國2016年鋰離子電池設備市場將增長17%，達到34億元規(guī)模，公司相關業(yè)務將深度受益。

公司將實現(xiàn)半導體設備的自主可控，預計公司16-18年凈利潤分別為1.01億元、1.63億元、2.43億元，對應EPS分別為：0.22、0.36、0.53元。

鼎龍股份——CMP拋光墊領域新秀

公司大力投入裝備及人才力量，2016 有望形成初步產(chǎn)能。若一二期產(chǎn)能50 萬片達產(chǎn)后，預計年新增銷售收入100，000 萬元，正常年度新增年均利潤總額41，177 萬元，稅后利潤35，000 萬元。鼎龍2015 年主業(yè)的收入約為10.5 億人民幣，若CMP項目的順利實施會使公司的營業(yè)收入迎來翻番，再造“一個鼎龍”。

公司擁有彩色聚合碳粉、再生硒鼓和打印耗材芯片是鼎龍旗下的三大業(yè)務模塊，規(guī)模效應十分突出，而且三者優(yōu)勢互補，協(xié)同發(fā)展。收購旗捷將力促鼎龍在芯片領域具有話語權(quán)，收購佛萊斯通則讓鼎龍在化學碳粉領域具有產(chǎn)業(yè)控制力，硒鼓耗材方面則在產(chǎn)業(yè)鏈打通的背景下，未來具有產(chǎn)業(yè)繼續(xù)整合的空間，公司將有望在耗材領域?qū)崿F(xiàn)龍頭霸主的地位，未來利潤有望跨越式提升。

公司推進集成電路芯片及制程工藝材料研發(fā)中心項目，研發(fā)并布局新的IC 產(chǎn)業(yè)方向，著眼長遠，凸顯上市公司的深謀遠慮。在整合打印耗材產(chǎn)業(yè)鏈的同時將業(yè)務延伸至IC 產(chǎn)業(yè)，并以數(shù)字圖文快印O2O 的方式打造全新的數(shù)字打印市場，而且促進與打印耗材市場的融合。

公司深入打造“互聯(lián)網(wǎng)+中心工廠+窗口店”全新的圖文快印商業(yè)模式，實現(xiàn)線上線下的融合。作為行業(yè)內(nèi)唯一能夠提供全系列兼容耗材的公司，鼎龍有能力打破國外耗材廠商對終端的壟斷，成為快印行業(yè)的整合者。預計16年-18年EPS分別為0.66、0.93、1.14元。

風險提示：

系統(tǒng)性風險：電子行業(yè)發(fā)展不及預期