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武漢新芯3DLink?技術(shù),賦能西安紫光國(guó)芯異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)平臺(tái)

2021-07-09
來(lái)源:西安集成電路

  武漢新芯3DLink?技術(shù),賦能西安紫光國(guó)芯異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)平臺(tái)

  近日,武漢新芯集成電路制造有限公司(簡(jiǎn)稱“武漢新芯”)——一家領(lǐng)先的集成電路研發(fā)與制造企業(yè),與西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“西安紫光國(guó)芯”)開(kāi)展專業(yè)領(lǐng)域縱深合作,其自主開(kāi)發(fā)的3DLink?技術(shù)賦能西安紫光國(guó)芯異質(zhì)集成嵌入式DRAM (SeDRAM) 平臺(tái),加速行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)重大突破:異質(zhì)集成嵌入式DRAM (SeDRAM)技術(shù)達(dá)到目前世界領(lǐng)先水平,相關(guān)技術(shù)論文已被IEDM 2020、CICC 2021成功錄取,在IMW 2021也做了專題報(bào)告。武漢新芯基于全新的三維集成技術(shù)平臺(tái)(3DLink?),實(shí)現(xiàn)了多款可定制化開(kāi)發(fā)的工藝解決方案進(jìn)入量產(chǎn)。

  西安紫光國(guó)芯通過(guò)代工合作的方式使用武漢新芯晶圓堆疊技術(shù)3DLink?設(shè)計(jì)SeDRAM平臺(tái),將DRAM晶圓和其他不同工藝節(jié)點(diǎn)的邏輯晶圓利用Cu-Cu(銅-銅)互連的方式直接鍵合,實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器的直接訪問(wèn)。通過(guò)定制的DRAM支持多種容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多種帶寬;同時(shí)為不同邏輯工藝提供標(biāo)準(zhǔn)化接口和測(cè)試用IP,使SoC集成更加簡(jiǎn)單快捷。武漢新芯3DLink?技術(shù)突破傳統(tǒng)封裝級(jí)Micro-bump互連架構(gòu)的限制,通過(guò)多片晶圓直接鍵合,達(dá)到高密度互連,實(shí)現(xiàn)從邏輯電路到存儲(chǔ)陣列之間每Gbit高達(dá)34GB/s的帶寬和0.88pJ/bit的能效?;赟eDRAM平臺(tái)的兩款SoC產(chǎn)品已經(jīng)在武漢新芯大規(guī)模量產(chǎn)。

  “在傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,計(jì)算單元和存儲(chǔ)器之間帶寬的鴻溝(即存儲(chǔ)墻問(wèn)題)日益嚴(yán)重。西安紫光國(guó)芯的SeDRAM技術(shù)利用武漢新芯的3DLink?晶圓堆疊技術(shù)平臺(tái),創(chuàng)新地將邏輯晶圓和DRAM晶圓直接鍵合,給業(yè)界提供了領(lǐng)先的超大帶寬、超低功耗內(nèi)嵌存儲(chǔ)器解決方案。公司憑借多年來(lái)的DRAM開(kāi)發(fā)量產(chǎn)能力和SoC設(shè)計(jì)服務(wù)能力,持續(xù)創(chuàng)新,提出了并行高效的存儲(chǔ)架構(gòu),讓SeDRAM平臺(tái)迸發(fā)出業(yè)界極具競(jìng)爭(zhēng)力的單位帶寬和能效。同在紫光集團(tuán)旗下,西安紫光國(guó)芯與武漢新芯多年來(lái)始終保持緊密、默契的友好合作關(guān)系。未來(lái),公司還將持續(xù)推進(jìn)更深層次的合作,為人工智能(AI)和高性能計(jì)算(HPC)等領(lǐng)域的超大帶寬、超低能耗需求提供快速有效的量產(chǎn)方案?!蔽靼沧瞎鈬?guó)芯常務(wù)副總裁江喜平說(shuō)道。

  “SeDRAM平臺(tái)的成功設(shè)計(jì)以及多核SoC的高效開(kāi)發(fā),是雙方通力合作并深入挖掘3DLink?技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì)和潛能的結(jié)果。”武漢新芯COO孫鵬表示,“西安紫光國(guó)芯SeDRAM平臺(tái)對(duì)帶寬、算力、功耗等有很高的要求,如果采用先進(jìn)制程工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)理想的性能,不但成本高昂且還難以保證供應(yīng)的穩(wěn)定性,而武漢新芯三維集成技術(shù)平臺(tái)3DLink?可使得這一問(wèn)題迎刃而解。作為”超越摩爾“的新思路,武漢新芯3DLink?技術(shù)平臺(tái)利用納米級(jí)互連技術(shù),以創(chuàng)新的架構(gòu),讓客戶選用成熟工藝制程即可實(shí)現(xiàn)卓越的產(chǎn)品性能。未來(lái)我們將深入開(kāi)展與合作伙伴的聯(lián)合定制化開(kāi)發(fā),將3DLink?技術(shù)平臺(tái)的價(jià)值不斷提升,更高效地為客戶提供有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品解決方案。”

  關(guān)于武漢新芯3DLink?

  武漢新芯3DLink?是業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體三維集成技術(shù)平臺(tái),可利用納米級(jí)互連技術(shù)將多片晶圓或晶圓與芯片在垂直方向直接連接在一起。該平臺(tái)包括兩片晶圓堆疊技術(shù)S-stacking?、多片晶圓堆疊技術(shù)M-stacking?和異質(zhì)集成技術(shù)Hi-stacking?等技術(shù)類別。其中S-stacking?主要應(yīng)用于傳感器(如CIS, ToF)、高速運(yùn)算及存算一體等產(chǎn)品,M-stacking?主要應(yīng)用于高帶寬存儲(chǔ)器等產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn),武漢新芯已搭建起穩(wěn)定可靠的晶圓級(jí)三維堆疊工藝平臺(tái),同時(shí)開(kāi)始開(kāi)發(fā)針對(duì)不同芯片尺寸或不同基底材質(zhì)的異質(zhì)集成技術(shù)Hi-stacking?。

  武漢新芯3DLink?技術(shù)能明顯減小芯片面積,實(shí)現(xiàn)更短的連接距離,同時(shí)可提升連接速度和通道數(shù)目,帶來(lái)高帶寬、低延時(shí)和低功耗等優(yōu)勢(shì),為傳感器、高速運(yùn)算和高帶寬存儲(chǔ)器等芯片系統(tǒng)提供強(qiáng)大的技術(shù)支持。

  關(guān)于武漢新芯

  武漢新芯集成電路制造有限公司(“XMC”),于2006年在武漢成立,是一家領(lǐng)先的集成電路研發(fā)與制造企業(yè)。武漢新芯專注于先進(jìn)特色工藝開(kāi)發(fā),重點(diǎn)發(fā)展三維集成技術(shù)3DLink?、特色存儲(chǔ)工藝和特色邏輯工藝平臺(tái),致力于為全球客戶提供高品質(zhì)的創(chuàng)新產(chǎn)品及技術(shù)服務(wù)。

  武漢新芯擁有2座12寸晶圓廠,每座晶圓廠產(chǎn)能可達(dá)3萬(wàn)片+/月。

  關(guān)于西安紫光國(guó)芯SeDRAM

  西安紫光國(guó)芯的異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM?)是業(yè)界領(lǐng)先的超大帶寬、超低功耗內(nèi)嵌存儲(chǔ)器解決方案。SeDRAM?采用納米級(jí)互連技術(shù)將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯(lián),實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器的直接訪問(wèn);通過(guò)定制的DRAM設(shè)計(jì)支持多種容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多種帶寬;同時(shí)為不同的工藝提供標(biāo)準(zhǔn)化接口和測(cè)試IP,使SoC能夠方便簡(jiǎn)單地集成。

  依托開(kāi)放式、定制化、平臺(tái)式的合作模式,西安紫光國(guó)芯憑借多年的DRAM開(kāi)發(fā)量產(chǎn)能力和SoC設(shè)計(jì)服務(wù)的能力,將幫助有大帶寬、低功耗、高算力需求的客戶迅速開(kāi)發(fā)產(chǎn)品并推向市場(chǎng)。

  關(guān)于西安紫光國(guó)芯

  西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司前身為成立于2004年德國(guó)英飛凌西安研發(fā)中心的存儲(chǔ)事業(yè)部,2006年分拆成為獨(dú)立的奇夢(mèng)達(dá)科技西安有限公司,2009年被浪潮集團(tuán)收購(gòu)轉(zhuǎn)制成為國(guó)內(nèi)公司并更名為西安華芯半導(dǎo)體有限公司。2015年再次被紫光集團(tuán)收購(gòu)并更名為西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司。

  目前公司擁有超過(guò)500名員工。公司擁有掌握存儲(chǔ)器和集成電路核心設(shè)計(jì)和測(cè)試技術(shù)的國(guó)際化團(tuán)隊(duì)。公司核心業(yè)務(wù)是存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),存儲(chǔ)器產(chǎn)品量產(chǎn)銷售,以及專用集成電路設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)服務(wù),公司自成立以來(lái),一直專注于存儲(chǔ)器特別是DRAM存儲(chǔ)器的研發(fā)和技術(shù)積累,產(chǎn)品持續(xù)量產(chǎn)銷售到國(guó)內(nèi)外,積累了良好的存儲(chǔ)器/SoC的設(shè)計(jì)、測(cè)試、規(guī)模生產(chǎn)及全球銷售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。




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