《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 其他 > 業(yè)界動態(tài) > 武漢重大項目計劃:國家存儲器基地、武漢新芯12英寸線等項目入列

武漢重大項目計劃:國家存儲器基地、武漢新芯12英寸線等項目入列

2020-11-05
來源:全球半導體觀察

  10月底,湖北武漢發(fā)改委發(fā)布2020年市級重大項目計劃表,包括162個重大在建項目計劃、90個重大新開工項目計劃、以及49個重大前期項目計劃,涵蓋多個集成電路產(chǎn)業(yè)項目。

  其中,重大在建項目計劃中包括:總投資815億元的國家存儲器基地 (一期)項目、和總投資135.7億元的武漢新芯12英寸集成電路生產(chǎn)線項目二期工程;重大前期項目計劃包括總投資50億元的翰博集成電路及半導體顯示核心材料產(chǎn)業(yè)園項目等。

微信圖片_20201105151451.png

  Source:武漢市發(fā)改委

  國家存儲器基地(一期)項目

  國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城,項目一期規(guī)劃投資815億元,2020年計劃投資50億元,于2016年12月30日正式開工建設,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房,預計2020年完成整個項目,總產(chǎn)能將達到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。

  武漢新芯12英寸集成電路生產(chǎn)線項目二期工程

  武漢新芯集成電路制造有限公司于2018年8月28日啟動二期擴產(chǎn)項目,預計總投資135.7億元,2020年計劃投資3億元。該項目將建設自主代碼型閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務平臺,進軍物聯(lián)網(wǎng)市場。

  翰博集成電路及半導體顯示核心材料產(chǎn)業(yè)園項目

  2019年8月,翰博集成電路及半導體顯示核心材料產(chǎn)業(yè)園項目簽約落戶武漢黃陂區(qū)。

  據(jù)當時黃陂網(wǎng)報道,翰博高新材料(合肥)股份有限公司擬新建翰博集成電路及半導體顯示核心材料產(chǎn)業(yè)園項目,總投資50億元,規(guī)劃用地390畝,新建有機發(fā)光半導體(OLED)制造裝置零部件膜剝離、精密再生及熱噴涂項目、OLED OPEN MASK(掩膜版)制造項目、再生晶圓項目。

  其中,OLED項目主要從事OLED、LTPS相關生產(chǎn)設備、冶具、MASK等配套部件的精密再生業(yè)務;OOM項目主要從事OLED OPEN MASK、FMM FRAME及CVD MASK掩膜版的研發(fā)、制造和銷售業(yè)務;再生晶圓項目主要從事12寸再生晶圓制造業(yè)務。

 


本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。