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SICK公司GR18S 圓柱形Mini光電開關

GR18S圓柱形Mini光電開關采用SICK獨有的PinPoint類激光光源技術，并提供多種外殼和安裝方式，以及IP67的防護等級，尤其適用于生產(chǎn)線上的食品飲料檢測、灌裝線透明PET瓶檢測、包裝/塑料/玻璃/陶瓷機械的移動物體檢測等。GR18S極具競爭力的性價比致力于為設計和應用提供最大冗余度。

發(fā)表于：10/15/2012

國產(chǎn)光通信芯片亟待突圍

光通信,顧名思義，光通信是“以光來傳送信息”的一種通信方式，其運作原理是在發(fā)送端通過裝置，將信息轉(zhuǎn)換成光信號，再利用光纖所構成的網(wǎng)絡傳遞該信號。整個光通信產(chǎn)業(yè)范疇，包括光纖/光纜、光通信設備(如局域網(wǎng)絡設備/電信光傳輸設備/光通信量測設備)、光通信組件(光主動/被動組件)等，由于光通信產(chǎn)品類別多，產(chǎn)業(yè)鏈長，具有很強的產(chǎn)業(yè)帶動作用，因此，世界眾多國家和地區(qū)紛紛導入光纖網(wǎng)絡基礎建設，促進光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

發(fā)表于：10/15/2012

英飛凌成功推出以極具吸引力的性價比實現(xiàn)業(yè)界領先效率的第五代thinQ!TM SiC肖特基勢壘二極管

英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產(chǎn)品陣容。英飛凌榮獲專利的擴散焊接工藝早已應用于第三代產(chǎn)品，如今又成功地與更緊湊的全新設計和最新的薄晶圓技術有機結合在一起，改進了熱特性，并使一個優(yōu)值系數(shù)（Qc x Vf）與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。

發(fā)表于：10/10/2012

德州儀器 2.5A 隔離式柵極驅(qū)動器延長 1 倍器件使用壽命，并擴大工作溫度范圍

日前，德州儀器(TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 與MOSFET 的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。該ISO5500 的輸入TTL 邏輯與輸出功率級通過電容二氧化硅(SiO2) 隔離層隔開，與光耦合器及磁性隔離器相比，可將器件使用壽命延長1 倍。該器件與隔離電源配合使用時，可阻隔高壓、隔離接地、避免噪聲電流進入本地接地，干擾或損壞敏感電路系統(tǒng)，從而提高電子產(chǎn)品的安全性與可靠性。

發(fā)表于：10/9/2012

恩智浦擴展高速接口ESD保護產(chǎn)品組合

全球領先的ESD（靜電放電）保護器件供應商恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）今日宣布擴展其電路保護器件范圍；這些產(chǎn)品同時具備超低電容和超低鉗位電壓特性。恩智浦ESD保護產(chǎn)品組合具有出色的ESD耐用保護，超過系統(tǒng)級的IEC61000-4-2第4級標準，包含15款器件，是保護HDMI、MHL、MIPI、DisplayPort、eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信號線的理想之選。

發(fā)表于：9/18/2012

意法半導體（ST）發(fā)布先進功率MOSFET系列產(chǎn)品, 抓住新興生態(tài)設計標準和綠色能源市場機會

意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術型企業(yè)滿足日益嚴格的生態(tài)設計標準對功率和能效的要求，瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。

發(fā)表于：9/13/2012

Microsemi擴展NPT IGBT產(chǎn)品系列

致力于能源、安全、可靠性與高性能領域，全球領先的半導體供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產(chǎn)品系列的所有器件均基于美高森美的先進Power MOS 8? 技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產(chǎn)品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。

發(fā)表于：9/12/2012

意法半導體(ST)最新的冷卻旁路二極管可增加太陽能發(fā)電效率并降低成本

意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），推出了用于太陽能模塊的新一代高能效的冷卻旁路開關（Cool Bypass Switch）系列。新產(chǎn)品可進一步提高太陽能發(fā)電效率并降低再生能源發(fā)電的每瓦成本。業(yè)內(nèi)最小的尺寸使其可直接集成到太陽能模塊內(nèi)，從而降低太陽能發(fā)電系統(tǒng)的復雜性和安裝成本。

發(fā)表于：9/11/2012

德州儀器面向有線通信系統(tǒng)推出靈活的時鐘集成電路

日前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界最靈活的高集成時鐘抖動清除器(cleaner) / 乘法器(multiplier)，可充分滿足有線通信與測量測試應用需求。該LMK04906 提供3 組支持保留特性(holdover feature)的冗余輸入以及7 組可編程輸出。這種靈活性可使設計人員不必使用振蕩器和時鐘緩沖器等外部組件，從而顯著降低材料清單(BOM) 成本并節(jié)省板級空間。此外，LMK040906 具有業(yè)界領先的100 fs RMS 抖動及-160 dBc/Hz 噪聲底限，可改善高速數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的信號完整性。

發(fā)表于：9/6/2012

Brad® Micro-Change® M12 Cat 6A連接器系統(tǒng) 提供高達10Gbps的出色信號完整性

全球領先的全套互連產(chǎn)品供應商Molex公司推出功能強大的Brad Micro-Change® M12 Cat6A連接器系統(tǒng)，設計用于嚴苛環(huán)境中的視覺系統(tǒng)和其它高速數(shù)據(jù)傳輸應用。高針腳密度(high-pin-density) 的Micro-Change連接器系統(tǒng)，符合用于高達10Gbps的高速以太網(wǎng)信號完整性的TIA和ISO/IEC Cat 6A規(guī)范，并具有創(chuàng)新的x-coding交叉屏蔽(cross-shielding)設計(符合IEC 61076-2-109規(guī)范)，在高達500Mhz的頻帶寬度內(nèi)提供出色的性能和傳輸可靠性。

發(fā)表于：9/4/2012

IR全新600V IGBT提供更高功率密度和效率適合電機驅(qū)動應用

全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，適合在10kHz以下工作的電機驅(qū)動應用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機。

發(fā)表于：9/4/2012

圣邦推出支持鋰電池過壓檢測功能的過壓保護器件SGM4062

圣邦微電子（SG MICRO）于2012年推出過壓保護芯片SGM4062。該產(chǎn)品具有鋰電池過壓檢測功能、啟動過流保護功能。SGM4062過壓保護電壓典型值為6.8V。當輸入電壓高于6.8V時，過壓保護功能（OVP）啟動，自動斷開電路以保護系統(tǒng)安全。

發(fā)表于：9/3/2012

Molex新型Micro-Lock? Positive-Lock連接器具有‘免損毀’插配保護特性

全球領先的全套互連產(chǎn)品供應商Molex公司推出新的通孔(through-hole)Micro-Lock?單排連接器產(chǎn)品線，用于數(shù)據(jù)/通信、電信、網(wǎng)絡設備和消費電子產(chǎn)品，包括游戲機和LCD及PDP平板顯示器的線對板應用。Micro-Lock確立鎖閂(positive-lock)2.00 mm間距連接器具有6.00 mm的低插配側(cè)高和‘免損毀’設計特性，防止在連接器插配期間損壞連接頭針腳。

發(fā)表于：8/16/2012

Microchip推出首款5V工作、1 Mb容量和80 Mbps速度的業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快器件，擴展串行SRAM產(chǎn)品組合

全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應。通過四路SPI或SQI?協(xié)議可實現(xiàn)高達80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。

發(fā)表于：8/7/2012

瑞薩電子第七代650V和1250V IGBT建立了一個新的技術標準，可以在工業(yè)應用中實現(xiàn)高效的解決方案，如太陽能及工業(yè)電機逆變器

瑞薩電子公司(TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，今天宣布為其第七代具有業(yè)界領先性能的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）陣列增加13款新產(chǎn)品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導體器件，用于將DC轉(zhuǎn)換成AC電源的系統(tǒng)中，設計用于對應高電壓和大電流的應用，如太陽能發(fā)電機和工業(yè)電機用功率調(diào)節(jié)器(功率轉(zhuǎn)換器)。第七代技術，采用增強型薄化晶圓工藝，在傳導、開關損耗以及耐受能力之間達到了低損耗平衡，以承受短路情況的發(fā)生。

發(fā)表于：7/25/2012