武漢新芯3DLink?技術，賦能西安紫光國芯異質集成嵌入式DRAM（SeDRAM）平臺

　　近日，武漢新芯集成電路制造有限公司（簡稱“武漢新芯”）——一家領先的集成電路研發(fā)與制造企業(yè)，與西安紫光國芯半導體有限公司（簡稱“西安紫光國芯”）開展專業(yè)領域縱深合作，其自主開發(fā)的3DLink?技術賦能西安紫光國芯異質集成嵌入式DRAM （SeDRAM） 平臺，加速行業(yè)技術創(chuàng)新實現(xiàn)重大突破：異質集成嵌入式DRAM （SeDRAM）技術達到目前世界領先水平，相關技術論文已被IEDM 2020、CICC 2021成功錄取，在IMW 2021也做了專題報告。武漢新芯基于全新的三維集成技術平臺（3DLink?），實現(xiàn)了多款可定制化開發(fā)的工藝解決方案進入量產。

　　西安紫光國芯通過代工合作的方式使用武漢新芯晶圓堆疊技術3DLink?設計SeDRAM平臺，將DRAM晶圓和其他不同工藝節(jié)點的邏輯晶圓利用Cu-Cu（銅-銅）互連的方式直接鍵合，實現(xiàn)對存儲器的直接訪問。通過定制的DRAM支持多種容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多種帶寬；同時為不同邏輯工藝提供標準化接口和測試用IP，使SoC集成更加簡單快捷。武漢新芯3DLink?技術突破傳統(tǒng)封裝級Micro-bump互連架構的限制，通過多片晶圓直接鍵合，達到高密度互連，實現(xiàn)從邏輯電路到存儲陣列之間每Gbit高達34GB/s的帶寬和0.88pJ/bit的能效?；赟eDRAM平臺的兩款SoC產品已經在武漢新芯大規(guī)模量產。

　　“在傳統(tǒng)的計算機體系結構中，計算單元和存儲器之間帶寬的鴻溝（即存儲墻問題）日益嚴重。西安紫光國芯的SeDRAM技術利用武漢新芯的3DLink?晶圓堆疊技術平臺，創(chuàng)新地將邏輯晶圓和DRAM晶圓直接鍵合，給業(yè)界提供了領先的超大帶寬、超低功耗內嵌存儲器解決方案。公司憑借多年來的DRAM開發(fā)量產能力和SoC設計服務能力，持續(xù)創(chuàng)新，提出了并行高效的存儲架構，讓SeDRAM平臺迸發(fā)出業(yè)界極具競爭力的單位帶寬和能效。同在紫光集團旗下，西安紫光國芯與武漢新芯多年來始終保持緊密、默契的友好合作關系。未來，公司還將持續(xù)推進更深層次的合作，為人工智能（AI）和高性能計算（HPC）等領域的超大帶寬、超低能耗需求提供快速有效的量產方案?！蔽靼沧瞎鈬境崭笨偛媒财秸f道。

　　“SeDRAM平臺的成功設計以及多核SoC的高效開發(fā)，是雙方通力合作并深入挖掘3DLink?技術平臺優(yōu)勢和潛能的結果。”武漢新芯COO孫鵬表示，“西安紫光國芯SeDRAM平臺對帶寬、算力、功耗等有很高的要求，如果采用先進制程工藝來實現(xiàn)理想的性能，不但成本高昂且還難以保證供應的穩(wěn)定性，而武漢新芯三維集成技術平臺3DLink?可使得這一問題迎刃而解。作為”超越摩爾“的新思路，武漢新芯3DLink?技術平臺利用納米級互連技術，以創(chuàng)新的架構，讓客戶選用成熟工藝制程即可實現(xiàn)卓越的產品性能。未來我們將深入開展與合作伙伴的聯(lián)合定制化開發(fā)，將3DLink?技術平臺的價值不斷提升，更高效地為客戶提供有競爭優(yōu)勢的產品解決方案?！?/p>

　　關于武漢新芯3DLink?

　　武漢新芯3DLink?是業(yè)界領先的半導體三維集成技術平臺，可利用納米級互連技術將多片晶圓或晶圓與芯片在垂直方向直接連接在一起。該平臺包括兩片晶圓堆疊技術S-stacking?、多片晶圓堆疊技術M-stacking?和異質集成技術Hi-stacking?等技術類別。其中S-stacking?主要應用于傳感器（如CIS, ToF）、高速運算及存算一體等產品，M-stacking?主要應用于高帶寬存儲器等產品。經過多年的技術研發(fā)和量產，武漢新芯已搭建起穩(wěn)定可靠的晶圓級三維堆疊工藝平臺，同時開始開發(fā)針對不同芯片尺寸或不同基底材質的異質集成技術Hi-stacking?。

　　武漢新芯3DLink?技術能明顯減小芯片面積，實現(xiàn)更短的連接距離，同時可提升連接速度和通道數(shù)目，帶來高帶寬、低延時和低功耗等優(yōu)勢，為傳感器、高速運算和高帶寬存儲器等芯片系統(tǒng)提供強大的技術支持。

　　關于武漢新芯

　　武漢新芯集成電路制造有限公司（“XMC”），于2006年在武漢成立，是一家領先的集成電路研發(fā)與制造企業(yè)。武漢新芯專注于先進特色工藝開發(fā)，重點發(fā)展三維集成技術3DLink?、特色存儲工藝和特色邏輯工藝平臺，致力于為全球客戶提供高品質的創(chuàng)新產品及技術服務。

　　武漢新芯擁有2座12寸晶圓廠，每座晶圓廠產能可達3萬片+/月。

　　關于西安紫光國芯SeDRAM

　　西安紫光國芯的異質集成嵌入式DRAM（SeDRAM?）是業(yè)界領先的超大帶寬、超低功耗內嵌存儲器解決方案。SeDRAM?采用納米級互連技術將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯(lián)，實現(xiàn)對存儲器的直接訪問；通過定制的DRAM設計支持多種容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多種帶寬；同時為不同的工藝提供標準化接口和測試IP，使SoC能夠方便簡單地集成。

　　依托開放式、定制化、平臺式的合作模式，西安紫光國芯憑借多年的DRAM開發(fā)量產能力和SoC設計服務的能力，將幫助有大帶寬、低功耗、高算力需求的客戶迅速開發(fā)產品并推向市場。

　　關于西安紫光國芯

　　西安紫光國芯半導體有限公司前身為成立于2004年德國英飛凌西安研發(fā)中心的存儲事業(yè)部，2006年分拆成為獨立的奇夢達科技西安有限公司，2009年被浪潮集團收購轉制成為國內公司并更名為西安華芯半導體有限公司。2015年再次被紫光集團收購并更名為西安紫光國芯半導體有限公司。

　　目前公司擁有超過500名員工。公司擁有掌握存儲器和集成電路核心設計和測試技術的國際化團隊。公司核心業(yè)務是存儲器設計開發(fā)，存儲器產品量產銷售，以及專用集成電路設計開發(fā)服務，公司自成立以來，一直專注于存儲器特別是DRAM存儲器的研發(fā)和技術積累，產品持續(xù)量產銷售到國內外，積累了良好的存儲器/SoC的設計、測試、規(guī)模生產及全球銷售等研發(fā)和產業(yè)化經驗。